【存储器】Intel重回存储器制造?XBM专利剑指系统级封装
Intel重返存储器制造,陈立武提出未来十年全面重构计划,重点关注HBM内存与CPU芯片的超密堆叠封装。Intel近期提交了一项名为XBM的专利,旨在解决传统HBM内存组装成本高昂的问题,通过后端晶体管和串行通用芯片互连高速链路取代传统的DRAM及其超宽接口,有望降低封装成本并提高性能。此外,Intel还与软银子公司SAIMEMORY合作开发Z-Angle Memory(ZAM),采用熔合键合技术,将九层DRAM堆叠在一起,带宽密度可达HBM4的两倍。这些举措表明Intel正积极应对AI算力集群带来的存储需求增长,力求在存储器领域取得突破。