三星电子已开始筹备其位于京畿道平泽园区的最后一座工厂——“P5 Fab 2”的开工建设。由于人工智能(AI)基础设施投资热潮带动存储器半导体订单激增,该工厂的投资时间比原计划提前了约六个月。
三星P5 两座工厂(Fab1+Fab2)总投资120 万亿韩元,其中Fab1总投资30 万亿韩元,Fab2总投资90万亿韩元(3987亿元人民币),两座工厂月产能 60 万片 12 英寸晶圆,几乎等同于三星当前全部 DRAM 月产能。
据业内人士6月21日透露,多台打桩机近日已进驻三星电子P5 Fab 2工地。打桩机是一种用于将桩柱打入地下的施工设备。一位业内人士表示:“这些设备陆续运抵施工现场,标志着P5 Fab 2工厂的建设即将正式启动。”他补充道:“很可能下个月左右就会举行破土动工仪式。”目前停放在厂区的集装箱正在被移走。另据报道,场地划界工作已经完成。据悉,三星电子和建筑公司正在组建一支专门负责P5 Fab 2工厂建设的团队。
P5 Fab 2是三星电子平泽工厂的第六条生产线,该工厂生产最先进的半导体产品。它也是平泽工厂的最后一条半导体生产线。该工厂将建在一块宽661米、长194米(约13万平方米)的土地上,相当于18个足球场的大小。预计该工厂每月可生产20万至30万片300毫米晶圆。该工厂将配备全系列产品,从旗舰级高带宽内存(HBM)到下一代DRAM、NAND闪存以及先进工艺代工(代工制造)生产线。目标是在2029年投产。
其关键特点是将采用三层“三厂一体化”结构。这种建筑结构最初应用于“P5 Fab 1”工厂,该工厂于去年底在毗邻此地开工建设,预计于2028年投产。预计P5 Fab 1工厂的投资额将超过60万亿韩元。P5 Fab 2工厂的建设预计也需要类似的投资。P5 Fab 1和Fab 2工厂的合并产能约为每月60万片300毫米晶圆。这一规模与三星电子目前的DRAM总产量(每月65万片)相当。
三星电子最初计划于明年初启动P5 Fab 2工厂的建设。然而,由于近期IT行业对HBM(人工智能半导体的核心)以及通用DRAM和NAND闪存的需求激增,该公司决定提前开工。一位业内人士表示:“一旦三星电子开始大规模量产,它将能够通过‘规模经济’在成本竞争力方面超越竞争对手。” 加速开工建设的因素之一是,全球大型科技公司近期纷纷与三星电子的晶圆代工厂接洽,寻求合作,包括英伟达、AMD和高通在内的半导体设计公司,以及埃隆·马斯克领导的特斯拉等公司,都已向三星电子提出代工生产方案。
韩中工商联盟总会AI存储专委会委员长、芯枢科技总经理林美炳表示,英伟达、AMD、云厂商会优先和产能充足的存储厂商绑定长期供货协议,而P5 Fab 2工厂优先生产 1c DRAM、HBM4/HBM4E、企业级 NAND,专门承接云厂商远期大额订单,如果P5 Fab2提前半年开工,意味着三星将更快抢到更多的高端算力存储订单。
除了同步建设P5 Fab 1和Fab 2之外,三星电子还在通过各种方式扩大各基地的产能。在平泽工厂最新的P4工厂,正在建设一条新的10纳米级第六代(1c)DRAM生产线,用于生产第六代HBM(HBM4)芯片,月产能为10万至12万片300毫米晶圆。在中国西安工厂,正在准备用于生产286层(V9)NAND闪存的空间。在美国德克萨斯州泰勒工厂,正在安装一条能够生产特斯拉AI芯片的2纳米(nm;1nm = 十亿分之一米)生产线。另据报道,该公司正在光州或新万金地区寻求建立半导体后端(封装)工厂,以实现区域均衡发展。
三星电子副总裁吴丹尼(Daniel Oh)在去年四月举行的第一季度财报电话会议上表示:“由于今年人工智能需求持续增长,我们计划大幅增加资本支出(CAPEX),与上年相比。”他补充道:“我们将加强战略布局,并增设基础设施,以积极响应未来的需求。”
韩中工商联盟总会成立于2008年7月20日,由韩国山东商会更名,成员包括中韩两国企业家、政治家、科研专家学者共同发起成立的国际性经贸合作组织。
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同时,总会广泛汇聚中韩两国在企业、科研、金融及产业界的优质资源,为会员单位提供政策对接、项目孵化、产业落地及跨境合作等全方位支持,持续提升中韩经贸合作的深度与广度。
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