从麒麟9030看中国半导体的“非EUV生存法则”:晶体管、鳍片与金属层全透视
中芯国际N+3工艺首次全面展示于华为Mate 80 Pro的麒麟9030芯片上,其最小金属间距仅为32.5nm,虽比Intel 18A的36nm稍小,但仅凭此指标不足以全面评估其性能。实际性能方面,麒麟9030在CPU、GPU和NPU等方面均有显著提升,尤其是GPU性能超越了竞争对手。然而,在与最新旗舰相比时,仍存在较大差距。此外,N+3工艺在金属层栈、SRAM和鳍片设计等方面展现了技术创新,但也面临多重曝光带来的复杂性和成本增加的问题。未来,中芯国际计划通过LogicFolding技术进一步提高晶体管密度和性能。尽管面临诸多挑战,但N+3的成功表明中国半导体行业在没有EUV光刻机的情况下仍能取得一定进展,并将继续探索新的发展道路。