SiC JFET_SiC JFET是什么意思

追平国际头部，国产SiC JFET迎来新篇章

SiC JFET作为一项沉寂多年的技术，近年来因其在固态断路器等直流高压场景下的独特优势再次受到关注。随着多家功率半导体厂商推出相关产品，特别是安森美和至信微等企业在固态断路器领域的批量交付，标志着SiC JFET正在加速产业化进程。至信微凭借其深厚的行业背景和技术积累，率先推出了具有竞争力的1200V 5mΩ SiC JFET，展示了其在技术创新和市场应用方面的实力。

行家说三代半

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09/08 17:04

SiC SiC JFET

CoolSiC™ JFET技术解析 | 为什么固态断路器（SSCB）越来越多采用SiC JFET？

固态断路器（SSCB）的关键要求包括超低导通损耗、高电流承载能力和强雪崩耐受能力。CoolSiC™ JFET因其更低的RDS(on)，无栅氧层可靠性问题，更强的雪崩能力，成为SSCB和高压配电系统的理想选择。在新一代电力输送与配电系统向高比例新能源、高压直流化、智能化升级的趋势下，SSCB正逐渐取代传统机械断路器，成为新一代电力输送与分配网络的标配保护设备。在SSCB中，CoolSiC™ JFET因其低导通电阻特性而被广泛选用，能大幅提升SSCB的整体性能。此外，通过使用MOV和TVS提升保护能力，可以在高电感环境下切断大电流时，确保器件的安全和可靠性。在驱动方面，CoolSiC™ JFET可以通过独立的正负电源或Cascode形式驱动，实现简单的电路结构和高效的控制。随着储能系统、数据中心高压直流配电、轨道交通和新能源电网的发展，SSCB将成为下一代电力保护系统的重要基础设备。

英飞凌

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08/08 08:43

断路器 SiC JFET

详解Cascode SiC JFET在LLC拓扑中的应用：硬件实测与验证

本文介绍了在无负载 LLC 变换器硬件平台上测试 Cascode SiC JFET 的应用及其性能表现。通过调节电感值和开关电流，展示了不同条件下的开关电流、dv/dt 和总功率损耗的变化。在外接缓冲电容（Cds）的情况下，即使在较高的开关电流下，系统仍保持良好的死区时间和开关特性。研究发现，合理配置缓冲电容可以有效控制关断 dv/dt，优化总损耗，提高系统效率和稳定性。

安森美半导体

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07/30 11:14

LLC SiC JFET

摆脱工艺“玄学”，国产SiC JFET走出鸡肋困境

平湖实验室发布750V沟槽型SiC JFET器件，通过浅沟槽自对准注入工艺解决了传统工艺的制程耦合难题，提升了器件参数一致性与量产可行性，使其具备工程实用价值。这一技术突破有助于固态断路器克服长期导通与偶尔断开的矛盾，提高可靠性，降低系统维护成本。

碳化硅内参

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07/20 16:37

SiC SiC JFET

详解Cascode SiC JFET在LLC拓扑中的应用：死区时间控制及损耗优化方法

安森美发布了一份关于共源共栅碳化硅结型场效应晶体管（CJFET）在LLC谐振变换器中的应用手册。手册详细介绍了如何使用外部Cds降低功率损耗，同时解决了因外部Cds引入的死区时间延长问题。此外，还探讨了如何通过RC或纯电容缓冲电路限制高电流关断工况下的dv/dt，从而进一步降低开关损耗。