谦合益邦完成全球首款4层3D DRAM堆叠存算一体芯片回片并点亮

2026年8月，谦合益邦宣布其自主研发的4层3D DRAM堆叠存算一体芯片已完成回片并成功点亮。该芯片采用三维集成原生计算架构，结合3D DRAM堆叠工艺，在垂直方向实现了4层芯片的高密度集成，将计算单元与存储单元在三维空间内融合，旨在缓解传统平面架构中因计算与存储分离而存在的“内存墙”瓶颈。

芯片采用“4+1”三维堆叠结构，即以逻辑层为基底，上方堆叠4层DRAM。垂直堆叠层数的增加可扩展访存带宽与存储容量，对大规模并行计算和高并发数据流处理场景具有实际意义。同时，层数增加也带来良率、可靠性、热管理、层间对准精度及垂直互连一致性等方面的工程挑战。此次4层堆叠的实现，标志着该技术路线从前期验证阶段进入工程落地阶段。

根据公开数据，该芯片在数据访存带宽、访存功耗与延时、单位时间数据处理吞吐量以及单次数据处理成本等指标上，相较传统方案均有约一个数量级的变化。这些性能特征为云游戏等需要高带宽、低延迟的应用场景提供了新的硬件加速选择。

谦合益邦成立于2024年1月，由网易孵化，主要方向为3D存算一体、三维集成芯片架构及云游戏加速。公司核心团队自2018年起启动基于3D DRAM存算一体架构的芯片研发，经历多轮流片和架构迭代，积累了相关工艺与设计经验。公司表示，已联合国内产业链伙伴完成从架构定义、前后端设计到3D封装和晶圆制造的流程贯通，实现核心技术自主可控。

近期，该公司完成超20亿元B轮融资，网易有道与中国移动链长基金作为投资方，同时在业务层面形成协同，为芯片后续落地提供应用验证场景。

谦合益邦表示，将继续聚焦3D存算一体技术，推动该架构在更多计算密集型场景中的应用。