合计超15亿，4个碳化硅项目加速推进

近期，国内又有4个碳化硅项目加速推进，投资金额合计超15亿元：

银河微电：投资10.78亿元建设高端器件项目，将生产SiC器件等产品；

长晶科技：投资超2亿用于“MOSFET、IGBT及第三代半导体技术研发项目”；

泰坦未来：SiC衬底项目厂房装修、核心设备订购等各项工作有序推进；

耕耘电器：总投资3亿元，用于建设SiC长晶设备项目。

银河微电：投资超10亿扩建器件产能

9月22日，常州银河世纪微电子股份有限公司发布《关于投资高端核心器件产业化及创新能力建设项目的公告》。

银河微电表示，为提高集成电路分立器件产品的生产加工制造能力，扩大集成电路分立器件产品的生产规模，拟以自有或自筹资金人民币10.78亿元投资实施该项目，预计开工时间为2027年1月，建设周期为三年。

文件进一步透露，该项目所涉产品主要包含SGT MOS、超结MOS、IGBT及模块、SiC器件、IPM模块、车规TVS/ESD等，区别于传统消费类小信号二极管、普通低压平面器件，其采用SGT/SJ、IGBT、SiC/GaN等芯片结构，通过AEC-Q101等高可靠性认证，将生产面向新能源汽车、储能、工业等高门槛场景，具备低损耗、高抗ESD/雪崩能力、长寿命的功率分立器件与第三代半导体器件。

据了解，2025年7月，银河微电拟以自有资金人民币3.1亿元在江苏常州投资实施“高端集成电路分立器件产业化基地一期厂房建设项目”作为前置项目，主要完成土地购置及厂房土建等基础设施，而本次项目主要在一期厂房基础上实施装修改造、设备购置安装、产线调试及客户验证。

常州银河世纪微电子股份有限公司是一家专注于半导体器件研发、芯片设计与制造、封装测试、销售及服务为一体的企业，于2021年1月27日在上交所上市，具备IDM模式下的一体化经营能力，产品涵盖功率器件芯片、MOSFET、IGBT、SiC器件、GaN器件、模拟IC等。

据银河微电2026年半年度报告，其车用SiC MOSFET模块已进入样品送测、客户验证及产业化工艺调试阶段，GaN器件也同步开展技术预研与样品开发。

长晶科技：布局第三代半导体技术研发项目

9月20日，长晶科技正式递交招股书，拟在深交所主板上市。据招股书披露，长晶科技拟募资14.904亿元，用于建设“MOSFET、IGBT及第三代半导体技术研发”等项目。

其中，“MOSFET、IGBT 及第三代半导体技术研发项目”建设地点为长晶科技现有场地，建设周期为4年，总投资2.319亿元。

该项目将购置先进的研发检测设备、引进相关专业人员，改善并升级现有研发 相关配套基础设施资源，并围绕“宽禁带SiC工艺平台开发及元器件产品技术研 发”、“宽禁带氮化镓元器件技术研发”等方向开展深度技术研发。

长晶科技是一家Fabless与IDM模式并行的综合型半导体企业，主营产品涵盖SiC SBD、MOSFET、IGBT 等分立器件、电源管理 IC、分立器件晶圆等多种半导体产品。2023年至2025年，长晶科技营业收入分别为22.60亿元、26.78亿元和29.85亿元。

长晶科技表示，通过布局“MOSFET、IGBT 及第三代半导体技术研发项目”，他们将进一步拓展公司在高端分立器件、 电源管理IC产品领域的技术应用能力，推进“平台化”战略，横向拓宽产品边界。

泰坦未来：SiC衬底项目有序推进

9月20日，据“金湖发布”官微透露，泰坦未来的碳化硅衬底项目在2026淮安创新创业大赛斩获一等奖。

据悉，该项目主攻半导体用高性能碳化硅、碳化钽涂层系列产品，多项工艺实现关键突破，大幅提升材料制备效率与产品性能。目前资本投资、厂房装修、核心设备订购等各项工作有序推进，投产后将有力补齐区域第三代半导体材料产业链环节，赋能半导体产业提质升级。

官微透露，泰坦未来已实现6英寸、8英寸Poly-SiC衬底国产化，并推出首款12英寸大尺寸多晶碳化硅衬底，适配AI先进封装散热基片、SiC外延衬底、晶体生长载板、高温制程散热等高端应用。

耕耘电器：SiC设备项目已开工建设

9月20日，据新华日报社报道，近期江苏多地围绕项目建设、产业升级、创新生态持续发力，一批批项目签约落地、开工封顶、投产量产，其中就包括一个碳化硅项目。

文章透露，9月13日，位于常州武进区的核心部件及半导体关键设备项目正式开工，总投资3亿元，总建筑面积约20956平方米，将高标准建设现代化标准厂房、智能化研发中心、专业检测实验室，打造“一基地两中心”产业发展格局。

该项目由常州市耕耘电器有限公司负责建设，清华、海外名校博士团队领衔攻关，聚焦第三代半导体碳化硅长晶设备“卡脖子”技术，建成后可形成年产30万套中低压配电核心部件、300台单晶生长设备产能，达产后预计年销售额4亿元，实现高端半导体装备100%国产化替代。

官网介绍，常州市耕耘电器有限公司是在原武进第二电器厂（常州市申达电器厂）的基础上经改制成立的有限公司，今年生产各类机构框架6万台左右，产值3000万，正筹备增加2条生产线，使产能达到10万台，预计未来3年产能保持在15万台左右，实现产值1个亿的目标。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。