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编译来源：semianalysis
1952年至今，闪存的“日记本”。
1952
- 麻省理工学院的Dudley Buck利用铁电晶体创造了第一个半导体非挥发性存储器。
1955
- 贝尔实验室的Merz和Anderson创造了单片256位FRAM铁电非易失性存储器，这是第一个单片存储器芯片。
1961
- 飞兆公司的C.T. "Tom" Sah设想在MOS四极管的栅极上使用电荷存储的浮动栅NVM。
1965
- Dov Frohman-Bentchkowsky撰写伯克利大学博士论文《MNOS结构中的电荷传输和捕获及其存储器应用》，并建立了一个9位的原型。
1966
- 西屋公司的Edgar A. Sack、Ting L. Chu等人使用金属氮化物-硅（MNOS）结构作为电荷捕获元件。
1967
- Dawon Kahng和Simon Sze在贝尔实验室发明了非易失性存储器浮动门；这篇文章以 "浮动门及其在存储器设备中的应用"（贝尔系统技术杂志）发表。
- 西屋公司的John R. Szedon和Ting L. Chu在IEEE固态设备研究会议上提出使用电荷陷阱作为非易失性存储器位的建议。
1968
- Stanford R. Ovshinsky宣布了Ovonic内存开关，这是英特尔和美光在2015年宣布的3D XPoint内存的基础，后来英特尔将其产品化为Optane。
1970
- Dov Frohman-Bentchkowsky在英特尔公司发明了可擦除可编程只读存储器（EPROM）；这在1971年IEEE固态设备研究会议（ISSCC）上发表，并在1971年4月以 "浮动门雪崩注入MOS（FAMOS）结构中的存储器行为 "发表。
- 在与斯坦福大学R.Ovshinsky合作之后，英特尔的Gordon Moore为《电子杂志》撰写了一篇关于相变存储器的首次演示的文章，这是英特尔和美光在2015年宣布的3D XPoint所使用的NVM技术，并由英特尔作为Optane进行生产。
1972
- 东芝公司的Iizuka和Masuoka等人在国际固态设备和材料会议上介绍了第一个具有浮动门电擦除功能的双层多晶硅存储器，即叠层门雪崩注入型MOS（SAMOS）存储器。
1974
- 通用仪器公司出货的EAROM是第一个商业EEPROM。
1975
- 日立公司为NAND型MROM申请专利。
- 伊士曼柯达公司发明的便携式数码相机，在磁带上存储数字图像。
1976
- 当时休斯微电子公司的Eli Harari为第一个实用的浮动门EEPROM申请专利，该EEPROM使用薄二氧化硅和Fowler-Nordheim隧道进行编程和擦除。
1977
- Eli Harari，发表了 "热硅氧烷高应力薄膜中的电子传导和捕获"。
- 飞兆半导体的P.C.Y Chen在IEEE Transactions on Electron Devices上介绍了SONOS电荷陷阱NVM单元。
- 德州仪器公司的Gerald Rogers获得专利，其掩膜ROM被配置为NAND阵列以减少芯片面积和成本。
1978
- Eli Harari发表了 "Dielectric Breakdown in Electrically Stressed Thin Films of Thermal SiO2"。
- 休斯微电子公司在IEEE ISSCC上推出第一个采用Fowler Nordheim浮动门EEPROM的CMOS NOVRAM 256位芯片（非挥发性SRAM）。
- 乔治-佩雷戈斯设计的Intel 2816在1980年推出，成为第一个商业上成功的EEPROM。
1979
- 美国电气和电子工程师协会（IEEE）《固态电路》杂志发表了德州仪器公司Guterman、Rinawi、Chieu、Holvorson和McElroy的论文，题为 "使用浮动门结构的电可改变的非Volatiles存储单元"。
1980
- 休斯微电子公司推出3108，第一个采用福勒诺德海姆隧道技术的CMOS EEPROM 8Kb芯片
- 英特尔在IEEE ISSCC上推出了2816，这是一款16Kb的HMOS EEPROM，采用了Fowler-Nordheim隧道的FLOTX（浮动门隧道氧化物）结构。
- 富士通为日立1975年MROM的改进申请专利
1981
- 英国科学家和发明家凯恩-克雷默设计了第一个基于磁泡记忆芯片的数字音频播放器（IXI）。
1982
- SEEQ技术公司推出了第一款5213，第一款带有片上电荷泵的EEPROM，用于系统内的写入和擦除，这是所有闪存器件中使用的一项发明。
- Ramtron推出首款商用FRAM非易失性存储器。
1983
- 英特尔推出了2817A 16Kb EEPROM。
1984
- 东芝的Fujio Masuoka在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议（IEDM）上发表了第一篇描述闪存EEPROM的论文。
- 英特尔开始开发闪存工艺。
- 乔治-佩雷戈斯创立了ATMEL（内存和逻辑的先进技术）。
1985
- Exel公司为第一个NOR FLASH单元申请专利
- NEC的北村申请首个MLC（多级单元）EPROM专利
1986
- 英特尔成立专注于固态硬盘的部门。
- RCA的R. Stewart在IEEE VLSI研讨会上发表了第一篇关于NAND配置的UV-EPROM的论文。
1987
- 闪存芯片年收入达到160万美元。
- 东芝的Fujio Masuoka发表了IEEE IEDM关于NAND闪存的论文。
- 英特尔推出了NOR闪存芯片。
1988
- 闪存芯片年收入达到640万美元。
- Sundisk（闪迪）由Eli Harari创立，开发新的 "系统闪存 "架构，将嵌入式控制器、固件和闪存结合起来，模拟磁盘存储，并申请第一个MLC（多级单元）闪存专利。
- 英特尔的第一个闪存样品为1Mb NOR芯片。英特尔的设计团队Richard Pashlet, Stefan Lai, Bruce McCormic和Niles Kynett。
- 英特尔和Psion设计基于闪存的移动PC。
- 第一台基于闪光灯的数码相机，富士DS-1P，展示。
- 使用150毫米的晶圆。
1989
- 闪存芯片年收入达到25600000美元。
- SunDisk（闪迪）为 "系统闪存 "申请专利，描述了片上单元管理。
- M-Systems由Dov Moran和Aryeh Mergi创立，并引入了闪存盘概念（闪存SSD的前身）。
- 英特尔提供512Kb和1Mb的NOR闪存。
- 推出基于闪存的Psion PC。
- 微软在与英特尔的共同努力下推出了Flash文件系统。
- DigiPro在Comdex上推出8MB NOR闪存盘。
- 西部数据和SunDisk率先推出基于NOR的SSD，完全模拟ATA硬盘。
- PC存储卡国际协会（PCMCIA）成立。
- Silicon Storage Technology（SST）公司成立，生产与CMOS逻辑工艺兼容的NOR超级闪存。
1990
- 闪存芯片年收入达到100000000美元。
- 索尼推出了使用闪存电子阅读器。
- 展示的柯达基于闪光灯的相机原型。
- PCMCIA为ATA PC卡的形式因素和引脚设置了标准，使用SunDisk的 "系统闪存 "规范以实现对硬盘的完全兼容。
- 英特尔1MB和4MB线性闪存PCMCIA卡问世。
- 英特尔推出2Mb NOR芯片。
- SunDisk公司推出2Mb NOR芯片。
- SunDisk推出首款NOR闪存固态硬盘：20MB 2.5"，完全兼容conner外围的2.5 "ATA硬盘。
- 东芝验证了NAND闪存芯片的运行，并开始4Mb和16Mb NAND闪存芯片的开发。
1991
- 闪存芯片年收入达到170000000美元。
- 柯达推出DCS-100，它的第一台DCS，售价13000美元。
- Zenith、Poqet和HP公司在春季Comdex上展示的使用闪存卡的掌上电脑。
1992
- 闪存芯片年收入达到295000000美元。
- 东芝出货首批大规模生产的NAND闪存芯片（4Mb）。
- 信息存储设备公司推出了基于闪存的语音记录器芯片。
- AMD推出了其第一个NOR产品。
- 富士通推出其第一个NOR产品。
- M-Systems推出了TrueFSS，第一个闪存卡FTL；后来被PCMCIA采用。
- 英特尔推出第二代FFS2。
- 英特尔推出了8Mb NOR闪存芯片和4MB-20MB的线性闪存卡。
- 英特尔推出了1Mb的 "引导块 "NOR闪存，其中有用于BIOS应用的扇区--首次使用内部写状态机来管理闪存写入算法。
- SunDisk推出首个用于SSD应用的串行9Mb NOR闪存芯片。
- PC开始使用闪存进行BIOS存储
- 联合摄影专家组发布了JPEG标准，使数码相机能够使用闪存等媒介存储压缩的照片。
1993
- 闪存芯片的年收入达到505000000美元。
- 东芝出货的16Mb NAND闪存芯片，通过第一批PCMCIA卡实现了便携式存储。
- Datalight公司推出了 "Card Trick "闪存管理软件。
- 苹果公司推出了基于NOR闪存的Newton PDA。
- 英特尔推出16Mb和32Mb NOR闪存。
- 英特尔和Conner Peripherals公司推出联合开发的5MB/10MB ATA闪存盘驱动器。
- AMD推出使用负栅极擦除的纯5伏NOR。
1994
- 闪存芯片年收入达到864805000美元。
- SunDisk公司推出了CompactFlash卡。
- 诺里斯通信公司推出了Flashback，这是第一个带有闪存的便携式数字语音记录仪。
- 公布了0.5微米的工艺。
- SunDisk推出用于SSD应用的18Mb串行NOR闪存芯片。
- M-Systems公司推出了基于NOR的片上磁盘。
1995
- 闪存芯片年收入达到1860089000美元。
- 闪存（NOR和NAND）收入超过10亿美元。
- 卡西欧推出QV-11数码相机，使用闪光灯而不是胶片或软盘。
- 三菱公司推出了DiNOR。
- SunDisk更名为SanDisk。
- 紧凑型闪存协会（CFA）成立。
1996
- 闪存芯片年收入达到2610603000美元。
- 东芝推出SmartMedia存储卡（也叫固态软盘卡）。
- 三星开始运送NAND闪存。
- 柯达DC-25是第一台带有CompactFlash卡的DSC。
- Datalight推出了 "FlashFX "闪存管理软件，该软件在单个驱动器中支持NOR和NAND。
- 闪迪公司在紧凑型闪存（CF）卡中推出了世界上第一个MLC（2比特/单元）闪存芯片（80Mb）。
- Palm推出了基于闪存的PDA。
- 公布了0.35微米的工艺。
- Lexar Media从Cirrus Logic分拆出来。
- USB协会（USBA）成立。
1997
- 闪存芯片年收入达到2801678000美元。
- 5亿个闪存芯片出货。
- SaeHan信息系统公司推出了基于闪存的MPMan MP3播放器。
- Sandisk和西门子推出多媒体卡（MMC和MMCplus）。
- 索尼推出了记忆棒。
- 第一批手机出货时带有闪存。
- M-Systems推出了基于NAND的片上磁盘。
- 200毫米晶圆开始生产。
- 闪迪公司开始在其CompactFlash（CF）卡中使用256Mb MLC闪存芯片
- 英特尔推出2位/单元64Mb MLC StrataFlash芯片。
- 闪迪公司和西门子推出的多媒体卡（MMC）。
- 闪迪公司开始从NOR闪存过渡到NAND闪存。
1998
- 闪存芯片年收入达到2492552000美元。
- NOR的收入超过20亿美元。
- 250纳米工艺公布。
- SaeHan信息系统公司和被许可人Eiger公司推出了第一款大规模生产的32MB的MP3播放器（MPMan）。
- Diamond Rio推出PMP300 MP3播放器。
- 多媒体卡协会由14家公司成立。
- 苹果公司推出的iMac没有软盘但有USB，鼓励基于USB的外部存储。
- USB实施论坛首次发布了USB大容量存储类规范（1999年定稿），以规范USB存储。
1999
- 闪存芯片年收入达到4560493000美元。
- NOR的收入超过40亿美元。
- 超过10亿的闪存芯片出货。
- 东芝和闪迪创建闪存制造合资企业。
- 美光公司宣布推出NOR产品。
- Hagiwara Sys-Com公司开始出货FlashGate，一种USB智能媒体闪存卡驱动器。
- Dov Moran是M-Systems公司申请的USB闪存驱动器专利的共同发明人。
- Lexar Media推出CompactFlash转USB的JumpSHOT。
- 松下（Matsushita）、SanDisk和东芝推出SD存储卡。
2000
- 闪存芯片年收入达到10637231000美元。
- M-Systems（与IBM合作）和Trek Technology推出USB闪存驱动器。
- 英特尔交付其第10亿个闪存单元。
- 宣布160纳米工艺节点。
- 松下、Sandisk和东芝成立了SD协会，以规范和推广安全数字存储卡（SD卡）。
- 基于SLC NAND的SD卡以8MB到64MB的容量推出。
2001
- 闪存芯片年收入达到7594502万美元。
- NAND的收入超过10亿美元。
- 东芝和SanDisk宣布了1Gb MLC NAND。
- 闪迪公司推出首款NAND "系统闪存 "产品。
- 日立推出AG-AND。
- 三星开始大规模生产512Mb闪存设备。
- Saifun开发了带有电荷陷阱的NROM闪存器件，这是Spansion的MirrorBit的基础。
2002
- 闪存芯片年收入达到7766797000美元。
- 奥林巴斯和富士胶片推出xD-Picture卡。
- 由MMCA（多媒体卡协会）推出的MMCmobile卡。
- 索尼和闪迪联合推出Memory Stick PRO和半尺寸Memory Stick PRO Duo卡。
- M-Systems推出了移动芯片磁盘，这是第一个芯片中的固态硬盘；它被诺基亚、摩托罗拉和爱立信的手机所采用。
- AMD推出MirrorBit，使用基于热电子注入的电荷陷阱闪存。
- 赛普拉斯推出可编程片上系统（PSoC），首次采用基于量子力学隧道的电荷陷阱闪存的嵌入式SONOS。
- 宣布采用130纳米工艺。
2003
- 闪存芯片年收入达到11739282000美元。
- NAND的收入超过50亿美元。
- 闪迪公司推出迷你SD卡。
- 索尼和闪迪联合推出Memory Stick PRO Micro。
- Spansion从AMD和富士通中剥离出来。
- 三星在IEEE IEDM上介绍了TaNOS结构，这项技术后来被用于3D NAND。
2004
- 闪存芯片年收入达到15610575000美元。
- NAND价格下降到DRAM价格以下。
- SanDisk和M-Systems推出的U3软件系统用于USB闪存驱动器。
- 闪迪和摩托罗拉推出TransFlash卡，即现在的microSD卡。
- Datalight推出了多线程的 "FlashFX Pro "管理软件，以支持多媒体NAND设备。
- Spansion宣布MirrorBit Quad 4-bit NOR。
- 90纳米工艺公布。
- 海力士和意法半导体成立闪存合资企业。
- 海力士NAND产品问世。
- 英飞凌推出基于Saifun Charge Trap闪存的NAND产品。
- 松下和三洋推出首款基于闪存的摄像机。
- 闪迪公司推出闪存Sansa MP3播放器。
- 飞思卡尔公司（后来的Everspin公司）推出第一个商用MRAM非易失性存储器。
- 惠普公司的Pankaj Megra和Sam Fineberg在IEEE计算机协会的第18届IPDPS上发表了持久性内存论文。
2005
- 闪存芯片年收入达到18568940000美元。
- NAND GB的出货量超过了DRAM的出货量。
- 苹果公司推出了首批两款基于闪存的iPod，即iPod shuffle和iPod nano。
- 微软推出混合硬盘驱动器概念。
- 由MMCA推出的MMCmicro卡。
- 宣布采用70纳米工艺。
- 美光公司推出NAND产品。
- 闪存芯片的出货量超过30亿。
- NAND的收入超过100亿美元。
2006
- 闪存芯片年收入达到20076313000美元。
- 首届闪存峰会在圣何塞举行。
- 英特尔推出了罗布森缓存内存（现在称为涡轮内存）。
- 微软推出了ReadyBoost。
- 闪迪公司宣布推出3位TLC NAND技术。
- M-Systems宣布推出4位QLC技术。
- 闪迪公司宣布推出microSDHC卡。
- 闪迪公司收购了Matrix半导体公司。
- 闪迪收购了M-Systems公司。
- 三星和希捷展示首款混合型硬盘驱动器。
- 由英特尔和美光组建的IMFT负责生产NAND闪存。
- STEC收购了Gnutech。
- Spansion推出ORNAND闪存。
- 宣布采用56纳米工艺。
- 300毫米晶圆开始生产。
- 美光公司收购Lexar媒体。
- 开放式NAND闪存接口（ONFi）V1.0规格发布。
- Numonyx和三星推出相变NVM
2007
- 闪存芯片年收入达到22182405000美元。
- NAND的收入超过145亿美元。
- 非易失性存储器主机控制器接口（NVMHCI）工作组成立，英特尔的Amber Huffman担任主席。
- 东芝推出eMMC NAND。
- IMFT开始出货50纳米NAND闪存。
- 东芝推出首款基于MLC SATA的固态硬盘。
- 苹果公司推出了iPhone。
- Fusion-io宣布推出640GB ioDrive MLC NAND-based PCIe X4板。
- BiTMICRO推出容量为1.6TB的3.5英寸SSD（用于军事应用）。
- Spansion收购了Saifun。
- 推出的几款笔记本MLC固态硬盘，存储量高达128GB。
- 戴尔为笔记本电脑型号引入了固态硬盘选项。
- 200美元以下的上网本电脑推出了闪存存储功能。
- 微软推出了基于闪存的Zune播放器。
- 希捷公司宣布成立混合存储联盟。
- 希捷推出首款混合型HHD，Momentus PSD。
- MMCA/JEDEC e.MMC规格发布
- 东芝在IEEE VLSI研讨会上展示3D闪存BiCS存储器。
2008
- 闪存芯片年收入达到18435970000美元。
- 英特尔发布的NVMHCI 1.0规范。
- 闪迪推出ABL，实现高速MLC、TLC和X4 NAND。
- 英特尔和美光宣布的34纳米工艺。
- 东芝推出首款基于MLC的512GB SATA固态硬盘。
- 英特尔和意法半导体拆分Numonyx。
- IBM展示了首个 "百万IOPS "阵列。
- EMC宣布将基于闪存的SSD用于企业SAN应用。
- 苹果推出基于SSD的MacBook Air，没有HDD选项。
- 美光、三星和Sun Microsystems宣布推出高耐久性闪存。
- Violin Memory推出首个完全基于闪存的存储设备。
- 三星宣布推出150GB 2.5 "MLC固态硬盘，采用SATA II接口。
- 一些公司宣布为笔记本应用提供高达256GB的MLC闪存固态硬盘。
- 美光公司推出首款串行NAND闪存。
- 苹果在3天内卖出100万部基于闪存的iPhone。
- MMCA并入JEDEC。
- SNIA固态存储倡议（SSSI）成立。
- HGST发布首款采用SAS接口的固态硬盘。
2009
- 闪存芯片年收入达到19302693000美元。
- 英特尔和美光推出34纳米TLC NAND。
- 三星推出首款配备64GB SSD的全高清摄像机。
- 希捷进入SSD市场。
- SandForce推出首个基于压缩的SSD控制器。
- Virident和Schooner推出首个基于闪存的数据中心应用设备。
- Pillar Data将Axiom SAN转换为SSD。
- Pliant推出首款SAS固态硬盘。
- 闪迪和东芝在IEEE ISSCC上展示4位/单元的闪存。
- WD收购SiliconSystems并进入SSD业务。
- NVELO推出首个PC闪存缓存软件 "Dataplex"。
- 闪迪推出100年闪存库。
- AgigA推出NAND支持的DIMM。
2010
- 闪存芯片的年收入达到26734247000美元。
- 东芝推出基于16芯片堆栈的128GB SD卡。
- 英特尔、美光推出25纳米TLC和MLC NAND。
- Numonyx被Micron收购。
- Microchip收购SST。
- 三星电子开始生产64Gb的3位NAND。
- 三星电子推出利用切换模式DDR NAND内存的高速512GB SSD。
- 希捷发布首款自我管理的混合硬盘Momentus XT，配备4GB NAND闪存和500GB硬盘存储。
- 通用闪存协会（UFSA）成立。
- JEDEC发布了两项固态硬盘的规格。"SSD要求和耐久性测试方法 "和 "SSD耐久性工作负载"。
2011
- 闪存芯片年收入达到28123615000美元。
- LSI收购了SandForce。
- 闪迪收购了Pliant。
- IMFT推出20纳米NAND闪存。
- 英特尔宣布为PC提供智能响应SSD缓存。
- 希捷发布第二代Momentus XT混合硬盘，配备8GB NAND闪存和750GB硬盘存储。
- 苹果公司收购了信号处理控制器公司Anobit。
- Fusion-io收购了虚拟化感知的闪存缓存软件公司IO Turbine。
- NVMHCI更名为 "NVM Express"（NVMe），NVM Express工作组成立；NVMe Rev.1.0出版。
- JEDEC发布首个通用闪存（UFS）规范。
- SNIA发布了两个固态存储性能规范。企业和客户。
- JEDEC发布了串行闪存可发现参数（SFDP）规范。
- 英特尔1988年的NOR闪存设计团队Richard Pashley、Stefan Lai、Bruce McCormick和Niles Kynett获得第一个FMS终身成就奖。
2012
- 闪存芯片年收入达到28213759000美元。
- 闪迪和东芝在IEEE ISSCC上宣布采用19纳米工艺生产128Gb芯片。
- 超极本开始配备智能响应技术（SRT）的SSD缓存。
- 旺宏和华邦进入NAND业务。
- 希捷公司推出了混合硬盘（HDD），将闪存与HDD配对。
- 尔必达推出ReRAM。
- 美光和英特尔推出20纳米的128Gb NAND芯片，使用hi-k平面单元。
- SK hynix是在SK电信收购海力士半导体的控股权后成立的。
- MOSAID对333GB/s的HL-NAND进行了采样。
- Adesto收购了ATMEL的串行NOR业务。
- Spansion推出8Gb NOR芯片。
- DensBits Technologies公司推出了内存调制器。
- Proximal Data引入了AutoCache。
- 闪迪收购了FlashSoft。
- EMC收购了XtremIO。
- OCZ收购了Sanrad公司。
- 三星收购了NVELO。
- 英特尔收购了Nevex并推出了CacheWorks。
- LSI推出了带有MegaRAID CacheCade缓存软件的Nytro闪存。
- 美光公司推出2.5英寸PCIe企业级固态硬盘。
- IBM收购了Texas Memory Systems。
- 赛普拉斯半导体公司收购了Ramtron公司。
- 西部数据收购了HGST。
- Skyera推出44TB闪存阵列。
- JEDEC和ONFi引入了切换模式。
- 闪迪公司创始人Eli Harari获得FMS终身成就奖
2013
- 闪存芯片年收入达到29797262000美元。
- 三星在FMS上宣布推出24层3D V-NAND，并在1TB的SSD中进行演示。
- 11家公司参加了首届NVMe Plugfest。
- Diablo Technologies宣布推出内存通道存储技术。
- SMART存储系统公司将Diablo Technologies的设计纳入ULLtraDIMM。
- SNIA NVDIMM SIG成立；许多基于闪存的NVDIMM产品推出。
- 西部数据和闪迪推出了使用iSSD与硬盘驱动器相结合的SSHD。
- 东芝推出固态硬盘系列。
- Everspin Technologies宣布STT MRAM的出货量。
- 美光和其他公司对16纳米闪存进行采样。
- 闪迪发布CFast 2.0专业视频存储卡。
- M.2 PCIe接口正式确定。
- 西部数据收购了sTec、Virident、Velobit。
- 闪迪公司收购SMART存储系统。
- NVMdurance推出了延长闪存耐用性的软件。
- 美光收购了尔必达。
- 英特尔推出了英特尔缓存加速软件。
- 东芝的第一批UFS设备采样为8GB。
- 松下在MCU中推出首个商用嵌入式ReRAM。
- 阿德斯托推出Mavriq CBRAM：第一个商业独立的ReRAM。
- SNIA发布了NVM编程模型V1.0。
- 原东芝公司的Fujio Masuoka获得FMS终身成就奖
2014
- 闪存芯片年收入达到30236484000美元。
- 三星、闪迪和东芝宣布建立3D NAND生产设施。
- 闪迪推出4TB企业级固态硬盘。
- 闪迪宣布推出128GB microSD卡，在设备十周年之际将容量增加1000倍。
- IBM宣布eXFlash DIMMs使用SanDisk ULLtraDIMM的Diablo内存通道存储技术的实现。
- 三星推出具有32层的第二代3D V-NAND。
- Spansion推出具有333 MB/s HyperBus的HyperFlash NOR。
- 东芝收购了OCZ。
- Everspin推出ST-MRAM并加大生产力度。
- 三星推出3位/单元的3D NAND固态硬盘。
- 阿德斯托运送第100万个CBRAM。
- SK hynix收购了Violin Memory的PCIe SSD业务。
- 希捷收购LSI/Avago存储业务。
- 闪迪收购了Fusion-io。
- HGST收购了Skyera。
- 三星收购了Proximal Data。
- 前贝尔实验室的Simon Sze获得FMS终身成就奖
2015
- 闪存芯片年收入达到31053183000美元。
- 闪迪公司推出InfiniFlash存储系统。
- 赛普拉斯半导体公司收购了Spansion公司。
- 东芝、三星和闪迪宣布推出48层的3D NAND。
- 英特尔和美光宣布推出256Gb 3D NAND。
- 三星推出首款NVMe m.2固态硬盘。
- 闪迪推出200GB microSDXC UHS-1卡。
- 赛普拉斯推出了4MB的串行FRAM。
- 英特尔和美光宣布3D XPoint内存。
- 英特尔宣布推出基于3D XPoint的 "Optane "DIMMs和SSDs。
- 美光公司推出带有CMOS下3D NAND阵列（CUA）的设备。
- 闪迪推出200GB microSD卡。
- Mellanox和合作伙伴展示了预标准的NVMe over Fabrics（NVMe-oF）。
- 纯粹存储有IPO。
- JEDEC发布首个DDR4 NVDIMM-N持久性内存模块规范。
- Linux内核中增加了对LightNVM和OpenChannel SSD的支持。
- 闪存峰会十周年 鲍勃-诺曼，前SanDisk和Micron的员工，获得FMS终身成就奖。
2016
- 闪存芯片年收入达到33423128000美元。
- 所有主要的供应商都有3D NAND产品。
- XMC在中国拥有的第一个NAND闪存实验室破土动工。
- 美光公司推出768Gb 3D NAND。
- 西部数据收购了闪迪公司。
- Everspin宣布推出256Mb MRAM芯片。
- IBM将TLC适应于PCM。
- 三星推出48层3D NAND。
- NVMe-oF（NVM Express over Fabrics）Rev.1.0发布。
- 至少有12家供应商展示的NVMe-oF产品。
- 东芝在16片堆栈式NAND中引入了硅通孔（TSV）。
- Spin Transfer Technologies公司提供功能齐全的ST-MRAM样品。
- 美光公司推出Xccela联盟。
- 东芝推出业界首款NVMe BGA "芯片上的SSD"。
- 西部数据展示了世界上第一个1TB SDXC卡的原型。
- Adesto推出基于CBRAM的Moneta系列ReRAM。
- SFF委员会成为SNIA SFF技术联盟。
- 三星公司系统LSI/半导体业务总裁Kinam Kim获得FMS终身成就奖
2017
- 闪存芯片年收入达到497.27亿美元。
- 闪存市场超过了整个1990年半导体市场的规模。
- 微芯科技发布了其第75亿个基于SST的超级闪存器件。
- SK hynix宣布推出72层3D NAND。
- 东芝将所有新的SSD迁移到64层BiCS FLASH TLC。
- 英特尔推出Optane（3D XPoint）固态硬盘。
- 英特尔的 "统治者标准 "捐赠给企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF）工作组。
- HPE收购了Nimble Storage和Simplivity。
- 美光公司推出首款串叠式3D NAND。
- 三星和东芝/WD宣布96层3D NAND。
- NGD系统推出NVMe 24TB计算存储设备（CSD）。
- Everspin的1Gb STT MRAM芯片样品。
- Global Foundries推出嵌入式eMRAM。
- WD在64层3D NAND上开发TLC。
- JEDEC和SNIA为NVDIMM-N标准赢得FMS奖。
- ScaleFlux是第一个部署符合生产条件的计算存储的公司。
- Eli Harari（2012年和2022年FMS终身成就奖获得者）入选国家发明家名人堂。
- 曾在英特尔、SEEQ和ATMEL工作的George Perlegos获得FMS终身成就奖。
2018
- 闪存芯片年收入达到562.27亿美元。
- 赛普拉斯推出16Mb FRAMs。
- 东芝完成了180亿美元的内存业务出售。
- 三星推出高速Z-SSD。
- 美光推出使用QLC和1Tb 3D NAND芯片的企业级SSD。
- Hyperstone推出具有AI和机器学习功能的闪存控制器。
- 英特尔样品Optane（3D XPoint）直流持久性存储器。
- 中国的 "大基金 "第二阶段的目标是超过300亿美元的半导体投资。
- NVMe/TCP Transport Binding规范由NVMe工作组批准。
- SNIA成立了计算存储技术工作小组（TWG）。
- Gyrfalcon科技公司推出AI加速器，首次使用台积电的eMRAM。
- SNIA发布了固态存储和真实世界存储工作负载的性能规格。
- M-Systems的联合创始人Dov Moran和Aryeh Mergi获得FMS终身成就奖。
2019
- 闪存芯片年收入达到41141000000美元。
- 所有主要供应商都出货或提供96层NAND样品；SK海力士、三星和美光提供128层NAND样品。
- 所有领先的代工厂都生产嵌入式MRAM（eMRAM）。
- Lightbits实验室推出首个商用NVMe/TCP软件定义的分解存储。
- YMTC提供32层 "Xtacking "NAND的样品。
- 英特尔推出Optane（3D XPoint）DIMMs。
- 美光公司推出业界首款QLC企业级固态硬盘。
- 英特尔的固态硬盘同时配备了Optane（3D XPoint）和QLC NAND。
- 开放通道SSD开始向NVMe分区命名空间（ZNS）过渡 。
- 引入Computer Express Link (CXL)，并发布Spec V1.1。
- NGD系统公司推出了业界首个基于ASIC的可扩展计算存储NVMe SSD。
- Eideticom推出首款基于NVM的计算存储处理器。
- SNIA发布密钥值存储API V1.0，并获得FMS奖。
- 东芝内存成为KIOXIA。
- Phison和AMD推出首个PCIe 4.0 x4 NVMe SSD和主板解决方案。
- IBM的Calline Sanchez获得FMS的 "闪光女性 "奖。
- 美光公司的Sanjay Mehrotra，以及英特尔、SEEQ、IDT、ATMEL、SanDisk和WD的前任，获得了FMS终身成就奖。
2020
- 闪存芯片年收入达到507.14亿美元。
- WDC将112层BiCS 3D NAND作为512 Gbit TLC部件发货。
- KIOXIA推出首款密度为512GB的汽车UFS。
- Lightbits Labs推出首个集群、冗余、扩展的NVMe/TCP软件解决方案。
- 英飞凌收购赛普拉斯半导体。
- KIOXIA收购了LiteOn。
- NVMe ZNS命令集规范V1.0发布。
- NVMe计算存储任务组成立。
- 开放计算项目（OCP）发布了NVMe云计算SSD规范V1.0：第一个云计算SSD要求规范。
- JEDEC发布了DDR5 SDRAM标准和通用闪存（UFS）卡扩展3.0标准。
- JEDEC发布首个DDR4 NVDIMM-P持久性内存模块规范。
- SNIA发布了Native NVMe-oF和Cloud Data Mgmnt的规范。接口(CDMI)。
- KIXOIA推出首款PCIe 4.0企业级NVMe SSD。
- Dialog半导体公司收购了Adesto技术公司。
- DNA数据存储联盟启动。
- WekaIO的Barbara Murphy获得了FMS的 "超级女性闪光奖"。
- 原西屋公司的John R. Szedon获得FMS终身成就奖。
2021
- 闪存芯片年收入达到604.81亿美元。
- NOR的收入超过36亿美元。
- Kioxia和WDC宣布了162层的3D NAND。
- 三星宣布首个基于DDR5的CXL上运行的DRAM内存。
- JEDEC发布了XFM（交叉型闪存）嵌入式和可移动存储设备标准。
- SK海力士开始收购英特尔的NAND和SSD业务，将被打造成Solidigm品牌。
- Nvidia推出了GPUDirect Storage（GDS），提供了一个直接的NVM到GPU的数据路径。
- 侨兴和三星宣布了PCIe 5.0 x4企业级NVMe SSD。
- 瑞萨公司收购了Dialog半导体公司。
- NVMe 2.0标准作为一套9个规格发布：基础、3个cmd.集、4个传输和管理I/F。
- SK海力士开始大规模生产176层的 "4D "NAND。
2022
- 闪存芯片年收入达到725.77亿美元。
- NAND闪存诞生35周年。
- 英特尔结束了他们的Optane努力。
- PCI-SIG发布PCIe 6.0规范。
- 通用芯片互连快递（UCIe）1.0规格发布，实现芯片间互连的标准化
- JEDEC发布了高带宽内存（HBM）DRAM标准的HBM3更新。
- 美光推出首款176层QLC 3D NAND，并宣布推出232层TLC 3D NAND。
- SK Hynix宣布推出238层TLC 3D NAND。
- YMTC宣布推出超过200层的TLD 3D NAND。
- Lightbits Labs推出首个集群式NVMe/TCP软件定义的公共云存储解决方案。
- 西部数据公司的李艳获得了FM超级女性闪存奖。
- 北村吉重（原NEC）、Sandisk创始人Eli Harari和Greg Atwood（原Inte、Numonyx和Micron）获得FMS终身成就奖
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