MRF9100LR3, MRF9100LSR3 900 MHz, 110 W, 26 V GSM/EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

141

加入交流群

扫码加入
获取工程师必备礼包
参与热点资讯讨论

MRF9100LR3, MRF9100LSR3 900 MHz, 110 W, 26 V GSM/EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and EDGE base station applications with frequencies from 921 to 960 MHz, the high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common source

原创声明：本文为恩智浦原创内容，未经书面授权，不得以任何方式加以使用。转载合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。

恩智浦半导体创立于2006年，其前身为荷兰飞利浦公司于1953年成立的半导体事业部，总部位于荷兰埃因霍温。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦2010年在美国纳斯达克上市。恩智浦半导体致力于打造全球化解决方案，实现智慧生活，安全连结。收起

MRF9100LR3, MRF9100LSR3 900 MHz, 110 W, 26 V GSM/EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

相关推荐