一、公司概况
长江存储科技有限责任公司(简称“长江存储”,英文简称YMTC)成立于2016年7月,总部位于“江城”武汉,是一家集芯片设计、生产制造、封装测试及系统解决方案产品于一体的存储器IDM(垂直整合制造)企业。公司以3D NAND闪存为核心,为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒、嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案,广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心等领域,是国内最大的3D NAND闪存芯片制造商。
2016年,武汉光谷国家存储器基地破土动工,总投资约1600亿元。同年,长江存储整合武汉新芯,在几乎被海外巨头垄断的高端存储芯片市场中孤勇启程。历经近十年发展,长江存储凭借独创的晶栈®Xtacking®架构,在全球3D NAND闪存领域实现了从追赶到并跑再到部分领跑的跨越。2025年9月,长存集团(长江存储母公司)完成股份制改革,全面完成股份制改造。胡润研究院最新发布的《2025全球独角兽榜》中,长江存储以1600亿元估值首次入围,位列中国十大独角兽第9、全球第21,成为半导体行业估值最高的新晋独角兽。2026年2月,长江存储入选2025年度首批“独角兽”企业名单,进一步巩固了其作为国产存储芯片龙头的地位。
长江存储也是国内少数能在核心技术上实现“反向授权”的中国半导体企业。2025年2月,长江存储向海外巨头授权关键技术专利,中国技术实现反向输出,标志着中国存储芯片企业首次在核心技术上成为国际巨头的许可方,实现了历史性突破。目前,长江存储专利申请数量超过1万件(其中发明专利占比95%以上),技术壁垒日益牢固。长存首席科学家霍宗亮曾表示:“Xtacking®已是国际存储器技术的最主流架构。”截至2026年,长江存储累计专利申请超过12000项,其中超5800项为国际专利,每年新增约1300项专利申请,构筑了深厚的知识产权护城河。
长江存储以独创的Xtacking技术路线走出了一条“中国闪存新路”,正加速从技术突破期向市场扩张期迈进,即将登陆资本市场,成为重塑全球存储芯片格局的核心力量。
二、发展历程
长江存储的发展史是一部从零起步、自主突围、弯道超越的中国存储芯片成长史。其发展可分为三个阶段:
| 阶段 | 时间段 | 核心标志 |
|---|---|---|
| 技术突破期 | 2016-2019年 | 整合武汉新芯,首款32层3D NAND研发成功;发布Xtacking架构;首款基于Xtacking的量产产品X1-9050正式量产 |
| 追赶与跨越期 | 2020-2023年 | 128层TLC/QLC产品面世;Xtacking架构持续迭代至3.0;突破232层高端产品,遭遇“实体清单”封锁后加速国产替代 |
| 市场扩张与资本化期 | 2024年至今 | 产能加速释放,市占率持续攀升;Xtacking 4.0发布;三期扩产启动;股改完成,独角兽估值1600亿,IPO渐近 |
详细时间轴如下:
| 年份 | 里程碑事件 |
|---|---|
| 2016年7月 | 长江存储科技有限责任公司正式成立,总部位于武汉 |
| 2016年 | 长江存储整合武汉新芯,武汉光谷国家存储器基地破土动工,总投资约1600亿元 |
| 2017年10月 | 成功设计制造中国首款32层3D NAND闪存,实现国内3D NAND产品从无到有的突破 |
| 2018年8月 | 在全球顶级闪存峰会Flash Memory Summit上发布自主创新架构——晶栈®Xtacking™,首创“外围电路与存储单元分离制造、晶圆键合”技术路线 |
| 2019年8月 | 搭载晶栈®Xtacking®架构的首款量产产品——第二代TLC 3D NAND闪存X1-9050实现小规模量产 |
| 2020年4月 | 宣布第三代TLC/QLC两款产品研发成功,其中X2-6070作为首款第三代QLC闪存,拥有当时业界最高的I/O速度、存储密度和单颗容量 |
| 2021年 | 推出第四代128层TLC 3D NAND闪存X3-9070,性能对标国际一线产品 |
| 2022年8月 | 晶栈®Xtacking®3.0荣获FMS 2022“最具创新存储技术奖”,再度收获全球闪存行业对其技术路线的肯定 |
| 2022年10月 | 被美国列入“实体清单”,面临设备断供和技术封锁,加速推进供应链国产化进程 |
| 2023年 | 推出232层“武当山”芯片,等效存储密度达294层,跻身全球顶级梯队 |
| 2024年 | 晶栈®Xtacking®4.0技术平台发布,国产化率持续提升 |
| 2025年3月 | 发布三款基于晶栈®Xtacking®4.0架构的新品,涵盖企业级与消费级等多个场景 |
| 2025年8月 | 晶栈®Xtacking®4.0荣获FMS 2025“最具创新存储技术奖”,这是长江存储第三次获得FMS奖项 |
| 2025年9月 | 长存集团召开股份公司成立大会,股份制改革全面完成 |
| 2025年9月 | 长江存储三期项目注册成立,注册资本207.2亿元 |
| 2026年Q1 | 一季度营收突破200亿元,同比增长翻倍,全球NAND市场份额超10% |
| 2026年4月 | 武汉发布2026年重大项目规划,380亿美元存储扩产计划正式官宣 |
| 2026年下半年 | 三期晶圆厂预计启动量产,月产能目标30万片,NAND产能有望跃居全球第三 |
三、主营业务与产品线
长江存储以3D NAND闪存为核心,构建了涵盖闪存晶圆、闪存颗粒、嵌入式存储芯片、消费级SSD和企业级SSD的完整产品体系。与多数无晶圆厂芯片设计公司不同,长江存储采用IDM(垂直整合制造) 模式运营,集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体,能够实现从核心技术研发到终端产品交付的全链条自主可控。
1. 核心技术:晶栈®Xtacking®架构
晶栈®Xtacking® 是长江存储自主研发的核心3D NAND闪存架构技术,自2018年首次发布以来,已历经1.0至4.0四代迭代升级,被誉为“中国闪存新路”。
晶栈技术代际演进表:
| 技术代际 | 发布时间 | 核心特征 | I/O速度 | 代表作 |
|---|---|---|---|---|
| Xtacking 1.0 | 2018年8月 | 首创“外围电路与存储单元分离制造、晶圆键合”架构 | 800-1600MT/s | X1-9050(256Gb) |
| Xtacking 2.0 | 2020-2022年 | 持续优化键合工艺和良率,存储密度显著提升 | 2400MT/s | X2-6070(1.33Tb QLC) |
| Xtacking 3.0 | 2022-2024年 | 荣获FMS 2022“最具创新存储技术奖”,架构进一步成熟 | 2400MT/s | X3-9070(512Gb TLC)、UC341 UFS 3.1 |
| Xtacking 4.0 | 2024-2025年 | 高密度、高I/O、高能效,荣获FMS 2025“最具创新存储技术奖” | 3600MT/s | X4-9070(1Tb TLC)、X4-6080(2Tb QLC) |
与传统3D NAND闪存架构相比,晶栈®Xtacking®架构通过CMOS-Array混合键合技术将外围电路和存储单元分别在两片独立的晶圆上加工,再将它们通过数十亿根垂直互联通道键合形成一个整体。这一创新架构带来了四大核心优势:
| 优势维度 | 关键能力 |
|---|---|
| 更快的I/O速度 | 外围电路独立选用更先进的逻辑工艺,晶栈4.0实现高达3600MT/s的I/O传输速率 |
| 更高的存储密度 | 外围电路置于存储单元之上,芯片面积减少约25%,可在相同面积上容纳更多存储单元 |
| 更高的可靠性 | 模块化并行制造流程,产品开发时间缩短三个月,生产周期缩短20% |
| 更优的成本结构 | 随着堆叠层数增高,晶栈架构的成本优势将更加明显 |
晶栈技术的进步不仅体现在I/O速度从最初的800MT/s提升至4.0时代的3600MT/s,更在产品线布局上全面铺开——从512Gb到2Tb的产品线已实现量产覆盖。
2. 3D NAND闪存芯片产品矩阵
长江存储的3D NAND闪存芯片产品覆盖TLC和QLC两大技术路线,容量覆盖256Gb、512Gb、1Tb、1.33Tb到2Tb,已形成完整代际梯次:
| 产品型号 | 发布年份 | 架构平台 | 存储类型 | 容量 | I/O速度 | 工艺/特征 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| X1-9050 | 2019 | Xtacking 1.0 | TLC | 256Gb | 800MT/s | 首款基于Xtacking架构的量产产品 |
| X2-9060 | 2020 | Xtacking 2.0 | TLC | 512Gb | 2400MT/s | 存储密度相比上代提升48% |
| X2-6070 | 2020 | Xtacking 2.0 | QLC | 1.33Tb | 2400MT/s | 首款128层QLC,当时业界最高单位面积存储密度 |
| X3-9070 | 2021 | Xtacking 3.0 | TLC | 512Gb | 2400MT/s | 存储密度相比上代提升36% |
| X4-9070 | 2025 | Xtacking 4.0 | TLC | 1Tb | 3600MT/s | 第五代3D NAND代表性产品 |
| X4-6080 | 2025 | Xtacking 4.0 | QLC | 2Tb | 3600MT/s | 第五代3D NAND高密度QLC产品 |
*注:X代表Xtacking架构,第一位数代表代际,第二位数字代表存储单元类型(9=TLC,6=QLC),第三位及以后代表容量或序列标识。*
产品线演进核心节点如下:
X1-9050(2019年8月量产):长江存储首款基于晶栈®Xtacking®架构并实现规模量产的产品,单颗芯片容量256Gb,最高速度800MT/s。
X2-6070(2020年4月):业内首款128层QLC规格的3D NAND闪存,单颗容量达1.33Tb,拥有当时业界已知型号产品中最高单位面积存储密度、最高I/O传输速度和最高单颗容量。
X3-9070(2021年):业界领先的512Gb TLC 3D NAND闪存,相比上一代产品密度提升36%。
X4-9070 / X4-6080(2025年):基于晶栈®Xtacking®4.0架构的第五代3D NAND代表性产品,分别拥有1Tb和2Tb存储容量,I/O传输速率达到3600MT/s。
截至2026年,长江存储已有十余款闪存芯片产品在全球范围内规模量产及商用,产品线覆盖从256Gb到2Tb的完整容量区间,层数覆盖64层至300层以上。
3. 嵌入式存储产品
长江存储的嵌入式存储产品线以UC341系列UFS 3.1为代表,面向旗舰智能手机、高端笔记本、VR/AR以及AIoT设备等高性能场景:
| 产品型号 | 接口标准 | NAND技术 | 容量选项 | 读取速度 | 写入速度 | 特色功能 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| YMTC UC341 | UFS 3.1 | Xtacking 3.0 TLC | 128GB/256GB/512GB | 最高2000MB/s | 128GB版1600MB/s;256/512GB版1900MB/s | Hint HID、Trace Dump |
UC341采用基于晶栈®Xtacking®3.0的长江存储TLC 3D NAND打造,具备高性能、低功耗、稳定可靠等特性,引入多极自主优化(Hint HID)和行为日志(Trace Dump)等创新功能,可提供128GB、256GB及512GB三种容量选择。经过多次技术迭代,UC341方案成熟、产品可靠、供应平稳。
4. 消费级SSD产品
致态(ZHITAI) 是长江存储面向消费级市场打造的SSD自有品牌。致态产品系列包含TiPlus、TiPro和Ti系列,均采用长江存储自研Xtacking架构3D NAND闪存芯片。近年来,致态SSD凭借高性价比和国产标签,正逐步挤压三星等国际品牌在国内消费市场的空间。
致态主要产品系列对比:
| 产品系列 | 接口协议 | NAND技术 | 容量范围 | 定位 | 核心卖点 |
|---|---|---|---|---|---|
| TiPlus 7100 | PCIe 4.0 | Xtacking 3.0 TLC | 512GB-2TB | 主流高性能 | 单面颗粒,发热控制优秀 |
| TiPro 7000 | PCIe 4.0 | Xtacking 2.0 TLC | 512GB-2TB | 旗舰性能 | 高性能散热片设计 |
| Ti系列(SC001等) | SATA III | Xtacking TLC | 256GB-1TB | 性价比入门 | 稳定可靠 |
5. 企业级SSD产品
长江存储近年来在企业级SSD市场发力显著,其企业级产品线主要服务于数据中心、云计算和AI服务器等场景。
(1)SE006企业级SATA III SSD
SE006是长江存储面向数据中心、云计算和AI服务器推出的最新一代启动盘,同时适用于读取密集型应用。该产品基于晶栈®Xtacking®4.0技术打造的最新一代X4-9070 3D NAND闪存制造。
| 核心参数 | SE006 |
|---|---|
| 接口类型 | SATA III |
| 外形尺寸 | 2.5英寸7mm |
| 容量选项 | 480GB / 960GB / 1920GB / 3840GB / 7680GB |
| 顺序读/写 | 560MB/s / 530MB/s |
| 随机读/写IOPS | 最高97K / 40K |
| 平均无故障时间 | 200万小时 |
| 掉电保护 | 支持(超7000次异常掉电循环测试) |
| 兼容性 | 超过34种主流服务器+18种主流RAID控制器完成兼容适配 |
| 保修 | 5年 |
(2)PE系列企业级PCIe SSD
PC411、PE311等PE系列产品采用PCIe 4.0接口,使用长江存储自研主控和晶栈Xtacking 3D NAND闪存,广泛应用于主流数据中心领域。
6. 晶圆及颗粒产品
长江存储为全球存储模组厂商提供3D NAND闪存晶圆及NAND Flash颗粒,下游合作伙伴包括海力士、西部数据、闪迪等全球知名存储企业。2025年,长江存储NAND Flash晶圆年产量达177万片,预计2026年将接近200万片。
四、技术实力与行业地位
1. 核心技术积累
| 技术维度 | 核心能力与成果 |
|---|---|
| IDM模式 | 集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体的垂直整合制造,全链条自主可控 |
| 晶栈®Xtacking®架构 | 独创的CMOS-Array混合键合技术,从1.0迭代至4.0,I/O速度达3600MT/s,芯片面积减少约25% |
| 高堆叠层数 | 量产堆叠层数覆盖64层至300层以上,等效存储密度国际领先,300层NAND良率预计2026年内趋于稳定 |
| 存储密度 | 1Tb TLC闪存实现业界领先的存储密度,企业级/消费级全场景覆盖 |
| 知识产权 | 累计专利申请超12000项(其中发明专利超95%),累计国际专利申请超5800项 |
| 供应链国产化 | 三期工厂国产设备采购占比突破50%,中微公司、北方华创、鼎龙股份等国产供应链深度参与 |
2. 市场排名与行业地位
长江存储的市场地位在过去一年实现了爆发式跃升:
| 排名维度 | 长江存储的市场地位 |
|---|---|
| 全球NAND市场份额 | 2026年一季度超过10%,逼近全球第三的美光 |
| 市场份额目标 | 计划到2026年底达到全球15% |
| 全球NAND出货量排名 | 2025年三季度位列全球前五,目标2026年Q3起超过SK海力士和美光,跃居全球第三 |
| 产能目标 | 三期投产后月产能目标30万片,总产能翻倍,NAND产量有望超越美光跃居全球第三 |
| 国内地位 | 中国内地最大的3D NAND闪存芯片制造商 |
| 独角兽估值 | 1600亿元,胡润2025全球独角兽榜中国第9、全球第21 |
2025年全球NAND Flash市场规模约558亿美元,若长江存储市占率从8%提升至15%,按2025年市场规模计算,其营收规模将从约44亿美元提升至超80亿美元,有望在2026年超越西部数据或铠侠,改写全球存储芯片竞争版图。
3. 全球竞争格局:NAND Flash市场玩家版图
| 排名 | 厂商 | 2025年H1市占率(Trendforce) | 趋势/特征 |
|---|---|---|---|
| 1 | 三星电子 | 约35% | 传统寡头,市占率近年有所下滑 |
| 2 | 铠侠 | 约20% | 稳定在第二阵营 |
| 3 | SK海力士(含Solidigm) | 约19% | 中端市占稳固 |
| 4 | 美光科技 | 约12-13% | 排名第四 |
| 5 | 西部数据 | 约10-11% | 正在被长江存储逼近 |
| 6 | 长江存储 | 约11%(2025年Q3);2026年Q1超10%;Q2目标13-15% | 增长最快的NAND原厂,国产化设备占比突破50%,华为手机闪存主力供应商 |
各厂商2025年H1市占率排序:三星、铠侠、SK海力士(含Solidigm)、美光、西部数据、其他。长江存储是增长速度最快的厂商。
根据Counterpoint数据,2025年第三季度长江存储全球NAND出货量占比达到13%,同比增长4个百分点,紧追美光。产能方面,长江存储武汉一期和二期产线已接近满产,其中一期月产能达10万片,二期于2024年投产后仅两年即达6万片/月的设计上限。三期项目注册资本207.2亿元,目标月产能30万片,2025年9月成立,目前已进入设备安装调试阶段,预计2026年下半年正式启动量产。若三期全线达产,总产能有望翻倍增长,公司NAND产量有望跃居全球第三。
4. 商业模式
长江存储采用 “IDM+国产化协同” 的独特经营模式——集芯片设计、晶圆制造、封装测试于一体,实现全链条自主可控。公司坚持长期高强度研发投入和自主技术创新,拥有超过90%的核心研发人员,累计申请专利超12000项。与此同时,公司积极推动设备国产化进程,在三期扩产中,国产设备采购占比首次突破50%,单厂超过50%的设备来自国内供应商,带动中微公司、北方华创、鼎龙股份、昌红科技、精测电子等一批本土半导体设备与材料企业发展,形成了较完善的国产供应链协同。
长江存储以IDM模式为基础,叠加“自主研发+国产替代”双轮驱动,正在将供应链自主化与技术迭代深度绑定。公司正从技术追赶期全面迈入市场领先期。
5. 荣誉与奖项
长江存储依托晶栈®Xtacking®技术持续获得全球行业认可,累计已三次获得FMS(未来内存与存储峰会)奖项,是国内在FMS获奖次数最多的存储企业:
| 年份 | 奖项/荣誉 | 颁发机构/说明 | |
|---|---|---|---|
| 2018年 | 最具创新初创闪存企业奖 | FMS(FMS 2018) | |
| 2022年8月 | 最具创新存储技术奖 | FMS 2022“异构存储集成”类别 | |
| 2023年3月 | 最佳行业价值贡献奖 | 中国闪存市场峰会 | |
| 2024年3月 | 年度技术突破奖 | CFMS | MemoryS 2024(基于X3-6070 QLC) |
| 2025年3月 | 年度闪存技术创新奖 | CFMS | MemoryS 2025(X4-9060/X4-9070/X4-6080) |
| 2025年8月 | 最具创新存储技术奖 | FMS 2025(晶栈®Xtacking®4.0) | |
| 2025年 | 2025全球独角兽榜第21位 | 胡润研究院,估值1600亿元 | |
| 2025年 | 首批国家知识产权优势企业 | 国家知识产权局 | |
| 2026年2月 | 首批“独角兽”企业认定 | 湖北省政府 |
此外,长江存储还荣获了中国电子学会科学技术一等奖、湖北省科技进步一等奖等多项国家级和省部级荣誉。
6. 战略愿景
长江存储以“成为存储技术的领先者、全球半导体产业的核心价值贡献者”为战略目标,致力将晶栈®Xtacking®技术打造成全球3D NAND行业的主流技术路线。公司的战略发展聚焦以下方向:
产能扩张:在完成现有三期项目建设后,计划在武汉再投建两座新晶圆厂,总产能实现翻倍增长,目标到2026年底占据全球NAND市场15%份额。
技术迭代:加速提升200层以上高堆叠NAND产品占比,加速推进300层以上产品量产和下一代晶栈5.0技术研发。
国产替代:持续提升供应链国产化率,力争建成完全自主化产线,深化与国内设备材料厂商的战略协作。
IPO上市:全力冲刺资本市场上市,目前正处于IPO倒计时阶段,有望成为国内“存储芯片第一股”。
五、客户与生态
1. 客户网络
长江存储的客户覆盖消费电子、企业级存储、汽车电子及工业控制四大场景,形成了“全球知名品牌+国内龙头终端+ODM供应链”的立体客户体系:
| 客户类型 | 代表客户/合作伙伴 | 合作内容 |
|---|---|---|
| 消费电子终端品牌 | 华为、小米、OPPO、vivo | 致态SSD产品及NAND闪存供应;华为AI手机Mate/P系列闪存主力供应商 |
| 笔记本电脑厂商 | 联想、惠普、戴尔(间接)、华硕 | 致态SSD在多款主流轻薄本/游戏本中规模化预装 |
| 数据中心/云服务厂商 | 阿里云、腾讯云、百度云、金山云、京东云 | 企业级SSD规模化导入和数据中心SSD联合验证 |
| PC OEM及服务器整机厂 | 浪潮信息、新华三、中科曙光、宁畅、长江计算 | 国产服务器企业级SSD主力供应商 |
| 全球存储模组厂商 | 金士顿、威刚、群联电子、江波龙、硅格半导体等 | NAND晶圆及颗粒供应 |
| 嵌入式存储合作伙伴 | 联发科(天玑平台)、瑞芯微、全志等 | 嵌入式存储UFS产品平台级验证兼容 |
2024年以来,存储芯片供应需求矛盾加剧,下游市场进入“有货为王”阶段。据供应链消息,自2025年第四季度起,客户须“先付款、后排队排产”方能等候交付,足见长江存储NAND芯片市场热度高涨。致态SSD市场份额持续走高,不仅在国内电商平台全闪存类目长期位居前列,还成为多家头部互联网云厂商数据中心SSD的国产核心供应商。
2. 供应链国产化生态
长江存储的迅猛扩产,直接带火了国内半导体设备、材料和零部件产业。在三期新产线中,长江存储国产设备采购占比首次超过50%,被行业称为“史诗级扩产”的深层意义,是国产供应链在存储赛道实现了从“备选”到“主力”的关键突破。
长江存储核心国产供应商全景:
| 供应商 | 供应链角色 | 核心产品 | 在长江存储的进展及份额 |
|---|---|---|---|
| 中微公司 | 刻蚀设备龙头 | 介质刻蚀机 | 294层产线核心供应商,介质刻蚀市占率超30%,2026年长存订单预计48亿元;刻蚀设备反应台全球出货超6800台 |
| 北方华创 | 关键设备 | 刻蚀、PVD、CVD | 多款刻蚀与薄膜设备在长江存储产线广泛应用 |
| 鼎龙股份 | CMP材料 | CMP抛光垫、抛光液 | 适应存储芯片全流程工艺,已在长江存储规模化供应 |
| 昌红科技 | 晶圆载具供应商 | 晶圆载具 | 2025年小批量供货,2026年采购份额快速提升超半数,有望成为新产线baseline供应商 |
| 精测电子 | 量测检测设备 | 前道/后道检测设备 | 长江存储设备体系已形成规模化订单,2025年半导体业务净利润同比增长约182%-192% |
| 华海清科 | CMP设备 | 化学机械抛光设备 | CMP设备在长江存储产线规模化部署 |
武汉光谷高新区还围绕长江存储集聚了超过300家集成电路相关企业,构建起从设计到制造再到封测的完整产业链闭环。
3. 国际合作与专利生态
值得关注的是,在经历美国实体清单限制后,长江存储不仅没有被“卡死”,反而凭借其核心技术实现历史性突破。
2025年2月,据韩国媒体报道,三星电子已与长江存储签署了开发堆叠400多层NAND Flash所需“混合键合”技术的专利许可协议。这使得中国存储芯片企业历史上首次在核心工艺技术上成为国际巨头的技术许可方,标志着长江存储的专利壁垒和技术影响力已达到世界一流水平。
长江存储与全球NAND供应链的晶圆代工厂、全球主流模组客户以及产业链上下游设备厂商形成了紧密的合作网络。
4. 业绩与财务表现
| 指标 | 2025年 | 2026年Q1 | 变化趋势 |
|---|---|---|---|
| 晶圆年产量 | 约177万片(12英寸约当) | 2026年全年预计接近200万片 | 产量快速爬升 |
| 营收(估算) | 约400亿元 | 约200亿元+ | 同比翻倍增长 |
| 全球NAND份额 | 约8.1%(年初)→13%(Q3)→~11%-12%(Q4) | 超过10%(逼近美光) | 份额同比翻倍式增长,成为全球增速最快的NAND原厂 |
| 产能 | 一期10万片/月 + 二期6万片/月 | 三期30万片/月产线逐步投产 | 预计总产能翻倍以上 |
| 估值 | 股改完成,1600亿元 | IPO倒计时 | 公司进入资产化加速期 |
市场调研机构数据显示,长江存储在全球NAND Flash市场的份额从2024年底的不足6%快速提升至2025年三季度的13%左右(按出货量计算),2026年一季度稳居10%以上且逼近美光。2025年全年公司总营收约400亿元人民币,同比增长超过150%。
据产业链消息,长江存储正处于IPO倒计时冲刺阶段,有望成为国内首家NAND Flash存储芯片原厂上市标的,将在资本市场进一步释放增长势能。
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