SK 海力士不再落队，已开发出第三代 1Z 纳米 DDR4 动态随机存储器

与非网 10 月 22 日讯，在美光、三星先后搞定 1Znm 工艺的 16Gb DDR4 DRAM 内存芯片后，SK 海力士也终于跟上队伍了。

昨日，SK 海力士宣布开发适用第三代 1Z 纳米 DDR4 动态随机存储器（DRAM）。SK 海力士称，这款芯片实现了单一芯片标准内业界最大容量的 16Gb，在一张晶圆中能生产的存储量也是现存的 DRAM 内最大。

与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。

该款 1Z 纳米 DRAM 还稳定支持最高 3200Mbps 的数据传输速率，这是 DDR4 规格内最高速度。功耗也显着提高，与基于第二代 8Gb 产品的相同容量模组相比，将功耗降低了约 40％。

特别是，第三代产品适用前一代生产工艺中从来没使用过的新材料，将 DRAM 操作的关键要素静电容量（Capacitance）最大化。此外，还引进了新的设计技术，提高了动作稳定性。

据悉，SK 海力士第三代 10 纳米级 DDR4 DRAM 计划年内完成批量生产，从明年开始正式供应。

接下来，SK 海力士计划将第三代 10 纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域，包括下一代移动 DRAM LPDDR5 和最高端 DRAM HBM3 等。

最后，SK hynix 计划将 1Znm 工艺扩展到各种应用，如下一代 LPDDR5 移动 DRAM、以及更快的 HBM3 显存上。