RRAM

• 亿铸科技荣获2023硬科技新锐之星
  2023年，新突破、新商业、新经济成为了科技发展的关键词。这一年，科技领域充满着活力和创新，存算一体等底层技术不断突破，大模型和AI相关技术的突破更是引发了前所未有的广泛关注，AIGC不断开拓着新的边界；投资机构的活跃，资本的涌入，让科技领域的探索更上一层楼。初创企业在这一年大放异彩，为全球经济注入着新的活力。

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  2023/12/25

  数字化技术 RRAM
• 亿铸科技荣获硬核中国芯2023年度卓越成长表现企业奖
  

  昨日，由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷主办的第五届硬核芯生态大会圆满落幕，会上揭晓了2023年度硬核中国芯评选大奖，亿铸科技荣获2023年度卓越成长表现企业奖。

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  2023/10/31

  AI芯片 RRAM
• 新型存储之我见(科普长文)
  也许2年内，不知道什么时候新型存储有可能成为下一个半导体板块的炒作热点题材，就像四年我预判碳化硅，氮化镓那些化合物半导体一样，我认为一定会有这样的机会存在，属于提前2年预判市场的预判。

  启哥有何妙计

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  2023/04/15

  NAND 存储技术
• 破解内存墙，除了“存算一体”还需要什么？
  20世纪初的物理学家不会想到，悬浮在物理学大厦上的两朵乌云会彻底颠覆整个物理学体系，冯·诺依曼在参与曼哈顿工程提出新架构时，也不会想到未来阻止芯片算力进步的竟然不是芯片本身。   冯·诺依曼结构的诞生与局限 1945年6月30日，美国正在秘密进行曼哈顿计划。冯·诺依曼作为该计划的重要参与者与领导者，与另外两位组内科学家发表了一篇长达101页的报告，这就是计算机史上著名的“101页报告”，

  刘浩然

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  2023/01/06

  与非观察 存算一体
• 【未来可测】系列之二： 忆阻器单元基础研究和性能研究测试方案
  忆阻器英文名为memristor, 用符号M表示，与电阻R，电容C，电感L构成四种基本无源电路器件，它是连接磁通量与电荷之间关系的纽带，其同时具备电阻和存储的性能，是一种新一代高速存储单元，通常称为阻变存储器（RRAM）。

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  2022/09/28

  泰克 PCM
• 看RRAM如何“智斗”NAND flash和DRAM
  你如果问当前内存市场是谁的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制着内存市场，当前都处于供不应求的状态。不过，在内存天下三分的大背景下，新一代存储技术3D X-point、MRAM、RRAM等开始发出声音， RRAM非易失性闪存技术是其中进展较快的一个。

  吴子鹏

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  2017/09/19

  dram NAND
• Crossbar：单芯片实现太字节存储，我们能做到
  物联网、云存储推动了数据的急剧增长，预计数据量每两年就会翻一番，到2020年会达到44TB。从超低功耗微控制器到大型数据中心的连接器件，存储器无处不在，相对于老式的磁盘存储器，闪存提供了更好的读写性能，采用闪存的固态硬盘发展势头加速，是由于它没有机械运动固件，尺寸更小且速度更快。为了满足市场需求，闪存制造商不得不通过缩小存储单元的尺寸，让

  咖啡不解困

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  2016/03/23

  闪存 RRAM

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