5亿元、1400万只！安徽新增1个IGBT项目

前几日，安徽再次签约1个IGBT项目！

6月18日，据“黟县发布 ”消息，黟县举行2024年二季度工业招商重点项目集中签约仪式。本次仪式现场集中签约5个项目，其中亿元以上项目3个，总投资7.6亿元，涉及电子信息、绿色食品等领域。其中包括一个IGBT项目——旺荣IGBT封装和模组生产基地项目。

据了解，该项目由浙江旺荣半导体有限公司投资建设，项目总投资5亿元，拟在黟新建封装、模组生产线，建设集生产、测试、销售于一体的年产1400万只IGBT封装和模组生产基地。项目达产后可实现年营收1.5亿元，年缴纳税收400万元。

公开资料显示，浙江旺荣半导体成立于2021年，是一家以“芯片设计、晶圆制造、器件封装测试、产品应用”为一体的垂直整合制造模式运营的公司，主要聚焦于被海外巨头垄断的中高压IGBT、MOSFET、FRD等功率芯片和功率模块产品。

早在2023年，旺荣半导体就已布局半导体领域：

据“行家说动力总成”此前报道，2023年12月，旺荣半导体有限公司旗下《年产24万片8英寸晶圆项目》正式宣布竣工投产。该项目位于丽水南城七百秧D-30-5工业地块，总用地面积102亩，由浙江旺荣半导体有限公司投建。项目总投资50亿元，一期计划投资24亿元，主要建设两条年产24万片的8英寸功率器件生产线，其中FRD芯片2.4万片/年、MOSFET芯片10.8万片/年、IGBT芯片10.8万片/年。

该项目将聚焦于被海外巨头垄断的中高压IGBT、MOSFET、FRD等功率芯片和功率模块产品，专注于0.18μm～0.35μm功率分立器件研发与制造，有力打破国外芯片厂商在该领域的垄断，有效填补国内8英寸功率器件芯片产能缺口，进一步加快国产替代，为我国半导体产业发展带来新的机遇。