SK海力士280亿存储项目奠基启动

SK海力士将于本月底开始在美国印第安纳州为其先进封装工厂进行全面奠基工程。随着人工智能（AI）芯片领域的竞争转向先进封装技术，该公司计划加快建设，以满足中长期对高带宽存储器（HBM）的需求。

据业内人士2月9日透露，SK海力士将于2月23日开始在其位于印第安纳州西拉法叶的先进半导体芯片制造工厂的施工现场安装围栏并进行前期准备工作。包括地基压实和土建工程在内的主体建设前期准备工作将于3月2日启动。

SK海力士正在印第安纳州建设一座先进封装工厂，目标是在2028年投产。该项目投资额为40.9亿美元（约合5.99万亿韩元，283.3634亿元人民币）。上月底，SK海力士向西拉法叶市政府提交了办公楼、中央公用设施中心（CUB）和半导体工厂的地基建设许可证申请。

这些地基建设许可证的获批标志着该项目进展顺利。由于地基建设通常在主体建设之后紧随其后，业内人士预计印第安纳州封装工厂将于今年上半年开工建设。SK海力士的一位代表解释说：“项目进度稳步推进，目标是在2028年投产。”

SK海力士计划将该工厂用作下一代HBM封装工厂。SK海力士计划从今年开始量产第六代HBM（HBM4）开始，逐步量产下一代HBM。 SK海力士预计今年将为NVIDIA的下一代AI加速器Vera Rubin供应约70%的HBM4，这将使其在HBM市场占据领先地位。

先进封装是HBM工艺中的后处理步骤，也是决定HBM良率和性能的关键技术。随着AI技术的飞速发展，封装的重要性日益凸显。因此，三星电子和SK海力士等存储半导体公司正致力于提升自身的封装能力。

SK海力士不仅在美国印第安纳州，也在韩国扩大其封装基地。该公司计划在忠清北道清州市投资19万亿韩元，建设一座新的“先进封装测试工厂（P&T7）”。该项目将于4月开工建设，预计于明年年底竣工。届时，SK海力士将在韩国利川、清州和印第安纳州拥有三座先进封装工厂。

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