英飞凌:GaN布局与金刚石衬底探索
英飞凌推动氮化镓(GaN)功率器件在AI数据中心、机器人和可再生能源的应用,通过提升300mm GaN功率晶圆技术的成本效益,并探索新型材料如金刚石、蓝宝石和工程衬底。GaN在AI数据中心电源架构升级中显示出显著优势,尤其是在800V→48V中间母线(IBC)架构中,采用堆叠拓扑的650V GaN展现出卓越的功率密度和系统效率。然而,随着GaN器件在AI数据中心的大规模部署,热管理问题变得尤为突出,特别是对于高负载运行和单机功率持续提升的需求。因此,研究如何利用金刚石等新材料提高热导率,降低器件结温和改善系统稳定性显得尤为重要。