格罗方德将成为美国首个为先进封装技术供应硅中介层的厂商。编译 | 崔嫄伟 编辑 | 陈骏达
芯东西10月9日消息,昨天,全球晶圆代工大厂格罗方德(GlobalFoundries)宣布与台积电达成多年期制造协议,在美国本土建立硅中介层生产基地,为台积电的CoWoS先进封装生态供货,协议规模约20亿美元(约合人民币134亿元)。格罗方德将扩大纽约州马耳他工厂产能,为台积电提供制造服务,成为美国首个为先进封装技术供应硅中介层的厂商。该项目支持范围包括嵌入式深沟槽电容等组件,预计2028年上半年开始量产爬坡,协议初始期限五年,并为未来随客户需求扩产预留了框架。CoWoS是台积电的2.5D先进封装技术,核心做法是在芯片与封装基板之间垫入中介层,通过硅通孔(TSV)实现高密度互连,让逻辑芯片与高带宽内存(HBM)在单一封装内协同工作。它解决的是AI芯片的“数据搬运”问题:单颗芯片算力再强,内存带宽跟不上也会被拖累,CoWoS让多颗芯片和HBM紧密集成,缩短互连距离、提升带宽并降低功耗,是英伟达、AMD等厂商AI加速器背后的关键支撑。CoWoS有三条技术路线:CoWoS-S是当前AI GPU的主流方案,它使用一整块硅中介层,通过TSV连接上层芯片与基板,性能上限最高。硅中介层承载传输电子信号和电力所需的线路,使封装内的多颗芯片能够协同工作,但中介层面积越大良率越难控制、成本越高。CoWoS-R采用多层线路重布层(RDL)中介层,以聚合物和铜线布线,成本更低;CoWoS-L则取两者之长,用RDL完成大面积布线,在高带宽需求的局部嵌入硅互连(LSI)小块,兼顾性能与封装尺寸。格罗方德此次供应的硅中介层,主要用于CoWoS-S这条路线。
随着AI芯片尺寸增大、多颗芯片整合进同一封装,CoWoS产能紧张已成为制约AI芯片交付的核心瓶颈,而台积电正以产能扩张与技术迭代的路线进行应对:产能方面,CoWoS月产能从2024年底约3.5万片向2026年底13万至14万片目标爬坡,2028年底有望翻倍至约26万片。技术方面,台积电的封装尺寸逐年扩大:5.5倍光罩尺寸中介层已于2026年量产,2028年其将推出整合20个HBM的14倍光罩尺寸版本,2029年将进一步扩至24个HBM。格罗方德成立于2009年,总部位于纽约州马耳他,由阿联酋主权基金穆巴达拉与AMD合资成立,是全球领先的半导体晶圆代工厂,制造基地覆盖美国、欧洲和亚洲,包括美国纽约马耳他、美国佛蒙特州伯灵顿、德国德累斯顿及新加坡等工厂。该公司聚焦差异化工艺与特色技术,在射频、氮化镓(GaN)功率器件等领域,为从云端到终端的AI落地场景提供芯片产品。在先进封装层面,格罗方德65PKG硅中介层平台在2024年已实现量产认证,技术就绪度达TRL9级,包含TSV技术,支持晶圆对晶圆和芯片对晶圆集成,使异构逻辑、存储与电源器件在3D架构中互连。2026年5月,该公司推出基于硅光子技术的SCALE共封装光学方案,面向AI数据中心,已演示8λ和16λ双向密集波分复用传输;6月,其宣布SLATE晶圆对晶圆键合技术在9SW射频平台量产就绪。格罗方德CMOS业务高级副总裁Ed Kaste称,先进封装对下一代AI系统的性能、能效和规模日益关键,格罗方德将依托其美国制造布局,为这一关键环节提供安全、可扩展的供应来源。
结语:先进封装供应链新增美国供应点AI产能瓶颈寻求缓解
AI芯片产能的竞争正从前端制程延伸到封装环节。台积电CoWoS封装此前高度依赖亚洲产能,此次合作落地后,这一关键环节新增了美国本土供应来源,也反映出AI供应链本土化从晶圆制造向封装元件扩散的趋势。对格罗方德而言,这笔订单将其业务延伸至先进封装材料领域,扩大了在AI产业链中的参与度。但格罗方德量产尚需等待至2028年,届时能否真正缓解先进封装产能紧张,还需取决于新增产能的爬坡速度以及整体供应链瓶颈的演变。来源:GlobalFoundries
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