9000V 突破之后,别再走碳化硅的老路!
武汉九峰山实验室成功研制出击穿电压高达9.02kV的氧化镓横向MOSFET,标志着国内在超高压氧化镓功率器件领域达到国际先进水平。此次突破不仅展示了高性能的器件结构设计,还强调了使用国产材料的重要性,提升了自主可控能力。此外,九峰山实验室在氧化镓器件的专利申请量领先全球,并对外提供衬底、外延片和流片服务,推动行业共同发展。 然而,国内氧化镓产业仍面临诸多挑战,包括材料量产难题、器件研发滞后、产业链配套不足以及资本投入不足等问题。尽管如此,氧化镓具有巨大的市场潜力,尤其是在超高压领域的应用前景广阔。因此,应吸取碳化硅的经验教训,注重材料工艺、产业链配套和应用场景的全面发展,以实现氧化镓的商业化成功。