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SiC功率器件

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  • 罗姆的SiC MOSFET应用于面向AI服务器电源的电池备份单元
    全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）宣布，其750V耐压SiC MOSFET已被应用于AI服务器电源的BBU（电池备份单元）中。随着生成式AI的普及，AI服务器电源正加速向更高电压及HVDC（高压直流供电）架构演进，在这种背景下，罗姆的SiC MOSFET产品被选定为支撑下一代电源系统的SiC功率器件。 随着生成式AI的普及，GPU的性能不断提升，数据中心的功耗急剧增加。针对这一课题，相
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    05/22 07:01
    AI服务器 罗姆
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  • 2家企业SiC器件出货突破3000万颗
    国内SiC功率器件企业方正微和飞锃半导体近期分别宣布，其SiC MOSFET均突破3000万颗级的规模化交付，标志着国产SiC器件正加速迈向成熟。方正微已累计交付超3000万颗车规主驱SiC MOSFET，而飞锃半导体1200V SiC器件累计出货超3500万颗。这表明中国碳化硅产业链在产能爬坡、车规认证和市场渗透等方面已具备与国际巨头竞争的实力，为下游应用降低成本并保障供应链安全提供了有力支持。
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    04/16 16:08
    碳化硅 SiC功率器件
  • 浅析助焊剂在功率器件封装焊接中的匹配要求
    本文聚焦助焊剂在功率器件封装焊接中的应用环节与匹配要求，其核心作用为清除氧化层、降低焊料表面张力、保护焊点。应用环节覆盖焊接前预处理、焊接中成型润湿、焊接后防护。不同功率器件对助焊剂要求差异显著：小功率器件侧重工艺性与环保合规；中功率器件需平衡活性与抗热疲劳性；大功率器件则要求高温活性稳定、残留量低且绝缘性优异。匹配需遵循工艺、器件、合规三大原则，同时规避盲目追求高活性、忽视工艺兼容性等误区，精准匹配是保障焊接质量与器件可靠性的关键。
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    2025/12/13
    助焊剂 SiC功率器件
  • TrendForce集邦咨询分析师亮相APCSCRM 2025，深度解析SiC功率半导体市场趋势
    第六届亚太碳化硅及相关材料国际会议（APCSCRM 2025）在郑州成功举办，主题为“芯联新世界，智启源未来”。会议汇聚全球800多位专家学者，探讨宽禁带半导体技术发展。TrendForce集邦咨询分析师龚瑞骄发表主题演讲，分析SiC功率半导体市场现状与未来趋势，强调其在电动汽车、数据中心等领域的应用前景。会上展示超过110家企业的产品与解决方案，促进产学研深度融合，推动宽禁带半导体技术的创新发展。
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    2025/12/03
    碳化硅 SiC功率器件
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  • SiC MOS + 800V HVDC为新一代AI数据中心带来变革
    800V HVDC是新一代AI数据中心高压直流供电技术，通过提升电压等级实现能效跃升，已成为英伟达等科技巨头推动的行业标准方案。 为什么是800V HVDC、为什么是碳化硅MOSFET，以及两者结合为AI数据中心带来的核心优势三个方面进行详细分析。 一、 背景：AI数据中心面临的挑战与800V HVDC的必然性 传统的AI数据中心普遍采用480V交流或48V直流配电。但随着AI算力（特别是GPU集
    9348
    2025/11/25
    第三代半导体 碳化硅MOSFET

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