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抛光垫

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  • 氧化铈，氧化铝，氧化硅，抛光垫的填料怎么选？
    抛光垫内加入不同种类的无机粉体，如氧化铈、氧化铝、氧化硅等，其种类、粒径、形貌、添加量及与聚氨酯基体的结合方式共同决定抛光垫的性能。抛光液中的粉体主要用于磨粒作用，而抛光垫中的填料则改变力学和摩擦学性能，并参与界面接触和材料去除。氧化铈适合精细抛光，氧化铝具有强机械切削能力，氧化硅则温和且低缺陷。抛光垫开发需综合考虑填料、聚氨酯基体和孔结构，达到去除率、粗糙度、划伤、平坦度、寿命和稳定性之间的平衡。
    163
    2小时前
    抛光垫
  • CMP抛光垫为什么要开槽？
    抛光垫开槽的主要目的是为了导液排屑和保留抛光液，从而提高CMP工艺的效率和均匀性。不同槽型的设计是为了适应不同的CMP工艺需求，影响抛光液的流动路径、停留时间及分布状态，进而改善晶圆表面的抛光效果和去除率。
    210
    08/13 08:26
    CMP 抛光垫
  • CMP抛光垫里的微孔是怎么来的？
    抛光垫微孔制作方法概述：发泡法：通过物理或化学方式在聚氨酯材料中形成气泡，固化后形成微孔。适用于低端行业。微球法：添加带有膨胀物质的微球，在聚氨酯固化后形成孔洞。孔径可控且均匀，适合半导体抛光。相转化法：利用溶剂和非溶剂的交换使聚氨酯发生相分离，冷冻后形成大量微孔。能产生细小微孔，适合无纺布和阻尼布抛光垫。
    348
    08/12 14:03
    CMP 抛光垫
  • CMP抛光垫：半导体与聚氨酯的第一次亲密接触
    在半导体行业，有些东西很“显眼”——比如光刻机、EUV光源、晶圆；它们常常是新闻头条的主角。可你要真走进芯片工厂，会发现有那么一些“幕后小角色”，不张扬，却无处不在。今天我们聊的，就是这样一个角色——CMP抛光垫（Chemical Mechanical Polishing Pad）。 CMP抛光垫是什么？ CMP，全称化学机械抛光，是芯片制造中非常重要的一道工艺。顾名思义，就是一边靠化学反应软化材
    2119
    2025/09/09
    CMP 芯片工艺
    CMP抛光垫：半导体与聚氨酯的第一次亲密接触
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