芯耀
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磷化铟（InP）是由ⅢA族铟与ⅤA族磷化合而成的二元化合物半导体，属直接带隙半导体，晶体结构为闪锌矿型。
从铟矿到InP衬底，需要经过一条完整的工艺链条：粗铟多来自锡、锌冶炼副产物，经电解与真空蒸馏提纯至5N以上高纯铟；高纯红磷由工业黄磷转化提纯获得；二者按化学计量比在高压下合成InP多晶，再经液封直拉法（LEC）或垂直梯度凝固法（VGF）生长单晶，最后切片、研磨、抛光，得到InP单晶衬底。
按产业链划分，上游为高纯铟、高纯红磷与InP多晶，中游为InP单晶衬底，下游为外延片与光芯片。本文将围绕这条产业链，盘点各环节的代表企业。
云南锡业股份有限公司成立于1998年，2000年在深圳证券交易所上市。 主营锡、锌、铜、铟等金属矿的勘探、开采、选矿和冶炼，资源集中在红河个旧和文山都龙两大矿区，锡和铟储量均居全球第一，铟冶炼产能105吨/年。公司主力产出5N-6N高纯铟，参股子公司云南锡业新材料布局7N-8N超高纯铟；
2026年5月，锡业股份在互动平台表示，云南锡业目前拥有一定的7N、8N高纯铟产能规模，同时正在实施产能扩建相关工作。
云南锗业成立于1998年，2010年在深圳证券交易所上市。是拥有完整产业链的锗行业上市公司，锗产品产销量全国第一，也是工信部认定的制造业单项冠军示范企业。磷化铟衬底方面，云南锗业是国内少有的实现2-6英寸规模化量产的企业，主要由子公司云南鑫耀负责。2026年4月，公司启动“高品质磷化铟单晶片建设项目”，建设期18个月，计划扩建年产30万片（折合4英寸，含6000片6英寸）产线，最终达到年产45万片（折合4英寸）。子公司云南鑫耀已签订2026年8月至2027年底供货合同，总金额5.7-8.55亿元，客户覆盖华为、中际旭创、新易盛、光迅科技等头部光模块厂商。
湖北兴发化工集团股份有限公司成立于1994年，1999年在上海证券交易所上市。是以精细磷化工为核心的全球化运营企业，积极探索磷、硅、硫、盐、氟融合发展，完善上下游一体化产业链。高纯红磷方面，公司实现6N电子级高纯红磷规模化量产，打通磷矿到高纯黄磷再到电子红磷的一体化产业链，6N/7N共线年产能850吨，其中7N级产品已完成送样和小批量验证，下游供货给磷化铟衬底厂商。
上海至纯洁净系统科技股份有限公司成立于2000年，2017年在上海证券交易所上市。核心主业为半导体清洗设备与高纯化学品设备，参股威顿晶磷。威顿晶磷是国内唯一实现低硫7N级高纯红磷量产的企业，产品纯度对标日系，现有35吨产能已进入华为磷化铟供应链，同时布局5000吨高纯电子化学品扩产，与公司半导体客户资源形成协同。
三安光电股份有限公司成立于2000年，2008年7月在上海证券交易所借壳上市。主营化合物半导体材料与器件，以蓝宝石、砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝等外延片、芯片为核心主业。公司是国内唯一实现6英寸磷化铟IDM完整量产的企业，打通衬底、外延、高速光芯片制造到封测的全链条，自研6英寸InP衬底并自建规模化外延产线。6月17日，公司在投资者互动平台披露，已完整覆盖外延生长、芯片制造、封测全流程，技术位居国内前列，实现6英寸InP光芯片规模化量产，并完成核心外延环节大幅扩产。
陕西源杰半导体科技股份有限公司成立于2013年，2022年在上海证券交易所科创板上市。聚焦半导体激光器芯片，主营研发、设计、生产与销售，产品覆盖2.5G至200G及更高速率的DFB、EML激光器系列，以及50mW、70mW、100mW等大功率硅光光源。公司已建立涵盖芯片设计、晶圆制造、芯片加工和测试的IDM全流程体系，拥有MOCVD外延生长、光栅工艺、光波导制作等自主可控生产线。
先导科技集团有限公司成立于1995年，具备稀散金属全产业链能力，覆盖铟、镓、锗等，构建了从原料到衬底、外延、芯片的完整链条。在InP衬底领域，先导基电（广东先导微电子）率先量产6英寸InP衬底，自产8N高纯铟，舟山产能5万片/年，计划2026年扩至15万片/年，武汉布局衬底、外延与芯片。2026年8月，光智科技完成对广东先锐科技3.01亿元增资，先锐科技主营2-6英寸磷化铟衬底，已完成2英寸→4英寸→6英寸三代晶体迭代，目前年产40吨磷化铟晶体产能已启动建设。9月16日，光智科技批漏，先锐科技磷化铟衬底已实现批量交付，国内覆盖头部光芯片企业，海外已向光通信龙头批量出货，其中6英寸磷化铟衬底已获得某全球头部客户订单。
武汉拓材科技有限公司成立于2015年，是一家专注高纯金属/半导体材料的高新技术企业，依托武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室，可生产碲、铟、锗、镓、砷、锡、锑等高纯金属及化合物材料。2026年6月18日，公司举行高纯半导体材料项目投产仪式，并发布年产30吨7N高纯红磷产品。公司以自主工艺突破ppb级杂质控制，打破海外垄断，填补国内空白。
珠海鼎泰芯源晶体有限公司成立于2017年3月，位于珠海高新区，由中科院半导体所Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体技术团队创立，专注Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料的研发、生产与销售。核心产品为磷化铟衬底，尺寸覆盖2英寸至6英寸。
南京集溢半导体科技有限公司成立于2022 年 8 月，主营砷化镓晶片与4N金属镓，2025年两类产品收入占比分别约为84.77%与15.02%。其磷化铟业务由全资子公司大庆溢泰半导体材料有限公司承担，后者为国家级高新技术企业、国家级专精特新"小巨人"企业。大庆溢泰具备年产4英寸光电砷化镓晶片360万片、微电砷化镓晶片3万片、磷化铟晶片3万片、锑化镓晶片1万片、4N镓40吨的生产能力，并自主研制多晶合成炉、单晶生长炉、晶片抛光机等关键装备。
北京铭镓半导体有限公司成立于2020年11月，总部位于北京顺义，量产工厂落地河南安阳，主营超宽禁带半导体氧化镓、光通信用磷化铟晶体与大尺寸掺杂光学晶体的单晶生长与衬底量产。公司是国内氧化镓产业化的主要企业之一，衬底产品已导入功率器件与高速光模块厂商供应链，在建"多晶材料—单晶衬底—器件外延"链条。2026年7月27日，公司完成超1.5亿元Pre-B轮融资，投资方包括千曦资本、芯禾资本、安阳经开集团等，资金投向氧化镓与磷化铟产能扩建；此前2026年1月已完成1.1亿元A++轮融资，用于6英寸氧化镓研发、2-4英寸氧化镓中试线建设与磷化铟多晶扩产。
中讯半导体（江苏）有限公司成立于2022年，注册地为江苏常州，主营磷化铟等化合物半导体衬底材料的研发、生产与销售，拥有有效专利29项，已具备2-4英寸磷化铟单晶衬底的生产技术条件，单晶生长环节良率约30%。公司正分阶段推进4英寸产品量产爬坡与6英寸衬底技术研发，已向多家半导体客户送样并获得参数确认。
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