SiC功率器件

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  • 2026湾芯展观察:算力越猛,散热越要命,先进封装的真正瓶颈藏在这块陶瓷里
    湾芯展今年很热闹。1000余家企业、近8万平方米展区、超3000件新品首发,AI芯片、Chiplet、3D堆叠、算力集群轮番登场。 但热闹背后有个问题很少被摆上台面:芯片算力一路狂飙,堆叠密度越来越高,到底靠什么才能稳定跑满性能? 答案不在晶圆上,而在一块藏在芯片底部、几乎没人拍的陶瓷基板里。 一、算力越强,散热越致命 先进封装的逻辑已经变了。 过去拼单芯性能,现在靠Chiplet和3D堆叠,把多
  • 罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
    全球知名半导体制造商罗姆(总部位于日本京都市)宣布,其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU(电池备份单元)中。随着生成式AI的普及,AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC(高压直流供电)架构演进,在这种背景下,罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。 随着生成式AI的普及,GPU的性能不断提升,数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题,相
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    国内SiC功率器件企业方正微和飞锃半导体近期分别宣布,其SiC MOSFET均突破3000万颗级的规模化交付,标志着国产SiC器件正加速迈向成熟。方正微已累计交付超3000万颗车规主驱SiC MOSFET,而飞锃半导体1200V SiC器件累计出货超3500万颗。这表明中国碳化硅产业链在产能爬坡、车规认证和市场渗透等方面已具备与国际巨头竞争的实力,为下游应用降低成本并保障供应链安全提供了有力支持。
  • 浅析助焊剂在功率器件封装焊接中的匹配要求
    本文聚焦助焊剂在功率器件封装焊接中的应用环节与匹配要求,其核心作用为清除氧化层、降低焊料表面张力、保护焊点。应用环节覆盖焊接前预处理、焊接中成型润湿、焊接后防护。不同功率器件对助焊剂要求差异显著:小功率器件侧重工艺性与环保合规;中功率器件需平衡活性与抗热疲劳性;大功率器件则要求高温活性稳定、残留量低且绝缘性优异。匹配需遵循工艺、器件、合规三大原则,同时规避盲目追求高活性、忽视工艺兼容性等误区,精准匹配是保障焊接质量与器件可靠性的关键。
  • TrendForce集邦咨询分析师亮相APCSCRM 2025,深度解析SiC功率半导体市场趋势
    第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议(APCSCRM 2025)在郑州成功举办,主题为“芯联新世界,智启源未来”。会议汇聚全球800多位专家学者,探讨宽禁带半导体技术发展。TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄发表主题演讲,分析SiC功率半导体市场现状与未来趋势,强调其在电动汽车、数据中心等领域的应用前景。会上展示超过110家企业的产品与解决方案,促进产学研深度融合,推动宽禁带半导体技术的创新发展。
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