电迁移_电迁移是什么意思 - 与非网

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浅谈power signoff之power EM
电迁移是一个重要问题，尤其是在金属互连的横截面积非常小的低工艺节点中。

志芯

1.2万

2024/09/23

电迁移
模拟版图中常见的“效应问题”及解决办法
天线效应是指在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅等导体，像天线一样收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子），导致电位升高。当这些导体连接到MOS管的栅极时，高电压可能击穿栅氧化层，使电路失效。这种现象主要发生在深亚微米集成电路加工工艺中，特别是使用等离子刻蚀技术时。

芯火平台

4916

2024/07/24

电迁移
Siemens EDA推mPower，为2D和3D IC提供电源完整性验证方案
mPower能够为模拟IC设计人员提供一种创新的动态解决方案，可在大型模块和芯片上进行高度精确的、基于模拟的EM/IR分析，从而取代对选定网络粗略的静态分析和SPICE模拟。

夏珍

131

2021/10/25

与非观察 eda
芯片毁于噪声（二）FinFET使噪声效应叠加
FinFET技术已经成为工艺尺寸继续减小的主要动力。“在可预见的未来，极低的工作电压与漏电流使得FinFET工艺成为CMOS工艺的标准架构，” ANSYS应用工程高级总监Arvind Shanmugavel说道，“但上述优点是有代价的—电源噪声问题变得突出。一方面，10纳米或7纳米的FinF

与非网记者

1

2016/09/23

FinFET 白噪声

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