英飞凌深度解析:CoolSiC™ MOSFET 短路能力与失效模式
碳化硅(SiC)MOSFET的短路特性被广泛误解为“天生扛不住短路”。实际上,SiC MOSFET可以通过特殊单元结构设计来提高其短路耐受能力,甚至接近传统IGBT的水平。然而,为了实现超低导通电阻,SiC MOSFET通常需要牺牲一定的短路能力。 SiC MOSFET在短路过程中经历三个阶段:电流迅速上升至峰值;结温升高导致电流下降;最终关闭器件。常见的失效模式包括热失控引发的封装爆炸和顶层金属熔化导致的栅源短路。 英飞凌通过优化器件元胞结构和严格的测试,实现了CoolSiC™ MOSFET在工业与车载等高可靠场景下的稳定短路能力,标称短路耐受时间为2~3微秒。这表明SiC MOSFET的短路特性是可以管理和控制的,关键是合理选择和使用器件,而不是盲目追求长时短路耐受。