AI 算力驱动 800VDC 架构变革,高压 GaN 突破功率器件性能边界
AI数据中心向800VDC转型迫在眉睫,高压化对功率器件提出新挑战。传统方案如650V GaN堆叠和1200V SiC面临电压失衡、驱动复杂和频率受限等问题。Power Integrations推出的1250V/1700V PowiGaN器件采用共源共栅架构,实现了单管半桥拓扑,简化电路设计并大幅提升性能。该器件具有更低的输出电荷、栅极电荷和关断延迟,支持1MHz高频工作,实现零电压开关,功率密度翻倍。此外,PowiGaN通过了严格的可靠性验证,具备极高的固有可靠性裕量,满足数据中心的长期运行需求。