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500亿半导体龙头,芯片研发项目落地上海

08/25 16:56
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出品 | 张通社

近日,东芯股份发布公告,公司拟使用6.82亿元超募资金实施存算联融合芯片研发项目。项目建设地点位于上海市青浦区,规划建设周期约42个月。

东芯股份是国内少数具备全品类一站式存储研发与解决方案能力的企业之一,截至今日(8月24日)收盘,公司总市值513.6亿元。

本次新项目落地,也标志着公司从存储主业向外拓展的战略又往前迈出了一步。

存储领域的一站式玩家

东芯股份长期扎根中小容量存储赛道,在NAND Flash、NOR Flash以及DRAM等存储芯片核心设计环节,已经搭建起自主研发体系,实现了从消费级到工业级、车规级的全规格覆盖,容量涵盖Kb级至Gb级。

在公司的产品矩阵中,SLC NAND是其最具代表性的产品。SLC NAND凭借高耐久性、低误码率、宽温稳定性等独特性能,是工业、车载、网络设备等长生命周期高可靠终端的刚需存储方案。同时,在智能家居可穿戴设备、医疗电子等新兴市场,其应用边界不断拓展。

公司SLC NAND Flash产品制程覆盖3xnm-2xnm-1xnm,产品容量覆盖512Mb~16Gb,内置ECC模块,具备10万次擦写寿命及高耐久、宽温稳定运行特性。目前,公司1xnm及2xnm制程产品的擦写寿命及数据保持特性均已满足主流应用要求并持续量产。

NAND Flash之外,东芯股份在NOR Flash和DRAM领域同样建立了完整的产品布局。

在NOR Flash领域,公司持续推进48nm、55nm制程下64Mb~2Gb中高容量的NOR Flash产品的研发,产品广泛覆盖可穿戴设备、安防监控、物联网汽车电子、端侧AI等应用领域。

在DRAM领域,公司已实现DDR3(L)、LPDDR1、LPDDR2、LPDDR4X、PSRAM等产品的量产,并持续进行LPDDR4X、DDR4等新产品研发布局。公司产品凭借小尺寸封装、低电压设计及宽温适应性,覆盖消费电子、工业及汽车电子等多元化应用场景。

在MCP领域,公司目前已可提供4Gb+4Gb、8Gb+8Gb、16Gb+16Gb等多种组合的MCP产品,主要应用于5G通讯模块、车载模块等领域。

多品类产品线之外,车规级存储是公司近年来重点突破的方向。

公司SLC NAND Flash、NOR Flash及MCP三大品类的车规产品阵容持续扩充,更多型号顺利通过AEC-Q100验证。

目前,公司持续在多款车型中进行车规产品的量产交付,并进一步推进整车厂的白名单导入,加速推进更多海内外Tier1厂商的导入与销售落地。相关产品已成功应用于通信及远程控制系统、激光雷达机器视觉、电池BMS系统及智慧座舱等汽车电子核心系统。

“存、算、联”一体化布局,开启战略转型

在存储主业之外,东芯股份正试图打开新的增长空间。

此次投建的存算联融合芯片研发项目,核心目标是将存储芯片、联接芯片与计算芯片通过先进封装技术集成于单芯片,打造低功耗嵌入式SOC智能计算芯片。

项目芯片具备本地智能处理、数据隐私安全、低延迟、低功耗等特点,可支持持续在线工作模式,并提供完整的软硬件一体化解决方案,支持客户快速实现产品量产。产品可广泛适用于智能家居、工业物联网、医疗健康、消费电子、能源管理等领域。

从投资构成来看,项目总投资6.82亿元中,研发费用为5.14亿元,占比高达75.4%;建设投资8379.8万元,占比12.29%;铺底流动资金8000万元,占比11.73%;市场推广费用400万元,占比0.59%。

研发费用将主要用于晶圆流片、封装测试试制及研发团队扩容。这样的资金分配也表明,该项目并非简单的产能建设,而是一次以技术突破为核心的研发驱动型投资。

这一项目的推进,与东芯股份近年来在“存、算、联”一体化战略上的布局一脉相承。

在联接芯片领域,公司正按计划稳步推进Wi-Fi 7无线通信芯片的研发设计工作。目前主要核心模块已完成实验室验证,测试结果符合预期,核心性能指标已满足Wi-Fi7标准要求。

在计算芯片领域,公司通过自有资金战略投资上海砺算,布局高性能GPU赛道。

2024年8月,东芯股份以自有资金2亿元向上海砺算增资;2025年,公司再次追加投资约2.11亿元,目前持有上海砺算约35.87%的股权。

上海砺算主要从事多层次(可扩展)图形渲染GPU芯片的研发设计,坚持自研架构,产品可实现端、云、边的主流图形渲染和AI加速。

去年7月,上海砺算正式发布首款GPU芯片“7G100”系列和首款显卡产品Lisuan eXtreme系列。

7G100系列GPU以效率、平衡、拓展为重,多重性能优势达到国际主流、国内领先水平。更重要的是,从指令集到计算核心完全由自主设计,基于自研TrueGPU天图架构,并自研指令集、自研软件栈。

除了享受上海砺算在GPU和AI芯片领域后续的盈利分红以外, 东芯现有的存储技术还能够和砺算的GPU技术实现“存算协同”方面的技术结合,并有机会形成显著的协同竞争优势,打开更广阔的新兴市场空间。

存储、联接、计算三条线正在逐步交汇。而此次6.82亿元的存算联融合芯片研发项目,正是这条交汇线上的关键节点。

行业周期向上,业绩暴增336%

东芯股份敢于在这个时间点投入6.82亿元布局新赛道,底气来自一份足够亮眼的成绩单。

2026年上半年,公司实现营业收入14.97亿元,同比增长336.44%;归母净利润为6.59亿元,上年同期为亏损1.11亿元,实现扭亏为盈;扣非后净利润为6.36亿元,同比同样实现扭亏为盈。

业绩爆发的核心驱动力来自存储主业的超级景气周期。

受益于AI算力需求持续爆发,海外存储原厂加速退出利基型市场,供给端收缩态势明显。与此同时,网络通信、工业控制、汽车电子等下游应用需求稳步复苏,利基型存储芯片供需缺口持续扩大,产品市场价格大幅攀升。

把视线拉长到整个行业,2026年以来,全球半导体行业进入AI算力带动的结构性上行周期。

依据WSTS 2026年6月发布的春季预测,2026年全球半导体市场规模将达1.5万亿美元,同比增长约90%,首次突破万亿美元大关;存储芯片全年销售额预计同比飙升约250%,超过8000亿美元。

全球市场的整体扩张之外,中小容量利基存储赛道还叠加了一层结构性变化。海外大厂如美光、三星陆续收缩中小容量成熟制程产线,将产能向高端大容量 DRAM、3D NAND 倾斜,利基存储市场供给缺口持续扩大,全品类存储产品价格同步进入持续上行通道,国产厂商迎来明确的替代窗口期,行业长期成长空间清晰。

业务层面的拓展之外, 东芯股份正同步推进港股IPO进程。

今年5月,公司发布公告称,拟发行境外上市股份并在香港联交所主板挂牌上市。目前公司港股发行筹备工作正在稳步推进,完成上市后将打通境外融资渠道,同时助力海外客户拓展与国际化布局。

存储主业迎来景气窗口,“存、算、联”一体化战略布局开启第二增长曲线,叠加港股资本平台的筹备推进,东芯股份正处在业务与资本双向拓展的阶段。但存储行业周期性波动客观存在,新项目研发具备不确定性,公司未来发展依旧要接受市场与技术的双重考验。

文字|昼屿      编辑|益达

东芯半导体

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东芯半导体股份有限公司成立于2014年,总部位于上海,在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司,矢志成为领先的存储芯片设计公司,服务全球客户。作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。

东芯半导体股份有限公司成立于2014年,总部位于上海,在深圳、南京、香港、韩国均设有分公司或子公司,矢志成为领先的存储芯片设计公司,服务全球客户。作为Fabless芯片企业,东芯半导体拥有独立自主的知识产权,聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研发、设计和销售,是目前国内少数可以同时提供NAND/NOR/DRAM设计工艺和产品方案的存储芯片研发设计公司。收起

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