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• 不同地区的线路情况不一样，这套装置能适应各种复杂环境吗？我们该如何选型？

  答： 这正是我们产品设计的优势所在——模块化、可配置、高适应性。我们深知中国幅员辽阔，从南方的冻雨到北方的积雪，从平原到高山，每条线路的工况都不相同。因此，输电线路覆冰在线监测装置TLKS-PMG-FB100在设计之初就充分考虑了这种差异性： 拉力单元按需选配：针对不同电压等级和导线型号，我们提供从7t到55t多种量程的拉力传感器，常规型号和定制型号均可满足，确保测量精度与线路负载匹配。 气象单元

  深圳市特力康科技有限公司

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  10小时前

  线路
• 有源晶体振荡器引脚OE和ST的区别

  引言： 不知道大家在使用有源晶体振荡器产品或在查看有源晶振产品规格书的时候，你是否注意到有源晶振有一个特殊的引脚呢？通常这个引脚被通常被厂家定位在第1脚，该引脚被赋予了使能（OE：Output Enable）或待机（ST：Standby）的功能，那两个功能之间有什么区别呢？下面我们就来详细的探讨一下他们的区别。 有源晶体振荡器的输出使能(OE)和待机(ST)功能： 使能Output Enable（

  eefocus_4216786

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  11小时前

  振荡器 有源晶振
• 更高耐压、更强性能：SM5206赋能多场景锂电池充电管理

  在Type-C普及、快充技术下放的今天，充电输入环境日趋复杂，便携设备对充电芯片的要求也水涨船高。SM5206——一款集成30V高耐压、1A可编程充电电流、电池反接保护等特性的单节锂电池线性充电芯片，凭借其极简外围、高可靠性、灵活适配的特点，正成为消费电子、物联网终端等领域的理想选择。 一、硬核实力：五大核心优势全面解析 1. 30V输入耐压——为复杂电源环境而生 数据支撑：VCC引脚最大额定值高

  海川半导体

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  02/28 16:35

  锂电池 可编程
• 从工具到平台：如何化解跨架构时代的工程开发和管理难题

  作者：IAR 嵌入式开发领域正迎来技术迭代与产业升级双重浪潮的冲击，同时边缘AI的快速渗透以及功能安全等系统要求不断增加，都在推动工程开发经历一场不可逆的结构性和流程性变革。此外，芯片架构加速多元化，新一代智能设备对算力、功耗和性能的更高综合要求，让以单一内核为中心的传统工具模式，正逐步暴露出适配能力与管理效率上的瓶颈。 由此，Arm、RISC-V与厂商自研内核并存成为今天的现实，开发工具不再只是

  与非网编辑

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  02/28 16:00

  芯片 嵌入式

  
• 新品上市|MDD82052那么小又那么大，原来是这颗MOS

  MDD8205是一款高性能双N沟道MOSFET，具备20V耐压、低导通电阻和超快开关速度，特别适用于高电流、微型化设计的智能家电和电动工具。它具有高电流承载能力、超低导通损耗、微型封装和宽温运行等特点，能够有效提升设备的效率和可靠性，并适用于多种应用场景，如便携式设备负载开关、DC-DC转换器、电机驱动和LCD显示逆变器等。

  MDD辰达半导体

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  02/28 13:54

  N沟道MOSFET

  
• 华为字节联手，研发28nm存内计算芯片

  清华大学、华为等机构联合发布基于HYDAR框架的28nm混合存内计算（CiR）芯片推荐系统加速器，实现百万级实时端到端推荐系统，吞吐率达到390K QPS，能效比达1574K QPS/W。该芯片采用DL-ADC实现非Top-K计算的早期终止，基于预测的抢占式调度流水线（PPSP）提升不规则工作负载的吞吐量，由粗到细的检索架构保证系统召回精度的同时可扩展至大规模应用。

  芯东西

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  02/28 13:31

  28nm 存内计算

  
• 清华大学集成电路研究在ISSCC闪耀光芒

  清华大学在ISSCC会议上提交了18篇论文，涉及处理器、AI加速器、高速接口等多个关键领域，展示了在体硅CMOS技术上的突破性电路设计。其中，《2.9 A 0.24mJ/Frame Quadratic Interpolation 4DGS Processor with Recursive Computation Reuse and Tree-Based Parallel-Rendering》等论文在功耗、能效等方面取得了显著进展，体现了清华在集成电路设计领域的快速发展。

  赵元闯

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  02/28 13:11

  集成电路 清华大学

  
• 净利润148亿！日本半导体龙头，业绩大幅增长

  罗姆受益于AI需求和库存周期调整，Q3销售额同比增长11.2%，净利润大幅提升，全年业绩指引上调。汽车市场表现亮眼，销售额同比增长13.9%，工业设备和消费市场亦呈现良好增长态势。LSI和半导体元件部门均有较大涨幅，特别是汽车和工业设备市场。罗姆计划继续投入研发，推出更多高效功率解决方案。

  满天芯

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  02/28 13:06

  罗姆
• 英伟达四季度财报，比超预期更可怕的是还没见顶

  英伟达2026财年营收达681亿美元，同比增长73%，指引2027财年第一季度营收780亿美元。AI发展迎来拐点，算力需求爆发式增长。数据中心业务大幅增长，毛利率高达71%。黄仁勋认为AI基建无上限，英伟达增长将持续加快。英伟达发布Rubin平台，提升推理性能和降低成本。尽管面临竞争和不确定性，英伟达仍看好未来发展。

  赛博汽车

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  02/28 11:32

  英伟达 财报

  
• 陈茂波：香港第三代半导体中试线年内投运

  2月25日，香港特区政府财政司司长陈茂波在立法会发表《2026至2027财政年度政府财政预算案》时宣布，香港微电子研发院第三代半导体芯片技术研发与试产中试线将于2026年内投入运作。

  化合物半导体市场

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  02/28 11:27

  第三代半导体
• 总规模6.68亿！晶科电子携广州国资重仓第三代半导体

  晶科电子宣布参与设立广州天泽晶芯创业投资基金，总认缴规模6.68亿元，晶科电子出资2.68亿，占比40.12%。基金聚焦半导体与集成电路，特别是第三代半导体，计划投资广东芯聚能半导体。晶科电子表示此举有助于完善第三代半导体产业链布局，并增强在新能源汽车、新型显示等领域的技术与产品支撑。

  化合物半导体市场

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  02/28 11:26

  第三代半导体
• 突破金刚石散热难题：温度降低23℃，技术可规模化用于AI芯片

  莱斯大学科研团队开发了一种可规模化制造的选择性区域金刚石散热层技术，通过“自下而上”的成核工程策略，直接在芯片表面生长图案化金刚石层，将电子器件核心温度降低23摄氏度，为高功率AI芯片、5G/6G硬件提供革命性散热解决方案。这项技术有望解决芯片热管理问题，延长器件寿命并提升运行速度。

  DT半导体

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  02/28 11:19

  金刚石 散热
• SiC收入同比增长77%，3家厂商全年业绩出炉

  2月以来，纳微半导体、X-fab、格罗方德相继发布2025年业绩报告，其中透露，碳化硅业务迎来复苏增长期，氮化镓则在AI 数据中心等市场快速推进，行业向高功率、高效率应用场景的转型步伐持续加快：

  行家说三代半

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  02/28 11:15

  SiC 格罗方德

  
• 新增多起GaN合作：罗姆&台积电、EPC&瑞萨等

  罗姆与台积电深化合作，罗姆构建氮化镓生产体系；EPC与瑞萨电子达成技术授权协议，加速氮化镓技术应用；汉骅半导体发布12英寸GaN外延并达成战略合作，推动氮化镓技术在关键领域的规模化应用。

  行家说三代半

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  02/28 11:13

  GaN
• 2 家公司涨价！最高涨60%！芯片涨价潮再蔓延：FPGA与功率器件齐涨

  2026年半导体行业涨价潮持续发酵，存储芯片、FPGA、功率器件等多个领域相继调价，涨幅最高达60%，涉及多个厂商和应用场景，凸显供需错配与成本推动的长期趋势。

  芯通社

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  02/28 11:08

  FPGA 半导体行业

  
• 马年IPO第一枪，国产“硅基石”如何逆袭？

  2月25日，江苏鑫华半导体科技股份有限公司（简称“鑫华科技”）正式开启了它的科创板闯关之旅。这不仅是马年科创板受理的第一单IPO，更是一场关于“中国芯”基础材料的硬核突围。

  是说芯语

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  02/28 10:57

  半导体 IPO

  
• 3个8英寸SiC项目迎来新进展

  博世、浙江晶瑞、香港微电子研发院在8英寸SiC产线建设上取得新进展：博世计划2026年年中大规模生产8英寸SiC芯片；浙江晶瑞马来西亚工厂主体结构封顶，一期产能达24万片；香港微电子研发院8英寸SiC/GaN中试线年内投运，投资额超23亿元。

  行家说三代半

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  02/28 10:38

  SiC SiC芯片

  
• 百度2025年财报：AI转型成效凸显，商业化拐点加速到来

  2月26日，百度发布2025年第四季度及全年财报，显示2025年总营收达1291亿元，AI业务营收达400亿元；

  通信世界网

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  02/28 10:36

  财报 百度
• 从潜海装备到AI散热：金刚石-SiC材料迎来应用窗口

  德国Fraunhofer IKTS开发了金刚石-SiC复合材料，利用金刚石的高硬度和SiC的优异化学稳定性，特别适合潜海、化工等高暴露轴承与密封件。该材料通过梯度设计，在功能表面形成金刚石层，实现了高硬度和低加工成本。已在SubSeaSlide项目中成功应用，并获得多家企业的认可。

  DT半导体

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  02/28 09:46

  金刚石 SiC材料
• 投资1亿，该上市企业将建SiC模块线

  中微半导体宣布投资1亿元建设IPM产线项目，并加速SiC技术研发，提前布局下一代高集成SiC IPM产品。公司计划在四川资阳设立全资子公司进行项目实施，预计两年内建成。目前国内市场高端IPM自给率低，项目建成后有望填补产能缺口，保障电力电子产业链自主可控。此外，多家厂商也积极布局SiC IPM模块，未来市场需求将持续增长。

  行家说三代半

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  02/28 09:40

  SiC技术 IPM模块

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