芯耀
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摩尔定律那辆曾经狂飙的列车，现在明显有点跑不动了。为了榨干哪怕一点点的性能红利，行业把目光从单纯的“缩小制程”转向了“堆叠积木”。2.5D、3D封装、Chiplet（芯粒）技术成了新宠。这听起来很美，逻辑是把不同功能、不同工艺的小芯片拼在一起，实现1+1>2的效果。
但对于做测试的工程师来说，这简直就是一场噩梦的序幕。
以前测试SoC（片上系统），逻辑很简单：探针扎在芯片表面的焊盘上，加电，跑向量，看良率。芯片是个平面，所有的I/O端口都摊开来让你测。现在好了，先进封装把芯片堆成了“摩天大楼”。你面对的不再是单一裸片，而是一个复杂的立体系统。这时候，探针扎哪里？这是个问题。
第一个拦路虎，就是“可访问性”危机。
在3D堆叠里，除了最底层的裸片，上面的芯粒I/O端口都被藏在肚子里，物理探针根本碰不到。传统的物理接触测试法失效了。你总不能为了测中间的一层，把楼拆了吧？所以，测试架构必须变。现在大家都在谈IEEE 1838标准，试图通过内部的高速串行通道，把测试信号“穿透”进去。这不仅增加了设计的复杂度，还得在芯片设计之初就把DFT（可测试性设计）嵌进去。以前测试是后端的事，现在必须前置到前端设计环节。
紧接着是“KGD”（已知良品裸片）的赌局。
这就好比盖楼，如果你用了坏砖头，这楼盖得再高也得塌。在先进封装里，如果你把一颗有瑕疵的芯粒封装进昂贵的基板，一旦最后测试失败，你报废的不是一颗芯片，而是整个高价值的封装体。这就倒逼我们必须在封装前，确保每一颗芯粒都是100%的好品（Known Good Die）。但问题是，怎么在没封装的前提下，把芯粒测得像封装后一样准？这直接推高了单颗芯片的测试成本。
别忘了还有一个让人头大的“热”问题。
先进封装密度极高，功耗惊人。在ATE（自动测试设备）平台上跑测试向量时，芯片瞬间发热量巨大。以前也许热传导还能凑合，现在中间夹着微凸块和硅中介层，热量散不出去。这就可能导致芯片在测试过程中过热，出现误判。到底是芯片真坏了，还是热得跑不动了？这中间的界限越来越模糊。
写在最后
先进封装把芯片制造带入了一个新维度，但也把测试逼到了墙角。现在的测试工程师，不仅得懂电路，还得懂封装结构、热力学，甚至材料学。这不再是拿着操作手册按按钮就能干活的年代了。
各位同行，你们现在的产线上，遇到因为散热导致的良率波动多吗？或者对于KGD的筛选成本，你们有什么独门绝技？欢迎在评论区交流一下。
