三星正推进泰勒厂2nm量产

三星电子正推进其位于德克萨斯州泰勒工厂的2纳米（nm）半导体量产计划，最早将于2026年投入量产，比其竞争对手台积电（TSMC）的2028年量产计划提前两年。

据WCCF Tech和Phone Arena等IT媒体当地时间6月23日报道，三星电子已开始在其泰勒工厂的生产线上进行准备，以在美国率先引入“美国式”2纳米制程。三星原本计划于2025年在该工厂量产4纳米制程，但由于美国政府的补贴支付和许可问题导致计划延期，该公司正在考虑将首批量产产品转换为2纳米制程。是否转换为2纳米制程的最终决定预计将在第三季度做出。

业界将这一战略转变解读为三星为确保根据美国政府的《芯片法案》（CHIPS Act）获得补贴，以及应对大型科技公司对国产芯片日益增长的需求而采取的策略。尤其是美国生产的半导体，无需缴纳进口关税，这有利于提升价格竞争力。

成功的最大变量是良率和客户获取。业界一直指出，先进工艺的良率问题是三星电子在全球晶圆代工市场落后于台积电的原因之一。

目前，三星2纳米工艺的良率预估为40%，低于其竞争对手台积电60%的预估。业界普遍认为，稳定的量产通常需要70%或更高的良率。

与已经获得苹果、英伟达、AMD和高通等主要客户的台积电不同，三星专注于先搭载自主研发的AP（应用处理器）Exynos 2600，然后再吸引英伟达等新客户。

为了使三星能够领先台积电两年获得量产的时间优势，确保早期量产所需的稳定良率以及实现客户多元化被视为关键任务。

然而，台积电已计划于2025年下半年在台湾地区启动2纳米制程的量产，因此三星仍需在技术和销售方面努力，超越“美国首创”的象征，提升在实际市场的影响力。