长鑫存储

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  • 长鑫追上美光,真正被震动的不是DRAM
    长鑫存储6月26日上了微博热搜。起因是半导体机构SemiAnalysis的一份报告显示,到2026年底,长鑫12英寸等效晶圆月产能有望达到35万片,已经非常接近美光37.5万至38.5万片的水平。 如果只看数字,结论是:长鑫正在逼近全球DRAM第一梯队。但这个故事,真正值得看的不只是DRAM本身。 一、一座DRAM工厂,一套“同步系统” 很多人理解DRAM,是一颗颗内存芯片。但一座12英寸DRAM
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    06/27 16:38
  • 长鑫存储目标市占20%,问鼎全球前三
    长鑫存储(CXMT)历经十年发展,终于上市,标志着中国在存储半导体领域摆脱对韩国公司的依赖,实现自主。CXMT凭借内存市场的繁荣迅速扭转巨额亏损,计划通过IPO筹集资金,加速产能扩展和技术研发,目标是在2030年超越美光,成为全球第三大DRAM厂商。面对韩国存储半导体公司的挑战,CXMT得到国家全力支持,有望在未来几年内显著扩大市场份额,对中国国内存储市场产生重大影响。
  • 芯片公司介绍·求职内参|第10期|长鑫存储
    长鑫存储(CXMT)是中国大陆唯一实现DRAM大规模量产的企业,成立于2016年,总部位于安徽合肥。公司采用IDM模式,专注于DRAM芯片的研发、生产和销售,是中国DRAM市场的第四大厂商,并于2026年5月27日成功过会科创板IPO,募资295亿元。自成立以来,长鑫存储历经九年亏损,最终在2026年Q1实现了单季盈利247.62亿元,展现出强劲的增长势头。 长鑫存储的产品线涵盖了LPDDR系列和DDR系列,其中LPDDR系列在2025年贡献了超过66%的营收,而DDR系列也在不断扩展其市场份额。公司的技术实力雄厚,拥有先进的制程工艺和专利储备,同时积极布局HBM3等下一代存储技术。 在下游客户方面,长鑫存储已经进入了中国主流科技企业的供应链,包括阿里云、字节跳动、腾讯等。此外,公司还推动了上游国产替代进程,在化学品、备品备件、光刻胶和硅片等领域取得了显著进展。 作为一家IDM企业,长鑫存储不仅在技术和产品上具有竞争力,还在人力资源管理和企业文化建设上下足功夫。公司提供丰厚的薪酬福利,尤其是股权激励计划,吸引了大量优秀人才加入。对于求职者来说,长鑫存储是一个极具吸引力的选择,尤其是在半导体行业的快速发展背景下。
    1.2万
    06/03 14:25
  • 业绩炸裂!长鑫科技Q1利润:高达330亿!
    长鑫科技计划于2026年5月17日冲刺科创板上市,拟募资295亿元,目标成为中国半导体存储产业的领军者。该公司自成立以来,历经九年发展,已成为全球第四大DRAM制造商,并在2025年实现了显著的业绩增长,营收和净利润大幅上升。此次IPO的资金主要用于技术升级和高端产品研发,旨在缩小与国际领先企业的技术差距,推动国产存储替代进程。尽管面临行业周期性和技术追赶的压力,长鑫科技凭借强大的研发能力和国资背景的支持,有望在未来几年内进一步扩大市场份额,为中国半导体产业的自主可控贡献力量。
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    05/18 18:01
  • 苹果将引入长鑫、长江存储?
    近日,国内多家科技媒体都报道了“苹果将引入长鑫、长江存储到自己的供应链,以应对不断涨价的存储芯片”这一新闻,这到底是空穴来风还是真有其事? 个人推测 个人认为该消息极有可能是基于以下行业背景和市场传闻的综合解读与推测: 首先是供应链的博弈策略,当前存储芯片市场价格波动较大,且三星、SK海力士、美光、铠侠等主要供应商拥有较强的定价权。市场分析人士普遍认为,苹果为了在谈判中获得筹码、压低采购成本,有动
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    02/25 09:00
    苹果将引入长鑫、长江存储?
  • 长存/长鑫被移出美国1260H清单!
    2026年2月14日,全球半导体产业迎来一则重磅消息:美国国防部正式更新1260H清单(中国军事企业清单),长江存储(YMTC)、长鑫存储(CXMT) 两大中国存储芯片龙头被正式移出。
  • 本土存储厂商的“备胎时刻”
    全球存储产能紧张下,头部厂商转向数据中心用料,导致通用型DRAM与NAND产能受挤。多家国际PC厂商开始评估并引入中国存储,如长鑫存储和长江存储加快扩产步伐。中国存储厂商正从低价竞争转向高质量交付承诺,面对美国实体清单禁锢,需平衡产能规模与合规性。未来三年内,量产能力和交付承诺将成为衡量中国存储是否能成为“潜在第四极”的关键因素。
    本土存储厂商的“备胎时刻”
  • 被三星垄断30年的行业,长鑫存储正在硬闯
    长鑫存储作为中国唯一具备量产、迭代、放量能力的DRAM制造商,在全球仅剩三家巨头垄断的情况下,成功打破了中国在该领域的长期封锁。尽管面临高昂的投资和技术迭代挑战,长鑫通过扩产、升级工艺和持续研发,不仅实现了EBITDA转正,还显著降低了亏损,并预计在未来两至三年内实现盈利。其完整的IDM一体化能力和跳代式技术路线为其提供了强大的竞争力,同时独特的股权结构确保了公司的稳定发展。
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    01/08 10:42
    被三星垄断30年的行业,长鑫存储正在硬闯
  • 长鑫存储预计去年营收580亿,净利润35亿!
    长鑫存储科技(CXMT)宣布,公司去年实现了有史以来的首次年度盈利。
    长鑫存储预计去年营收580亿,净利润35亿!
  • 长鑫存储“双芯"亮相IC China,首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps
    长鑫存储在IC China 2025(中国国际半导体博览会)上正式发布其最新DDR5产品系列:最高速率达8000Mbps,最高颗粒容量24Gb,均达到国际领先水平,并同步推出覆盖服务器、工作站及个人电脑全领域的七大模组产品。 此次长鑫存储以“双芯共振,5力全开”为主题,同台展示了最新DDR5系列产品以及最高速率10667 Mbps、最高颗粒容量16Gb的最新LPDDR5X移动端内存。其两大产品系列
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    2025/11/24
    长鑫存储“双芯"亮相IC China,首发DDR5高端新品最高速率达8000Mbps
  • IEDM见证中国创新路径,长鑫存储展现DRAM关键技术攻
    近日,在第71届国际电子器件大会(IEDM)的议程内,一场由北京大学研究员主讲的研讨会引发关注。其主题为“面向边缘大模型的器件 - 阵列 - 系统协同优化:基于BEOL FeFET的高精度高吞吐量多位模拟存内计算(ACiM)宏单元”, 直指边缘计算场景中算力瓶颈的破解路径。 模拟存内计算长期被视为提升边缘大模型能效的关键技术,但其可靠性问题一直制约落地。北京大学的研究通过器件-阵列-系统三级协同优
  • 估值3000亿!传国产DRAM龙头明年冲刺IPO
    长鑫存储计划明年一季度在上海进行首次公开募股,目标估值高达3000亿元人民币。作为国内唯一实现大规模量产通用型DRAM的IDM企业,长鑫存储正在加大投资以追赶韩国海力士和三星,特别是在高带宽内存领域。
    估值3000亿!传国产DRAM龙头明年冲刺IPO
  • 长鑫存储完成首期上市辅导,罕见34人豪华团队护航
    长鑫存储IPO辅导完成,迎“量价齐升”黄金周期机遇,有望成为A股半导体重量级玩家。
    长鑫存储完成首期上市辅导,罕见34人豪华团队护航
  • 国产HBM3突破!
    长鑫存储已开始向华为供应第四代高带宽存储器(HBM3)样品,计划将其集成到AI芯片“昇腾910C”中,以提升产品性能。该样品基于自主“G4”存储工艺,采用16nm制程,相比前一代工艺缩小20%面积,能效优化显著。长鑫存储正积极扩充HBM产能,目标在2025年第四季度提升至每月约5万片晶圆。华为昇腾910C计划搭载长鑫存储的HBM3,有望显著提升其AI算力表现。
    国产HBM3突破!
  • 1400亿,合肥重磅芯片IPO!清华帮掌舵,阿里小米参投,注册资本602亿
    清华校友,又要干出一个巨型芯片IPO!作者 |  ZeR0 编辑 |  漠影 芯东西7月7日报道,今日,安徽DRAM存储芯片巨头长鑫科技在安徽证监局办理辅导备案登记,正式启动A股上市进程,辅导机构为中国国际金融股份有限公司、中信建投证券股份有限公司。长鑫科技成立于2016年6月,注册资本为601.93亿元,法定代表人是长鑫科技董事兼总经理赵纶,无控股股东,第一大股东合肥清辉集电企业管理合伙企业(有
  • 长鑫量产DDR5存储芯片
    不久前,长鑫存储发布针对服务器及 PC 应用的 DDR4 发布产品结束通知,预计最晚在 2026 年上半年正式停止供货,未来将不再开发标准 DDR4 产品,仅保留部分产线保障消费市场的 DDR4 产品供应,其重心将转至 DDR5 及高带宽内存(HBM)领域。
    1985
    2025/06/19
    长鑫量产DDR5存储芯片
  • 长鑫存储DRAM份额将增至12%
    随着市场份额稳步提升的中国企业的崛起,持续数年的三星电子、SK海力士、美光三足鼎立的格局将被打破。
  • 中韩存储技术差距缩至3年
    长鑫存储科技(CXMT)已采用 16 纳米技术量产 DDR5 DRAM。据业界1月26日报道,半导体市场研究公司TechInsights近日报道称,“中国分销市场发布的32GB DDR5 DRAM模组由长鑫存储的16Gb(千兆位)DDR5 DRAM组成”,而“长鑫存储最新的16㎚采用了‘G4’ DRAM 技术”。 TechInsights 获取并分析了上个月上市的中国 DDR5 DRAM模组。DDR5 DRAM 的容量更大,传输速度大约是其前身 DDR4 的两倍。
    中韩存储技术差距缩至3年
  • 传长鑫存储3倍年薪挖角千人
    金先生,长鑫存储科技有限公司(CXMT)负责开发的高级副总裁,是韩国人,毕业于韩国著名大学,曾在三星电子从事DRAM设计和开发工作26年。金先生曾担任三星电子研究员(高管)和一家附属公司负责战略营销的高管,于 2019 年 11 月移居中国,五年多来一直领导长鑫存储的尖端 DRAM 开发。得益于这支“外籍工程师团队”,长鑫存储以超出市场预期的速度进军传统DRAM市场,目前正投入到HBM和DRAM 开发。
    传长鑫存储3倍年薪挖角千人

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