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AI浪潮之下，以HBM为代表的高附加值DRAM芯片重要性不断凸显。
存储器是韩国支柱性产业之一，为抓住AI机遇持续推动存储器产业发展，近期，韩媒报道韩国将HBM指定为国家战略技术，并将为三星电子等相关厂商提供税收优惠。
据悉，韩国中小企业可享受高达40%至50%的减免，三星电子等中大型企业可享受高达30%至40%的减免。
HBM三分天下，原厂开发进度一览
HBM（High Bandwidth Memory）即高带宽存储器，属于图形DDR内存的一种，与传统DRAM芯片相比，HBM具备高带宽、高容量、低延时与低功耗等优势，可以加快AI数据处理速度，更适用于ChatGPT等高性能计算场景，因而近年备受存储大厂重视。
目前HBM市场以三星、SK海力士与美光三家存储大厂主导，自2014年首款硅通孔HBM产品问世至今，HBM技术顺利从HBM、HBM2、HBM2E向HBM3、HBM3e迭代。
全球市场研究机构TrendForce集邦咨询调查显示，2023年HBM市场主流为HBM2e，包含NVIDIA A100/A800、AMD MI200以及多数CSPs自研加速芯片皆以此规格设计。为顺应AI加速器芯片需求演进，各原厂计划于2024年推出新产品HBM3e，预期HBM3与HBM3e将成为市场主流。
HBM3e进度依据时间轴排列如下表所示，美光已于2023年7月底提供8hi（24GB）NVIDIA样品、SK海力士已于2023年8月中提供8hi（24GB）样品、三星则于2023年10月初提供8hi（24GB）样品。
至于更高规格的HBM4，集邦咨询预计其有望于2026年推出。目前包含NVIDIA以及其他CSP（云端业者）在未来的产品应用上，规格和效能将更优化。
例如，随着客户对运算效能要求的提升，HBM4在堆栈的层数上，除了现有的12hi (12层)外，也将再往16hi (16层)发展，更高层数也预估带动新堆栈方式hybrid bonding的需求。HBM4 12hi产品将于2026年推出；而16hi产品则预计于2027年问世。
满足需求，原厂积极扩产
随着英伟达、AMD等厂商不断推出高性能GPU产品，三大原厂也在积极规划相对应规格的HBM量产。
此前，媒体报道为了扩大HBM产能，三星已收购三星显示（Samsung Display）韩国天安厂区内部分建筑及设备，用于HBM生产。三星计划在天安厂建立一条新封装线，用于大规模生产HBM，该公司已花费105亿韩元购买上述建筑和设备等，预计追加投资7000亿-1万亿韩元。
美光科技位于台湾地区的台中四厂已于2023年11月初正式启用。美光表示，台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，量产HBM3E及其他产品，从而满足人工智能、数据中心、边缘计算及云端等各类应用日益增长的需求。该公司计划于2024年初开始大量出货HBM3E。
SK海力士在其最新财报中表示，去年在DRAM方面，公司以牵引市场的技术实力积极应对了客户需求，结果公司主力产品DDR5 DRAM和HBM3的收入同比分别增长4倍和5倍以上。同时，为顺应高性能DRAM需求的增长趋势，SK海力士将顺利进行用于AI的存储器HBM3E的量产和HBM4的研发，同时将DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量产品及时供应于服务器和移动端市场。
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