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9月15日，工业和信息化部、国家发展改革委印发《电子信息制造业发展“十五五”规划》（以下简称《规划》）。
作为指导未来五年我国电子信息制造业高质量发展的顶层文件，《规划》把集成电路、先进材料、宽禁带与超宽禁带半导体、先进封装等列为重点方向，提出到 2030 年规模以上企业营业收入突破 30 万亿元、研发投入强度达到 3.5% 等一系列目标。
《规划》明确，到 2030 年，我国电子信息制造业高质量发展取得显著成效，在全球产业格局中发挥举足轻重作用；规模以上企业营业收入突破 30 万亿元，产业链安全水平显著提升，在集成电路、先进计算、消费电子、基础电子、能源电子等领域涌现一批长板技术和产品。
集成电路：全链条攻关，制造与封装双线推进
在“筑牢产业基础能力”部分，《规划》将“推动集成电路全链条攻关”排在重点任务的第一条，提出推动集成电路全链条攻关。
其中，在高端芯片方面，发展高性能处理器、高密度存储器、高可靠性模拟和数模混合芯片等产品；在制造环节，做精做细成熟制程，提高先进制程能力。
在先进封装方面，《规划》明确“推动先进封装测试技术开发和应用”，并“推进三维集成等技术突破和应用”，把先进封装与三维集成列为提升产业能级的关键抓手。
此外，《规划》还要求持续提升关键装备、材料和零部件供给能力，加快发展电子设计自动化工具（EDA）和知识产权核（IP 核），强化产业链自主可控。
先进材料：封装与装联材料、电子功能材料成攻关焦点
在电子元器件与电子材料高端化方面，《规划》设立“专栏1 电子元器件及电子材料高端化跃升”，对材料体系作出系统部署。
其中，在封装与装联材料方向，规划明确发展高频高速覆铜板材料、低轮廓铜箔、高性能通讯射频基板等封装基板，高可靠性合金锡膏等锡焊料，高性能芯片粘接薄膜（DAF）、导电胶等粘结材料，以及高性能电子纱/布、高导热热界面材料。
在电子功能材料方向，重点发展大尺寸晶片等半导体材料、低成本高性能磁性材料、高可靠电子陶瓷材料、超小尺寸压电晶体材料、高容量高性能电池材料等。
在工艺与辅助材料方向，规划部署先进工艺用湿化学品、高性能电子树脂金属及其氧化物/氮化物靶材、超纯微纳米铜粉及浆料、高纯石墨/石英制品，以及电磁屏蔽材料、密封与绝缘材料等。
为支撑上述材料与器件量产，《规划》还在“专栏2 电子专用设备及测量仪器自主保障水平提升”中，点名大尺寸晶体生长、金属有机化合物气相沉积（MOCVD）、分子束外延等材料制备设备，以及巨量转移、纳米级光耦合、亚微米级高精度贴装、低温共晶焊、微转印等封装组装设备。
第四代半导体：氧化镓、金刚石被明确点名，碳化硅、氮化镓属宽禁带提质升级
值得关注的是，《规划》将半导体材料按禁带宽度作了清晰分层，定位分明、梯队推进。
在第三代半导体（宽禁带）层面，《规划》提出“推动宽禁带半导体产业提质升级”——碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）即属此类。规划以"宽禁带半导体"统称，要求提质升级，但并未逐一点名具体材料。
在第四代半导体（超宽禁带）层面，《规划》则明确点名：“推动氧化镓、金刚石等超宽禁带半导体产业化发展”。
氧化镓（Ga₂O₃）、金刚石（Diamond）凭借更大的禁带宽度，在功率、射频等高压高频场景中具备天然优势，被《规划》直接列为产业化发展对象。
也就是说，本轮规划对第三代半导体重在“提质升级”、对第四代半导体重在“产业化发展”——宽禁带“做强”、超宽禁带“做新”的格局已然清晰。
光子与先进封装：光电共封装、硅基光电子异质集成提速
在光子产业部分，《规划》设立“专栏3 光子关键技术和产品研发”，多处与先进封装、异质集成直接耦合。
规划提出，重点提升 8 英寸及以上硅基光电子低成本规模量产和多材料体系异质集成能力，突破 12 英寸先进制程的多维异构集成关键技术；在光芯片与器件方向，点名“光电共封装芯片”。
这意味着，先进封装正从传统电互连走向“光电共封装（CPO）”的新阶段，硅光与先进制程的异构集成将成为下一轮集成技术创新的核心战场。
先进计算与新型存储：存算一体、光计算、类脑计算并进
在先进计算方向，《规划》提出加快存算一体、量子计算、光计算、类脑计算、太空计算等新计算范式布局，并在“专栏4”中明确新型存储产品路线：研发高带宽闪存、高带宽内存、铁电存储器、阻变存储器、磁电存储器等。
这与第三代、第四代半导体在功率、射频、传感等场景的应用形成上下游呼应——新材料支撑新架构，新存储拓展新算力。
多个方向与半导体产业形成关联
除集成电路主线外，《规划》还在多领域与半导体材料、器件形成关联。
在人工智能硬件底座部分，规划部署 GPGPU、ASIC、SoC 及软硬耦合推理芯片，并攻关端侧智能计算芯片、高端存储芯片，发展近存计算、存算一体等新架构。
在消费电子部分，规划提出在个人计算机领域“发展主板架构设计与印制电路板（PCB）高密度集成技术”，“强化柔性显示、先进封装等技术应用”。
在能源电子、汽车电子、医疗电子等专栏中，功率半导体、车规级元器件、高端诊疗设备专用芯片等，均离不开宽禁带与超宽禁带半导体材料的底层支撑。
整体来看，《电子信息制造业发展"十五五"规划》从集成电路全链条攻关、先进封装与三维集成，到宽禁带半导体提质升级、氧化镓与金刚石等第四代半导体产业化发展，再到封装与装联材料、光电共封装、新型存储等配套布局，对我国未来五年半导体与先进材料产业进行了系统部署。宽禁带“做强”、超宽禁带“做新”的梯队格局，为下一轮产业竞争锚定了方向。
