“耍大牌”让英特尔在芯片工艺制程上越来越被动？

去年，英特尔 CEO Brian Krzanich 在其于七月份举行的财报电话会议上花了大量篇幅解释英特尔无法以每两年一代的节奏更新芯片制造工艺的事实及其原因。

“最近两次工艺迁移已经表明，我们今天的节奏已经接近于每两年半更新一次，而不再是每两年一次了。”Krzanich 在去年的一份声明中称。

如果英特尔在业界的其他竞争对手也遵循这种“放缓”趋势的话，更新周期延迟半年并不算一个特别大的问题，但是实际情况却并非如此。竞争对手们正在以更加快速的迭代周期推出新的芯片制造工艺。

例如，台积电在 2015 年将其 16nm 制造工艺投入量产，并且预计将于 2017 年第二季度实现 10nm 工艺的大规模生产，它还计划在 2018 年上半年时将 7nm 工艺带入量产阶段。

相比之下，英特尔于 2014 年年中就开始大规模量产其 14nm 节点的工艺，但是直到 2017 年下半年之前还无法切换到 10nm 工艺上。不仅如此，英特尔的 7nm 工艺更加姗姗来迟，延宕至 2020 年。

现在，英特尔正小题大做，吹捧其 14nm 工艺要优于台积电的 16nm 工艺，而且它的 10nm 工艺也比台积电即将出炉的 10nm 工艺要好。

但是，我认为，英特尔的这种说辞其实遮盖了很关键的一点，那就是台积电现在可以每年都在工艺水平上进行一次改进提升，而英特尔却不能。

下面我来解释一下。

台积电的分步改进非常明智
根据台积电管理层在其最近一次财报电话会议上透露出来的消息，可以看出，这家台资芯片巨头的战略目标是能够快速进行工艺改进，即使这种工艺上的跃迁幅度不像该公司历史上其它的工艺跃迁幅度那么大。

台积电从 20nm 工艺便开始实施这种分步改进的策略。2014 年，台积电的 20nm 制造工艺进入大规模量产阶段，20nm 是它前一代 28nm 节点的“缩水版”，它实现了可观的面积节约和适度的性能 / 功耗提升。

然后，到了 16nm 节点时，台积电并没有实现硅片面积的缩减（英特尔管理层经常在其投资者报告中兴高采烈地指出这一点），但是从平面晶体管到 FinFET 晶体管的改变，使台积电实现了芯片性能的显著提升。

这种改变使客户可以打造更快 / 更好的产品。

现在，10nm 工艺，台积电承诺不仅在性能上进行适度提升，同时也可以实现显著的硅片面积缩减。而对 7nm 节点，台积电再次承诺可以提升性能并减小芯片面积 - 尽管这种提升幅度和缩减幅度不再像“大”节点跃迁实现的那么大了。

尽管如此，关键的一点是台积电的客户们可以在 2017 年时采用 10nm 工艺实现显著的芯片改进，同时不用等太久，到 2018 年时便可以使用 7nm 工艺再次改进自己的芯片。

英特尔青睐于大动作
相比较于台积电更快、但更多次的增量改进，英特尔似乎更加倾向于“大动作”。英特尔早在 2014 年时便开始出货其 14nm 节点工艺的产品，2015 年时出货量更大，2016 年预计会出货更多 14nm 工艺产品，而且直到 2017 年下半年开始转向 10nm 工艺之前它都将一直仰仗 14nm。

根据这种步伐，投资者可以想见，英特尔会在 2018 年出货 10nm 产品，然后在 2019 年出货更多器件，而且如果它能更加顺利地切换到 7nm 节点，不像从 14nm 到 10nm 的过渡那么费劲的话，它将可以在 2020 年时出货 7nm 工艺的产品。

现在，肯定会有人非常确信地认为 - 至少从芯片面积角度 - 英特尔的 10nm 工艺更像台积电的 7nm 工艺而非 10nm 工艺。“但是，从晶体管性能的角度来看，英特尔肯定不乐意做这种比较了。”

从 16nm 到 10nm，以及从 10nm 到 7nm，台积电肯定会受益于晶体管级的材料改进。英特尔从 14nm 过渡到 10nm 时，也会实现晶体管级的提升，但是，除了一些小的调整和增强之外，英特尔的工艺直到 7nm 时代才会看到显著的改进。

这不仅给了台积电在晶体管性能上赶上英特尔的机会，对英特尔最糟糕的是，它还有可能被台积电超越。

英特尔需要注意竞争威胁并及时做出反应
如果您听了来自英特尔管理层精心准备的讲演稿，您应该很清楚英特尔高层的看法：英特尔在制造工艺上领先于整个业界。实际上，在去年一次电话会议上，当英特尔宣布将会在 10nm 工艺上延迟的消息时，其 CEO Brian Krzanich 就曾经说过，英特尔相信“它将继续在制造工艺上保有相同的领导地位。”

我不禁在想，在台积电近期做出了一些挑衅性的公开声明之后，Brian Krzanich 是否还保持原有的观点。

我认为，对英特尔而言，最佳的方式就是转向台积电这种工艺升级模式。即以更快的速度提供更小、更易于管理的生产工艺改进。这会让芯片制造商实现更快的创新节奏，最终实现更好的产品。

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