氮化铝

• 第四代半导体，国产器件再破纪录！

  深圳平湖实验室成功将氮化铝功率器件耐压纪录提升至5.5千伏，打破了全球纪录并标志着我国在第四代超宽禁带半导体领域取得重大进展。氮化铝凭借其卓越的耐高压、导热性和抗干扰特性，成为下一代极端电力电子装备的核心材料。尽管当前仍面临衬底制备和工艺优化等问题，此次突破展示了氮化铝在高压功率领域的巨大潜力，并为国产电力电子技术的发展奠定了坚实基础。

  碳化硅内参

  504

  07/09 11:59

  第四代半导体材料 氮化铝
• 谁将是下一代功率半导体？名古屋大学的研究人员：对于高压控制，氮化铝（AlN）将难有敌手

  随着现代社会对电力需求的不断增加，电力系统的可靠性、高效性和可持续性成为当今电力工程领域亟待解决的核心问题。一代材料，一代设备，一代器件。功率半导体，作为电力电子领域的重要组成部分，扮演着关键的角色，其应用范围涵盖了电力变换、传输、可再生能源集成、电动汽车充电等多个领域。

  DT半导体

  1138

  2024/07/01

  功率半导体 半导体材料

  

正在努力加载...