【存储器】利基型存储市场格局的重塑与大陆和台湾省厂商间博弈

存储器的超级周期与厂商博弈

【本文涉及的相关企业】SK海力士、长江存储、美光、三星、江波龙、铠侠、华邦电、旺宏、兆易创新、普冉、恒烁、南亚科。

“落后”制程存储器反而“领先”

首先明确一点，在讨论利基型存储（Niche Memory）的格局之前，有必要重新审视其技术定位：NOR Flash、SLC/MLC、2D NAND以及利基型DRAM等在过去十年间都是市场主流，产能集中于几十nm的成熟制程，业界的营销和宣发目光都集中于7nm、3nm的先进制程，成熟制程一直都被称为“落后制程”，然而2026年这种定义一直在失效。随着三星、海力士、美光将90%以上的资本支出砸向HBM3e/4以及300层以上的3D NAND，那些停留在2D架构或成熟节点上的利基型产品，反而构筑了一道独特的“制程壁垒”。

由于AI产业端的需求HBM、DDR5和大容量高速率的NAND都紧缺，各家大厂也调整产能给到更高利润和更新技术的HBM端，中低端产能的“大撤退”，给了大陆和台湾一种厂商的新的市场结构。我们可以把全球的存储原厂分为两个阵营：一边是把命押注在AI上的“三大巨头”，另一边是在成熟制程中迎来新的生机的“陆台联盟”。

YOLO 存储器行业预测(图源：YOLO)

拿SLC NAND产品举例，目前单片的容量已经跟不上时代，市场需要大容量和高带宽产品，而海外原厂铠侠和美光等制程节点也演进到14-16nm，可以说是代际领先，时间带来2026年的当下，HBM需求迫使厂商要将更多产能迅速切换到HBM产业，这种业界领先也被资本回报和需求挤到了边上。晶圆市场端SK海力士将SLC业务剥离给SkyHigh，随后普冉股份收购了SkyHigh，表面看是大陆厂商技术补强，实际上SkyHigh产能却大不如前，从之前的9kpcs降到如今的2.2kpcs，产能大幅缩减了近70%。反观而大陆和台湾的厂商本来就是主流制程为12-24nm，像是华邦电、兆易创新等代工原厂都在中芯国际、华虹宏力等厂商，HBM这波“暴利”虽然吃不到，但是空缺出来的产能缺口却是确保了产能的持续性和可控性。也就是说，在产能为王的当下，14nm的无米之炊，远不如24nm的稳定产出。

利基型NAND存储的广阔市场就是需要稳定可控的供应链，原先海外原厂如三星、海力士的退出已经明确不是减产能，而是设备端的物理更新切换到HBM赛道。三星就宣称在2026年6月完成2D MLC NAND全部EOL(end of life)，近200kpcs的月产能减少，市场形成了巨大的缺口，并且三星的老旧设备需要清退，有消息称绝大多数将作为二手设备流入大陆市场。本来三星独占MLC市场45%的产能和55%的营收，几乎叫得上名的大Fabless厂商产能都来自于三星，这一波EOL不仅是三十亿美元市场直接真空，大中小的模组厂商直接断了Wafer来源，短期内切换供应商对任何一家电子厂来说都是不晓得难题，台湾方面目前旺宏有IDM的能力，而武汉新芯的晶圆几乎不外售，模组厂商陷入“一芯难求”的境地，华虹、中芯国际、力积电等晶圆厂商都在加速导入MLC，但MLC对噪声和电荷流失的管控要求远高于SLC，从试产到良率爬坡没有一年半载根本跑不通。

SLC NAND 厂商产品对比(图源：民生证券)

同样在NOR Flash领域，市场技术分层也是十分割裂，华邦电和兆易创新在256Mb以上大容量市场，目前业务重心主要是端侧AI、AI服务器控制和汽车ADAS领域；64-128Mb的中小存储领域则在普冉、恒烁等厂商手中。NOR Flash产品由于ETOX架构与SONOS/浮栅架构在不同容量下的成本边界不同，各家主攻的技术路径也有所差异，而大容量NOR Flash需要复杂的电路设计来确保读取速率，先进制程虽然可以暂时解决芯片面积不够问题，但是成本也会大幅上涨，终端客户接受与否是个不小的问题。当然不可否认的是，目前大容量产能吃紧的结构性涨价，是全行业的一次普涨，看起来“落后”的制程反而吃到了一波市场，领先于行业其他厂商。

大陆VS台湾厂商的博弈

中国大陆和台湾地区在利基型存储上的打法，现在也呈现出明显的分化趋势：台系厂商入行较早，早期IDM模式至今沿用，制程的细微提升和良率不断改善确实赚到第一桶金，而且台积电靠着晶圆代工不断提升制程能力现如今已经是业界霸主，大陆厂商入局较晚，更擅长通过资本运作收购和并购来提升技术实力，同时政府和产业资金的鼎力相助更是造就了如京东方、长鑫存储等行业巨头。

下沉到细分市场端，EEPROM本属于极小的领域，目前大陆厂商的聚辰半导已经是全球前三，意法半导体、安森美等行业巨头市占率不断被蚕食，反观台系厂商目前已经出局。因为EEPROM对制程要求极低但产品线极度繁杂，需要大量人力跟进客户需求，不断调整产品与产线来满足终端需求，这正是大陆厂商的强项。

回到上述的利基型NAND和DRAM市场来看，NAND市场目前巨头三星、海力士、铠侠等已经下定决心清除“落后”产能主攻HBM，设备和产线陆陆续续全部拆除，市场空出来巨大的真空空间。哪家现阶段拿住了，抢到了第一波就有机会站稳脚跟。而DRAM端，目前业界巨头给出的是人力削减，原有产能下降以确保DDR5、LPDDR5等产品供应，其余产能还是砍掉了近50%，这就给了长鑫科技、兆易创新、北京君正（收购ISSI）等厂商不小的机会，消费级和车规级DDR3/4等成熟产品因产能削减，终端产品售价价格大涨，伴随着长鑫IPO的成功，着重发力消费电子和车规级市场，相信能够再压台系厂商一头。