2家企业联手扩产GaN，产能拟提升50%

7月7日，据《日本经济新闻》及韩联社报道，三菱化学集团与日本制钢所株式会社（JSW）计划大幅增加氮化镓衬底产能。按规划，到2027年，其GaN产能将比2026年水平提高50%。

事实上，两家公司的扩产步伐已在持续加快。今年4月，三菱化学与JSW已将衬底及籽晶的产能提升至2021年度的2倍。在此基础上，双方计划于2027年4月进一步将产能扩增至2021年度的3倍。

为落实上述扩产目标，相关设施升级工作已提上日程。据悉，双方将扩建JSW北海道室兰工厂内的衬底生产设施，同时为三菱化学位于茨城县的工厂增设相关加工设备。

在产品端，两家公司目前均使用4英寸衬底进行客户评估。顺应半导体衬底大尺寸化的行业趋势，双方计划于今年开始向市场供应6英寸衬底样品，并力争在2028年推进至8英寸衬底的样品供应。

《日本经济新闻》指出，鉴于中国企业近期正不断加快对氮化镓市场的渗透步伐，三菱化学与JSW意图通过先发制人的产能布局与技术迭代，抢夺早期市场先机，从而占据行业领先地位。

据“行家说三代半”此前报道，三菱化学与JSW在氮化镓领域的布局由来已久，双方不仅较早开展了氮化镓晶体生长技术的研发，也已建成相应的生产线。

在生产协作模式方面，三菱化学主要负责技术研发和原料供应等；氮化镓衬底生产将委托给JSW的室兰工厂。

早在2017年，三菱化学和JSW便在子公司M&E的室兰工厂投建了氮化镓晶体生长中试线，并成功研发4英寸氮化镓晶体。2021年，三菱化学和JSW又开发了新的氮化镓晶体生长工艺——低压酸性氨热法技术“SCAAT™-LP”。

据三菱化学透露，与传统方法相比，预计SCAAT™-LP”的氮化镓衬底生产成本最多可降至10分之1左右。而且SCAAT™-LP技术能够制备高质量、高透明度的GaN单晶衬底，其晶体缺陷极少（仅为传统产品的1/100至1/1000）

截至目前，双方已利用SCAAT™-LP设备研发出4英寸和6英寸的GaN衬底，三菱化学亦透露，他们正与JSW合作，开发更大直径、更高质量的GaN 衬底。2026年1月，JSW对外宣布，他们将吸收合并其全资子公司日本制钢所机械工程株式会社（M&E） 。据介绍，M&E公司的主要业务包括：各类材料产品制造销售、工程业务等，其中包括氮化镓晶体材料和生长设备业务。 关于这次合并的目的，JSW表示加速推进并壮大GaN晶体业务，是其核心考量因素之一。JSW将改变此前与M&E各自分担氮化镓晶体量产技术的开发工作模式，通过合并，可以更好地集中人力与技术资源，实现开发、管理与运营的一站式办公，加速技术完成并推动GaN晶体的规模化应用。