超10亿元！杰华特、汉磊SiC项目签约/扩产

近期，“行家说三代半”发现，国内外又新增3个SiC项目动态，涉及企业包括国内厂商杰华特、中国台湾厂商汉磊、印度厂商Rir Power Electronics：

杰华特：SiC晶圆级功率器件先进封装项目签约

9月4日，2025集成电路（无锡）创新发展大会开幕，会上共签约了57个项目，杰华特的第三代半导体碳化硅晶圆级功率器件先进封装项目就位列其中。据悉，该项目总投资5亿元，位于江苏宜兴市。

近年来，杰华特持续聚焦碳化硅封装领域。2024年11月，杰华特子公司与安徽芯塔电子合资成立了浙江芯塔电子科技有限公司，主营业务就是碳化硅功率模组及其解决方案供应，目标是覆盖更高性能的新能源与汽车电子场景。

通过上述合作，芯塔电子与杰华特共同依托浙江湖州碳化硅功率模块封装产线，结合芯片研发优势，不断开发更高性能和高可靠性的车规级碳化硅功率模块。

杰华特成立于2013年，作为一家快速成长的高性能模拟和数模混合半导体供应商，其始终致力于提供高集成度、高性能与高可靠性的电源管理等芯片产品，涵盖DC-DC、AC-DC、LED驱动等。2025年上半年，杰华特实现营业收入约11.87亿元，对比2024年上半年同比增长58.2%。

汉磊：已启动新一轮的SiC产能倍增计划

汉磊在8月的业绩说明会上披露，他们已正式启动新一轮的产能倍增与技术深化计划。据汉磊披露，此次产能扩张将由旗下负责晶圆代工的汉磊半导体担纲执行。

对此，汉磊董事长黄民奇表示，此次扩张的目的不仅是扩大产能，更是要通过深度的垂直整合，为全球顶尖客户提供一个兼具弹性、质量与成本优势的非IDM合作伙伴首选。据悉，为满足来自欧美日系Tier-1汽车零组件大厂，以及多家AI服务器电源供应商在电动车逆变器、车载充电器等关键应用的强劲订单，汉磊正加速扩充其6吋SiC晶圆的代工产能。

据业内人士消息，汉磊的目标是在2026年上半年将6英寸SiC月产能提升至目前的一倍以上，达到5000片晶圆的规模。与此同时，为应对未来800V以上高压平台对更低导通电阻芯片的需求，汉磊已同步投入资源进行8英寸SiC MOSFET的制程开发。

Rir Power Electronics：投资5亿元建设SiC工厂

9月4日，据“TECHINASIA”报道，印度半导体生产商Rir Power Electronics正在投资 61.8 亿卢比（约合人民币5亿）在奥里萨邦布巴内斯瓦尔建设碳化硅半导体工厂。该报道还披露了该工厂的多个信息：

目前项目已投入运营，运营的重点是碳化硅外延片的产能增长；

预计到2027年12月建成完整的SiC晶圆制造厂；

新工厂将生产MOSFET、IGBT和二极管等高压功率元件。

值得一提的是，该工厂还得到了奥里萨邦政府的财政支持。据悉，今年8月，印度政府再度发力半导体领域，并在政策上优先考虑基于碳化硅的晶圆制造。

本文发自【行家说三代半】，专注第三代半导体（碳化硅和氮化镓）行业观察。