历史性突破！长鑫DRAM市占率升至10%！

当地时间9月3日，市场研究机构Counterpoint Research 发布了全球DRAM市场分析报告显示，2026年二季度全球DRAM市场总营收同比飙升385%，环比增长57%。

长鑫存储拿下10%全球DRAM市场

从具体厂商表现来看，虽然三星电子（38%）、SK海力士（25%）、美光（24%）仍牢牢占据着全球DRAM市场前三，但是中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）增势迅猛，在今年第二季度在全球DRAM市场营收份额当中的占比已提升至10%，同比增加了4个百分点，环比增加了2个百分点，排名第四。

这也是长鑫存储的季度DRAM市场份额首次达到两位数百分比。在2023年之时，长鑫存储在全球DRAM市场营收份额占比还不到 1%，但得益于AI热潮所带来的DRAM需求爆发和价格飙升，长鑫存储的市场份额从去年第二季度的4%迅速增长到今年第一季度的8%，今年第二季度又增长到10%，可谓是增速非常惊人。在头部三大DRAM原厂同样保持营收暴涨的态势下，长鑫存储能够取得这样的成绩，实属不易。

需要指出的是，虽然Counterpoint Research在今年8月初公布的DRAM市场分析报告当中，预计2026年第二季度全球DRAM市场，长鑫存储的营收市场份额为7%。但是，随着今年8月底长鑫存储母公司——长鑫科技增速惊人的半年度财报的正式公布，显然是超出了Counterpoint Research此前的预期，因此不得不在最新的报告当中将长鑫存储的市场份额修正到10%。

财报显示，长鑫存储2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比暴增873.64%；归属于上市公司股东的净利润776.05亿元，而去年同期为亏损23.32亿元。这一业绩已远超公司2025年全年水平。基于之前公布的一季度业绩计算，长鑫科技二季度营收为995.1亿元，同比暴涨977.4%，环比增长约95.9%；归母净利润达528.43亿元，同比扭亏，环比增长113.4%。

对比三大DRAM原厂的二季度的营收及增速来看：三星第二季营收额171.5万亿韩元，同比增长130%、环比增长28%；SK海力士第二季营收79.3187万亿韩元，同比增长257%，环比增长51%；美光2026财年第三季度（截至2026年5月28日）营收为414.56亿美元，同比增长346%，环比增长74%。显然，长鑫科技二季度营收的同比和环比增速均远超前三大DRAM原厂。

但是，我们也能看到三星和SK海力士二季度营收的同比和环比增速均低于整个市场的增速，美光的营收同比增速也低于整个市场的增速，这主要是由于这三大DRAM原厂自去年四季度以来将更多的产能转向了毛利率更高的AI加速器所需的高带宽内存（HBM）产品，这导致了常规DRAM产品产出减少。此前美光就曾公开表示，一份HBM3E的产出，需要消耗3份DRAM的产能。而随着常规DRAM的供应减少，导致这类产品的价格大幅飙升。最新的相关研究显示，常规DRAM产品的利润率已经与HBM持平，甚至超过了HBM。

在此背景下，主要生产常规DRAM的长鑫存储迅速增加产能，抓住了这一市场机遇，推动了其营收、利润的暴涨。相关报道显示，长鑫存储的DRAM产品定价仅比韩国和美国同类产品低5%至10%，并非市场新进入者通常采用的深度折扣策略，这意味着其营收增长反映了在供应受限的市场中真实的销量增长，而非通过价格战获得。

DDR产品性能差距缩小，制造成本仍高于头部厂商

从DDR产品性能来看，在2026年2月Hardware Unboxed测试的游戏基准测试中，长鑫存储的消费级DDR5产品表现与三星和SK海力士同类产品基本相当。

长鑫存储目前已经量产最新的LPDDR6内存，首款产品的目标为速率为12,800 Mbps（12.8 Gbps）——完全在JEDEC标准范围内，但比SK海力士1c工艺LPDDR6产品设计达到的 14.4 Gbps上限低了约11%。需要指出的是，SK海力士的LPDDR6采用其第六代10纳米级（1c）工艺，该工艺使用了EUV光刻，最终实现了比LPDDR5X速度提升33%，功耗效率提升超过20%。

由于ASML的EUV光刻机和部分高端浸没式DUV对华出口受限，目前长鑫存储的DRAM产品制造路线图都依赖于DUV光刻技术，这在某种程度上阻碍了其技术的演进。

当前，三大DRAM原厂的高端DRAM产品都已经演进至第五代10nm级 (1β / 1b nm)制程，并且三星和SK海力士在第四代10nm级 (1α / 1a nm)制程就开始引入了EUV光刻，美光则是在第六代10nm级 (1γ/1-gamma)开始引入EUV光刻。

虽然DRAM制造商也能够通过DUV多次曝光达到EUV单次曝光的效果，但是每次额外的曝光都会引入位置误差，这些误差会累积并降低良率。同时，多次曝光也会带来生产周期的拉长和生产成本的上升。

根据SemiAnalysis的建模和晨星分析师Wei Jingjie的独立成本分析显示，相比三星、SK海力士和美光的平均水平，长鑫存储的每比特结构性成本劣势超过30%。尽管长鑫存储存在这样的成本劣势，但是在常规DRAM缺货、价格大涨的背景下，长鑫存储今年上半年的主营业务毛利率仍高达惊人的84.84%。

为什么15%是关键门槛？

对于理解长鑫存储的战略地位，最重要的市场份额数字不是10%，而是15%。

Counterpoint Research研究总监Hwang Min-sung在加入Counterpoint之前曾在三星电子以及高盛和瑞信从事半导体卖方研究超过30年，他在最新的报告中直言不讳地表示：“15%是长鑫存储必须跨过的门槛，才能获得持续投资下一代晶圆厂的资金。”

这一数字的并非理论而是基于历史依据。中国台湾DRAM制造商——南亚科技、华亚科技、茂德在2008年全球市场份额跌至15%以下时失去了竞争 viability（生存能力）。Hwang表示：“DRAM制造商份额跌至15%以下，将无法为下一代晶圆厂融资，并萎缩至约3%的份额，沦为 niche（利基）地位。这就是长鑫存储必须跨越的线，他们现在所做的一切都是为了率先到达那里。”

要想获得15%的市场份额，仅靠常规DRAM市场可能难以实现。因为未来常规DRAM市场可能并不会像现在那样有利，当2028年左右，三星、SK海力士和美光完成其HBM产能扩张、HBM供需恢复平衡时，更多的产能将会被重新导向常规DRAM市场，常规DRAM价格将会下滑，届时长鑫存储的成本劣势将会成为影响利润率的关键因素。

长鑫存储2028年市场份额将达18%

从长鑫存储的收入结构来看，长鑫存储目前仍有近98%的营收来自常规DRAM产品，例如DDR4/DDR5、LPDDR5X，以及最新量产的LPDDR6（小米18 Fold将首发采用）。HBM产品尚未实现量产销售，这也使得长鑫存储的业务结构和利润率在未来的竞争中存在“脆弱性”。对此，长鑫存储正在努力扩大服务器DRAM的出货，其来自服务器市场的营收占比也从2024年的8.4%提升到了2025年的26.5%，反应了其向更高价值链推进。

最新的消息显示，长鑫存储已经与字节跳动、腾讯和百度等签署了长期协议，这些中国国内云基础设施大厂已成为长鑫存储最稳定、价值最高的客户群体。字节跳动于2026年7月与长鑫存储签署了一份价值超过70亿美元的五年期服务器DRAM供应协议。阿里巴巴集团持有长鑫存储约5%的股份，并且也是其主要客户。

野村分析师Donnie Teng预计长鑫存储的份额将在2028年底达到18%，将轻松跨过15%的门槛。投资者Dan Niles则提出了更为激进的观点，认为中国到2030年可能占据全球DRAM市场30%的份额。

Counterpoint Research的基线预测是在长鑫存储IPO时发布的，其当时预计长鑫存储到2028年的比特份额约为11%，到2035年将达到15%的营收份额门槛，这是一个更为保守的预测，反映了长鑫存储在未来常规DRAM市场不太有利时的增速放缓。

长鑫存储今年7月已完成科创板的IPO，获得了近560亿元融资主要用于扩大产能和下一代技术的研发。这也将助力长鑫存储持续提升竞争力，提升市场份额。