日本联合欧美，加速2nm量产计划

日本启动了2nm以下工艺制程半导体的量产。继决定与美国联合建设先进半导体研究中心后，日本还与欧洲最大半导体制造及设计中心——比利时微电子研究中心（IMEC）携手合作。与主导先进工艺的三星电子、台积电展开对决，试图重振日本半导体产业昔日雄风。

日本高端芯片合资公司Rapidus最近与IMEC交换了先进半导体技术研究开发（R&D）合作的合作备忘录（MOC），也得到了日本政府和比利时政府的批准。在东京举行的签字仪式结束后，Rapidus社长小池淳义表示：“（开发与制造）仅凭本国做不到，共同研究先进半导体技术对日本半导体产业而言有着非常大的意义。

Rapidus是丰田汽车、索尼、日本电信电话、日本电气、日本电装、软银、铠侠和三菱日联银行等8家主要大企业上个月共同出资成立的公司，是日本为了直接开发超级计算机等高性能计算（HPC）和人工智能（AI）用新一代半导体而成立。Rapidus计划2025年量产2nm芯片，2027年起量产2nm以下芯片。

Rapidus如果要在2015年量产2nm及以下芯片就需要引进ASML的High-NA EUV光刻机。韩国EUV最高权威、汉阳大学新材料工学部教授安镇浩表示：“High-NA EUV设备的价格为每台5000亿韩元，是现有EUV的2倍， 可将配置成本和流程效率分别提高50%和60%， 引入 必不可少，正式适用量产的时间将在2025年底至2026年。

但High-NA EUV还有很多课题需要解决。因为随着电路的微小化，即使是微小的缺陷也会大大减少良率，EUV光子的高能也会导致多种模式缺陷，所以Rapidus必须确保极紫外线（EUV）曝光工艺技术。这是与IMEC合作的原因。IMEC是确保EUV工程研发核心技术能力的机构，与世界上唯一提供EUV光刻机的ASML也进行了共同研究等，结下了不解之缘。这与三星电子和台积电等向IMEC派遣研究员、安排专门人力、持续合作关系的背景相同。

Rapidus与IMEC的合作得到日本和比利时政府的强力支援也备受关注，他们的合作预计将发展为国家合作。Rapidus今后为了引进EUV光刻机，很有可能正式与ASML合作。IMEC首席执行官吕克·范登霍夫 （Luc Van den hove)表示：“我们加强了与日本半导体研发生态系统的合作。我们计划在尖端曝光工程技术等核心工程和系统应用领域进行合作，Rapidus将支持量产2纳米半导体芯片。”

日本5月宣布，为夺回让给韩国和中国台湾的半导体生产主导权，将在国内建立新一代半导体生产据点，还与美国建立了合作体系，日本正在营造从研究开发（R&D）到量产的生态系统。Rapidus相当于日本“半导体崛起”的先锋，计划以量产2纳米以下半导体的方式体现日本半导体战略，日本政府也计划支援700亿日元。

Rapidus如果成功完成2纳米以下的工程，将迅速成为威胁韩国和中国台湾半导体企业的新竞争者。目前，三星电子在世界上首次成功量产了3纳米半导体。台积电也继4纳米量产之后，正在准备3纳米量产。

来源：IC TIME编译