拓荆科技科创板注册获批

2022年3月1日，中国证监会发布《关于同意拓荆科技股份有限公司首次公开发行股票注册的批复》。

拓荆科技此次发行拟募集10亿元用于高端半导体设备扩产项目、先进半导体设备的技术研发与改进项目、ALD设备研发与产业化项目以及补充流动资金。

招股说明书显示，拓荆科技专注薄膜沉积设备主要产品包括等离子体增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积 （ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列，产品主要应用于集成电路晶圆制造，以及TSV封装、光波导、Micro-LED、OLED显示等高端技术领域，已广泛应用于国内晶圆厂14nm及以上制程集成电路制造产线，并已展开10nm及以下制程产品验证测试。

公司的产品已适配国内最先进的 28/14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 芯片和64/128 层 3D NAND FLASH 晶圆制造产线。其中，PECVD 设备已全面覆盖逻辑电路、DRAM 存储、FLASH 闪存集成电路制造各技术节点产线多种通用介质材料薄膜沉积工序，并研发了 LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先进介质材料工艺，拓宽公司 PECVD 产品在晶圆制造产线薄膜沉积工序的应用。拓荆科技产品已广泛用于中芯国际、华虹集团、长江存储、长鑫存储、厦门联芯、燕东微电子等国内主流晶圆厂产线，打破国际厂商对国内市场的垄断，与国际寡头直接竞争。

据悉，拓荆科技在研产品已发往国际领级晶圆代工厂参与其先进制程工艺研发。

薄膜沉积是芯片制造的核心工艺环节，薄膜沉积设备与光刻机、刻蚀机共同构成芯片制造三大主设备。

从全球市场来看，薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，行业基本由应用材料（AMAT）、ASMI、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断。ALD设备主要是东京电子（TEL）和先晶半导体（ASMI），合计超过60%；PVD设备则被应用材料（AMAT）垄断，市场占比85%；CVD设备，应用材料（AMAT）、泛林半导体（Lam）东京电子（TEL）三大厂商占据了全球 70%的市场份额。

拓荆科技在PECVD、ALD及SACVD设备领域，已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求。拓荆科技自主研发形成的核心技术，已达到国际先进水平。拓荆科技累计已获授权的专利177项其中发明专利共计96项。

目前拓荆科技的主要营收80%以上来自PECVD，未来随着ALD、SACVD的认证出货，将给公司的营收 带来快速的增长。