蓝思与Intel携手推动 TGV玻璃基板量产进程

【本文涉及的相关企业】英特尔、蓝思科技、京东方、康宁、三星电机、SKC、Absolics、AGC、肖特、日本电气玻璃、3D Glass Solutions、沃格光电、云天半导体、华工科技、海目星、帝尔激光、德龙激光、大族激光、天承科技、江化微、力诺药包、戈碧迦、旗滨集团、凯盛科技、彩虹股份、东旭光电、美迪凯等。

一、携手推动 TGV 封装验证

2026 年 7 月 24 日，英特尔与蓝思科技宣布围绕玻璃基板封装探索合作。同日晚间，蓝思科技披露：其全资子公司蓝思国际（香港）有限公司与 Intel Corporation 签署合作备忘录，并将 TGV（玻璃通孔）先进封装列为重点讨论方向；英特尔将蓝思定位为“此领域有价值的潜在合作方”。

图：英特尔与蓝思科技 TGV 合作分工结构图；来源：公开资料

英特尔提供说明性架构信息、DFM 指南、基准测试与验证方法，蓝思科技承担玻璃基板穿孔成型、高精度激光加工、金属化通孔沉积与多层互连布线；双方以 TGV 玻璃基板先进封装联合验证为核心节点，并探索 AI PC、数据中心服务器与具身智能等应用方向。

表：英特尔与蓝思科技 TGV 合作分工对比表

上述图表表明，双方合作的关键不在于单一材料供给，而在于将封装架构、设计规则和验证方法，与玻璃穿孔、金属化及多层布线的制造能力连接为可迭代的联合验证路径。

英特尔首席执行官陈立武对此互补关系的表述相当直接：

“随着 AI 系统持续推动性能、规模和效率边界的突破，先进封装正成为半导体创新的关键驱动力。英特尔在半导体架构和先进封装技术领域积淀深厚，蓝思科技则在精密玻璃加工、激光制造和规模化生产方面具备世界一流能力。通过携手合作，我们有机会探索先进封装的新路径，为 AI 时代解锁下一代系统级创新的机遇。”

合作还将探索 AI PC 组件、数据中心服务器高可靠性结构及散热解决方案、AI 机器人、智能工业设备与边缘计算硬件等方向。对蓝思而言，真正值得跟踪的是其工艺能否经由英特尔的验证体系形成“认证外溢”——即在北美、韩国等其他客户的共同技术语言中提升可信度。

二、TGV 玻璃基板的量产潜力

有机核心基板在过去二十五年支撑了封装产业，但多芯粒、HBM、高功耗和大尺寸 AI 封装正在将其推向翘曲、尺寸稳定性、通孔密度与高频损耗的综合边界。玻璃并不是“更漂亮的基板”，而是通过更高平整度、可控热膨胀系数、低介电损耗与面板级适配性，尝试从材料底层改写这些约束。

下表汇总了三类主流封装载体的关键特性差异。

IDTechEx 在《Glass in Semiconductors 2026–2036》配套研究中将玻璃在半导体中的机会按封装、互连、射频和光子器件等场景展开。这也提示必须区分三条相互关联而不能混同的路线：①玻璃芯封装载板（glass core substrate）以 TGV 实现垂直互连；②玻璃中介层（glass interposer）承担高密度重分布；③玻璃光波导／玻璃扇出耦合器服务于 CPO 光互连。蓝思—英特尔合作的直接焦点是第①类，即玻璃芯基板及其 TGV 工艺。

图：英特尔 ECTC 2026 实测性能对比图；来源：英特尔 ECTC 2026 公开实测数据

英特尔 ECTC 2026 实测数据对比：玻璃核心基板在芯片贴装高温条件下翘曲量为 64 微米，而带加强筋的有机基板达 143 微米；玻璃基板制程图案畸变量较有机芯材最多降低 50%。

TGV 制造的难点并非单一“打孔”。将玻璃原片转换为先进封装基板，至少包含五道相互耦合的关卡：激光诱导与化学蚀刻成孔、种子层沉积、电镀填孔、多层 RDL 布线以及单片化切割。其共同目标是在面板级尺度上，同时控制通孔几何、铜填充空洞、层间对准、热循环开裂和边缘微裂纹。

图：TGV 玻璃基板全流程工艺链图（竖向版）；来源：公开工艺资料

TGV 玻璃基板全流程工艺链：上游原片环节由海外主导，中游包含通孔成型、种子层沉积、电镀填孔、多层 RDL 布线与单片化切割五道核心工序，下游对接 AI 加速器、共封装光学与射频器件应用。

第一关是通孔成型。 要在约 0.8 毫米厚度的玻璃上精准打出数百万个微米级通孔，不仅要保证孔孔贯通，还要确保孔壁光滑无微裂纹。主流的激光诱导深度刻蚀（LIDE／LAE）通过超短脉冲激光对玻璃局域改性，再进行选择性湿法蚀刻，能够降低传统热加工带来的崩边与裂纹风险。

第二至五关则分别是解决金属粘附与孔壁覆盖的种子层沉积、要求无空洞全铜填充的电镀、决定高密度互连能力的 RDL 布线，以及避免崩边与微裂纹的单片化切割。

这里的关键产业判断是：成孔已不再是唯一瓶颈，量产压力正向种子层、电镀填孔和多层 RDL 后段制程迁移。IDTechEx 也强调，高量产可行性取决于可重复控制通孔几何、再入结构种子层覆盖、无空洞金属沉积、热循环抑裂与面向百万级通孔的高速全检。这正是 DFM 指南、基准测试和验证方法比“单项孔径纪录”更有决定性的原因。

三、英特尔与蓝思的能力拼图

英特尔：

英特尔在玻璃基板上的积累已进入工程验证而非材料概念阶段。公司 2023 年把玻璃基板纳入先进封装路线图；截至 2026 年 5 月，其在玻璃基板架构、工艺、材料和设备方面已积累超过 1000 项发明。在 ECTC 2026 上，英特尔披露的玻璃芯基板成果把“可行性”推进到了面板、通孔、金属化、互连与光波导共集成的系统层面。

2026 年上半年的两场技术会议，让这些积累第一次以量化形态呈现在同行面前。在 IEEE 电子元件与技术大会（ECTC 2026）上，英特尔代工共发表 20 篇论文，其中玻璃基板相关成果构成了一份相当完整的工程答卷。

图：NEPCON Japan 2026 英特尔厚玻璃芯 + EMIB 展品图；来源：TechPowerUp / Intel Foundry，NEPCON Japan 2026 展出报道（2026-01-22）

NEPCON Japan 2026 现场展示的“10-2-10 Thick Glass Core Substrate with EMIB”使上述路线具象化：展品强调 78×77 mm 封装、24 层结构、300 μm 玻璃芯、两枚 EMIB 桥接及无微裂纹（No SeWaRe）切割。展品本身不代表量产，但它说明英特尔已将玻璃芯、嵌入式硅桥和装配可靠性放在同一工程样品中验证。

英特尔的另一张牌是 CPO 方向的玻璃光电融合。其在 ECTC 2026 展示可拆卸边缘耦合方案，利用玻璃扇出耦合器与扩束连接器改善光纤与光子芯片的耦合公差。玻璃由此不只是“更不易翘曲的载板”，也可能成为电互连与光互连汇合的统一平台。

蓝思科技：

蓝思的承接能力则来自精密玻璃后道工艺向半导体场景的迁移。公司称其在玻璃后道加工领域拥有三十余年积淀，2023 年已把 TGV 玻璃基板列为重点研发方向。其独创的激光诱导与化学蚀刻成孔技术已实现百万级通孔 0 ppm 不通率，最低孔径可做到 10 微米以下。但应准确理解：0 ppm 是样品阶段通孔贯通率的单项指标，不等同于玻璃芯基板整板综合量产良率。 后者仍取决于金属化、RDL、切割及可靠性测试的累积结果。

图：蓝思科技 TGV 技术演进与产能路径图；来源：科技日报整理

蓝思科技 TGV 玻璃基板技术演进与产能路径：从 2023 年确立研发方向，到 2026 年建成独立中试产线、WAIC 展出 0 ppm 玻璃芯载板并与英特尔签署备忘录，再到 2026 年底 3000 片月产能中试线与 3 万平方米专用厂房投产，计划 2027 年实现小规模量产。

蓝思披露，已与北美和韩国芯片代工及先进封装客户联合开发、验证 22 层玻璃芯载板，韩国客户已基本验证通过，北美客户验证工作进展顺利。2026 年，公司计划建成 3000 片／月中试线，规划的 3 万平方米是 TGV 专用厂房建筑面积，预计 2026 年底前投产；2027 年目标是半导体玻璃基板小规模量产。这一时间线提示：蓝思不是从零进入，但仍处于“工艺跑通—客户验证—小规模量产”之间的关键过渡期。

因此，这一合作的最佳解读不是“英特尔选择了一个玻璃供应商”，而是“英特尔把其玻璃封装的工程判据，与蓝思已有的成孔、金属化和多层互连制造能力进行对接”。能否转化为商业价值，要看 22 层结构、后段良率、长期可靠性和客户认证能否同步推进。

四、国内外 TGV 供应链推进全景

玻璃基板产业化正在从单点研发，进入“国际验证、设备升级、材料适配与客户导入”并行推进的新阶段。NEPCON Japan 2026 展出的英特尔厚玻璃芯 + EMIB 样品，证明玻璃芯、嵌入式硅桥及装配可靠性已能在同一工程样品中协同验证；IEEE ECTC 2026 则把产业视角进一步延伸至 CPO 玻璃耦合器、510×515 mm 面板级制造和 1.5 μm 级精细图形化。这些公开成果共同传递出一个积极信号：玻璃基板不再只是材料端的前瞻选项，而正在成为先进封装系统设计、制造设备与光电互连共同参与的工程平台。

国际会议与行业展会的意义，正在于把原本分散的工艺节点放到同一套系统目标下检验：大面积玻璃面板能否稳定加工，细线 RDL 能否高精度对准，电通孔与光学 I/O 能否协同封装，以及这些能力能否被可靠性标准和客户测试接纳。对蓝思而言，英特尔开放架构、DFM 与验证方法的价值，也正体现在能够把其激光、蚀刻、通孔金属化和多层布线能力嵌入这一更完整的产业化流程。

图：IEEE ECTC 2026 CPO 玻璃扇出耦合器与封装图；来源：IEEE ECTC 2026 官方技术图册第 6 页

ECTC 2026 的玻璃扇出耦合器、可拆卸扩束连接器与 CPO 封装实物，呈现了玻璃向光电共封装延展的技术想象空间。其中，玻璃耦合器服务于光纤与硅光子芯片（PIC）的高容差连接；TGV 玻璃芯基板则聚焦封装中的垂直电互连与结构稳定。二者工艺对象不同，却共同指向更高带宽、更大封装尺寸和更低系统能耗的长期需求。与此同时，USHIO 在会议中披露的 510×515 mm 玻璃基板 18 reticle 区域无拼接曝光、1.5 μm 线宽／线距成果，也显示大面板精密加工的基础能力正在提升。

从全球布局看，玻璃基板已形成“国际先行、多路线并进、产业链协同”的推进格局：英特尔、Absolics、台积电、三星电机、京东方与蓝思等企业，分别从封装架构、材料、面板制造、设备和客户导入等方向展开布局。不同企业的节奏虽有差异，却共同推动了玻璃基板从技术样品走向工程验证、产线规划与应用导入。

图：全球主要玻璃基板玩家量产时间窗口对照图；来源：公开行业资料

全球主要玻璃基板玩家量产时间窗口对照：SKC/Absolics 最早启动商业化量产线，英特尔目标 2030 年全面商用，台积电 CoPoS 试点线已搭建，三星电机因样品可靠性验证受挫推迟至 2028 年后，京东方与蓝思科技分别规划 2027 年初始量产。

三星电机因客户可靠性验证节奏调整量产计划的案例，说明先进封装新材料的产业化通常需要经历样品、工程验证、客户认证和产线导入等完整阶段。这也从侧面凸显了英特尔向蓝思提供基准测试与验证方法的意义：当制造能力与国际客户标准同步对齐，TGV 玻璃基板就更有机会把技术展示转化为可复制的产品能力。

产业链传导也不止于基板厂本身。中泰证券测算，国内一条 510×515 mm 玻璃基板产线投资约 13 至 15 亿元，激光打孔及腐蚀线约占设备价值 30%，PVD 与黄光设备约占 50%，清洗、烘烤、AOI 等配套约占 20%。

图：510×515 mm 玻璃基板产线设备价值分布图；来源：中泰证券公开测算

玻璃基板510×515mm产线设备价值分布：PVD 镀膜与黄光设备占比约 50%，激光打孔及腐蚀线占比约 30%，清洗、烘烤、AOI 检测等配套环节占比约 20%，单条产线投资 13–15 亿元。

下表梳理了国内产业链各环节的代表进展。

国际展会披露、全球时间表和设备价值分布共同指向同一个结论：玻璃基板已从单点工艺竞赛进入“材料—设备—封装设计—光互连—验证标准”协同推进阶段。随着面板级制造、装备适配和客户联合验证持续推进，这一协同网络有望成为玻璃基板产业化扩展的重要支撑。

五、TGV 玻璃基板的未来方向

蓝思与英特尔的合作，为中国精密玻璃制造进入先进封装核心环节提供了一条具有现实基础的路径：蓝思的激光加工、化学蚀刻、通孔金属化和多层布线能力，正通过英特尔的封装架构、DFM、基准测试与验证方法，接入全球高端客户共同使用的技术语言。

向前看，玻璃基板的产业化将不是由某一项单点指标决定，而是由“材料稳定性、设备精度、工艺良率、封装设计与客户认证”形成的系统能力共同推动；这恰好也是中国显示玻璃、精密制造、激光装备、真空镀膜、电镀化学品和先进封装产业链可以协同发力的方向。

随着 AI 加速器、HBM、大尺寸芯粒和 CPO 对封装尺寸、互连密度与信号完整性提出更高要求，玻璃基板有望率先在高附加值、高可靠性、高带宽场景中实现应用突破，再沿着面板级制造与供应链本土化逐步扩大渗透。对蓝思而言，未来最值得期待的并非单一概念的放大，而是其专用厂房、中试产线、客户联合验证与标准参与能够形成连续的产业化闭环；一旦这一闭环跑通，蓝思的玻璃精密制造能力将从消费电子部件的传统优势，进一步延伸为 AI 时代先进封装的重要制造基础。