戴伟民：FD SOI与FinFET将双轮并行，把握边缘AI新机遇

2026年9月20日，上海——今日，第十一届上海FD-SOI论坛在上海浦东香格里拉大酒店浦江楼三楼大宴会厅隆重召开。

作为全球FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）技术领域最具影响力的年度盛会之一，本届论坛汇聚了来自全球半导体产业链的顶尖企业、学术机构及行业专家，共同探讨FD-SOI技术在边缘AI、汽车电子、5G/6G通信等前沿领域的最新突破与产业化路径。

论坛在芯原股份董事长、首席执行官、总裁戴伟民的开幕致辞中正式拉开帷幕。戴伟民长期致力于推动FD-SOI生态在中国的发展，其领导下的芯原股份已成为FD-SOI设计实现领域的重要力量。

图 | 芯原股份董事长、首席执行官、总裁戴伟民致辞

回溯技术本源，早在2001年，加州大学伯克利分校胡正明团队就提出面向20nm以下的两条CMOS技术路径：FinFET三维晶体管与FD‑SOI二维全耗尽晶体管。

戴伟民指出，二者并非替代竞争关系，而是半导体行业 “两条腿走路” 的互补方案。

• FinFET擅长高性能计算，适配云服务器、高端消费电子等高算力场景；
• FD‑SOI依托超薄沟道、全介质隔离的架构，拥有低功耗、优秀射频性能、模数高集成的独特优势，更适配物联网、自动驾驶、毫米波雷达、航空航天、长待机终端与边缘 AI。

进入2024-026年，全球FD‑SOI先进节点迎来密集突破。

图 | FD-SOI产业里程碑事件

ST与三星联合推出18nm FD‑SOI工艺，集成嵌入式相变存储器ePCM，实现性能、功耗、存储容量同步升级，基于该工艺的STM32V8工业MCU已于2026年第一季度实现出货。

欧洲FAMES中试线在欧盟芯片法案支持下攻坚10nm/7nm FD‑SOI，总预算8.3亿欧元，2026年已交付10nm探索版 PDK，稳步向更先进工艺推进。

在国内，FD‑SOI 已经建立清晰的代际发展路线：G1（28/22/20nm）、G2（18/14/12nm）、G3（10nm及7nm以下）。Soitec、新傲芯翼提供12英寸 FD‑SOI 衬底保障供应链；SOI Micro 完成 B 轮融资，将建设国内首条 FD‑SOI 量产产线，补齐本土制造关键环节。

应用市场方面，FD‑SOI 技术深度赋能汽车电子、IoT 可穿戴、边缘 AI、5G/6G 毫米波通信、卫星航天，覆盖车载 MCU、雷达芯片、V2X、AI 终端、射频前端等大量场景。市场数据显示，FD‑SOI 目标市场将持续高速扩张，预计2030年月度等效晶圆需求将达到127.6万片，边缘 AI 将成为核心增长驱动力。

图 | FD-SOI市场规模情况

戴伟民在致辞中呼吁，FD‑SOI产业发展需要全球产业链协同。从衬底、制造、IP设计到终端应用，上下游要开放共建生态。芯原也将持续输出在体偏置设计、嵌入式MRAM、3D异构集成的量产经验，助力更多客户抓住边缘智能时代的发展红利。