CP,FT,WAT有什么区别？

‍ 知识星球（星球名：芯片制造与封测社区，星球号：63559049）里的学员问：CP,FT,WAT都是与芯片的测试有关，他们有什么区别呢？如何区‍分？‍

‍CP,FT,WAT分别是什么？

CP：Chip Probing,在半导体制造结束后，芯片从晶圆分割并封装之前，使用探针卡接触晶圆上的芯片，进行电气测试以确保它们符合规格，一般包括vt（阈值电压），Rdson（导通电阻），BVdss（源漏击穿电压），Igss（栅源漏电流），Idss（漏源漏电流）等，不同类别的产品测试的参数也不同。

FT：Final Test，即终测通常在芯片封装完成后进行的最终测试。这个测试目的是验证封装好的芯片在功能上是否完全符合设计规格，包括其性能、功耗、可靠性等。

WAT: Wafer Acceptance Test，在晶圆加工过程中进行的测试，通过WAT，晶圆厂可以早期识别晶圆加工中的问题，如掺杂浓度不一致、光刻问题或蚀刻缺陷等，从而及时调整生产过程，避免大规模生产不良产品。

CP,FT,WAT的区别？

测的阶段不同：CP,WAT在晶圆上测，FT则是对封装好的每颗芯片进行测试。CP是所有半导体制造工艺结束后测，WAT在特定半导体制造工艺结束后测，而FT是芯片封装完毕后测。测的频率不同：WAT一般是抽测，CP可抽测可全测，FT是全测。

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