芯耀
与非AI
584
271家展商，3万平方米，190多场技术演讲。
这三个数字，让PCIM Asia 2026成为自创办以来规模最大的一届。
但真正让人停下脚步的，不是展台有多气派，而是两个被反复提及的词：AIDC和SST。
过去几年逛PCIM，你几乎可以闭着眼睛走：主驱逆变器、OBC、光伏逆变器、充电桩，所有展台的叙事都指向电车。
今年不一样，14号馆干脆按"算电协同、电气化交通、绿色能源"三个方向切了应用专区，AI数据中心供电被摆到了和电驱并列的位置。
一个做了十几年功率半导体的老工程师站在墙前看了很久，最后嘟囔了一句："干了半辈子，没想到被英伟达带火了。"
一起逛展的朋友在调侃：现在打招呼不问“你上没上车”，而是问“你进没进SST”。
热闹归热闹，其实大家心里都清楚：车规SiC的价格战已经打了三年，6英寸衬底价格一路下行，"产能过剩"四个字挂在每个人嘴边。
打个岔，最近听到一些传言，包括一些小作文说6英寸衬底又涨回5000了。纯扯淡，除非你上了倒爷的当。
这一届的看点，是在同样的行业周期里，不同位置的公司（单位）选择了怎样不同的活法。
这届展商太多，挨个写这篇文章估计要奔几万字去了，原谅我实在肝不动。
今天这篇文章我只挑了其中八家，也欢迎各位在评论区补充。
他们展台上最精彩的内容，依旧是那颗镀铜芯片和基于它的标准功率单元S-Cell：把SiC MOS裸片预封装成11×11mm²的标准化单元，顶部做厚铜金属化，覆盖750V 和1200V两个电压等级，专门面向下一代嵌入式PCB功率系统。这个尺寸同时踩中PCB层压激光铣腔的精度窗口，还给产业链留了互换接口。
博世在同期论坛里讲得很直白：S-Cell要做的不是一颗更好的裸片，而是把芯片复杂性锁进一个可嵌入的"标准插槽"。
传统模块里电流要爬键合线、横穿DBC、再绕母排，换流回路轻松攒到8–15nH；S-Cell把芯片埋进多层PCB内腔，用铜通孔替代键合线，功率回路寄生电感被砍到1–2nH，只有传统模块的十分之一出头。
可见，博世不是在优化一个参数，是在改写功率模块的物理形态。
裸片这一层，博世摆出的是750V / 1200V / 1400V / 1700V四个电压等级的沟槽栅SiC MOS完整矩阵，第二代750V产品已经在量产或产中状态，覆盖车载充电机、DC/DC、主驱逆变。
模块这一层，主推PM6.2，专为牵引逆变器开发的新一代SiC模块，B6紧凑封装，支持400V/800V 系统、最高1000V直流母线，用自研沟槽栅+低电感布局把杂散电感压到4nH以内。
这里有个细节：博世展台同期四场论坛，主题分别是本土汽车功率需求、数据中心与SST、固态断路器、EG12x驱动。博世把裸片、嵌入式单元、模块、驱动IC、再加上数据中心/SST/固态断路器这些新场景全串起来讲，说明它想卖是从芯片、封装到控制的一整段确定性。
谁定义了接口，谁就定义了后面十年的采购清单
如果说博世在收拢定义权，那么基本半导体就是在拼命扩张版图。
基本整个展台被切成AI算力、消费电子、新能源汽车、工业应用四个场景。逛下来最直观的感受是：不愧是“国产碳化硅芯片第一股”，它是真的不想放过任何一块战场
AI算力那一边，高功率SiC MOS铺开了TOLL、TOLT、QDPAK、T2PAK-7一整套封装，650V到1700V全阻值覆盖，直指HVDC、AI服务器电源、UPS。工业那一边，ED3封装的双向共源开关模块是首发新品，配Si₃N₄AMB和高温焊料，瞄准固态断路器、矩阵变换器和电池包断路单元。
这是典型的“别人还没反应过来，我先占个位”的打法。
再看车用：嵌入式模块做到1.2nH极低寄生电感；Pcore™6 HPD Mini体积比标准HPD缩了20%，用有压银烧结和氮化硅AMB，杂散电感压到6nH以内；E3B封装的1400V飞跨电容三电平半桥模块，则直接对应组串式光伏和储能。
就在几天前，基本中期业绩公告显示，2026年上半年工业级SiC功率模块收入同比增长2825.1%，新拓客户60余家，产品打进国内头部电信运营商的AI数据中心；SiC MOS分立器件收入同比增长582.3%，正式进入LED照明电源、PD快充、适配器赛道；电镀电源一个细分场景就攒下超过3万个累计订单。车规级模块还拿到了欧洲一级供应商的海外整车项目定点。
上市之后它连出三招：7月13日公告三季度起部分产品涨价，最高幅度不超过25%；7月28日签下1.9亿元工程总承包合约，在深圳坪山建碳化硅模块封装产线基地；8月4日又与汉磊科技达成战略合作，加速8英寸碳化硅晶圆的研发与量产。
涨价这个动作尤其值得行业琢磨。你想啊，在一个人人喊过剩的行业里敢提价，要么是真有定价权，要么是真看到了需求结构的转折。
很显然，基本押的是后者：低端通用料继续内卷，但AI电源、SST、超充这些新场景，客户要的是交付能力和可靠性，不是最低价。
但是问题来了，这四条赛道同时铺开，研发、产能、资金全都被摊薄；8英寸的产能承诺需要时间兑现，港股市场的耐心可能不会太充足。
因为广度换来的可能是速度，也可能是毛利率。
昕感科技代表的，是另一种打法：从场景倒推器件。
这家2020年才成立的公司，展台上最出人意料的展品是一款"发电驱动2in1模块"NBHP，把发电和电动两个功能塞进同一个模块，主打高功率密度、低热阻、低杂散电感，面向混动系统。
想想看这个思路：别人都在比谁的Rdson更低、谁的电压更高，它却在琢磨"混动车里那套发电机和驱动电机能不能共用一套功率硬件"。这是一个系统工程师才会提出的问题。
昕感的车规嵌入式碳化硅模块同样有想法：非对称四层PCB结构，热阻做到0.087以下，功率回路杂散电感压到1.5nH以下，6颗die组成一个switch，出流能力400到500A，兼容400V到800V系统电压，还兼容MiniHPD封装。
更值得注意的是它对SST的投入深度。展会上，昕感专家做了SST专题演讲，系统讲了输入级、隔离级、输出级三级架构和DAB、CLLC、级联H桥的选型逻辑。
产品端，它围绕SST做了650V、1200V、1700V的专用模块，覆盖AC-DC级联H桥、DC-DC（DAB/CLLC）、DC-AC三电平逆变全链路，还支持定制封装。同时，它的40kW、60kW、80kW碳化硅充电模组已经形成完整矩阵。
一个成立五年的公司，凭什么敢这么布局？
因为人家自己做成了IDM，并且在上下游同时绑人：江阴建晶圆厂，无锡与蔚来共建"车规功率半导体联合实验室"打通"芯片-模块-电驱-整车"闭环，与秋乐科技共建iBDU功率模块联合实验室，合肥建车规级模块厂。
昕感的逻辑很清楚：在巨头的缝隙里，我们要卖的不是参数，是响应速度和对场景的理解深度。
第四家是飞仕得，也是最容易被走马观花的观众漏掉的那家。
飞仕得主推三大板块：面向SST与HVDC的高压驱动方案、工商业储能功率模组、SiC器件动态特性测试设备。听起来不性感，但它恰好卡在整条链路上最要命的位置，SiC器件性能越来越强之后，真正困难的已经不只是把器件做出来，而是怎样把器件的性能稳定地兑现到系统里。
驱动是最直接的一环。展出的2FHC0240面向Easy及类似封装，强化高压绝缘，满足UL 61800相关要求，局放测试PDEV达到2.9kVac，并按IEC 60270进行验证，同时集成米勒钳位和可调门极电压，目标应用直指SST。
1FHC0450支持多模块并联，驱动功率8W，最高支持4500V模块，面向HVDC、SVG和固态断路器；1FHD0440则将门极电压提升至25V，并采用VCE与di/dt双重检测进行短路保护。
这些参数对应的是很现实的工程矛盾：SiC开关越快，dv/dt和di/dt越高，米勒耦合、误导通、电压过冲和短路保护就越难控制；电压等级继续提升后，局部放电、绝缘距离和共模干扰又成为新的限制条件。器件决定性能上限，驱动决定这些性能有多少能安全兑现。
飞仕得在展会同期讲的题目叫《高栅压驱动技术实现IGBT超低损耗与高可靠性的研究》，讲的也是同一件事：通过更积极的驱动策略降低损耗，同时守住可靠性边界。
他们展出的220kW SiC模组，则是这种器件和驱动能力向系统侧延伸的结果，满载效率98.8%，功率密度42.2kW/L，两电平拓扑，搭载2000V Easy3B SiC器件。
它的另一个身份是测试设备商。ME400D系列覆盖低压器件、12kV中高压器件到模组产线三大测试场景，还有能对6/8英寸SiC晶圆做HTGB及HTRB老化筛选的设备。
这三块业务形成一个闭环：飞仕得的三块业务并不是简单地横向铺产品，而是在围绕一个核心问题展开：功率器件性能越来越高之后，怎样把它可靠地驱动出来、集成为系统，并且准确地验证出来。这种结构是很难被单点复制的。
第五家是芯丰泽，一家选择“往两头走”的公司。
这家展台上摆了三件东西，跨度大得有点荒诞。
一颗650V/8A的SiC二极管，DFN5×6封装，VF在25℃时1.31V、175℃时1.38V。注意这个差值，温度从室温烧到175℃，正向压降只涨了0.07V。
另一颗10kV/650mΩ的SiC MOSFET，6英寸晶圆量产，良率不低于94.5%，芯片尺寸6.6×5.6毫米，工作结温-55到175℃。
展出的1200V/40mΩMOS有点意思，TO-247-4L封装，Ciss=1330pF而Crss只有1.4pF，Qgd仅2nC。
三个参数，对应三种完全不同的工程语言。极低的正向压降温度系数，意味着多颗并联时不会互相抢电流，并联系统最怕的就是一颗器件温度一高、压降一降，电流全涌过去然后热失控。Crss/Ciss接近千分之一的比值，则意味着这颗器件对米勒效应引起的误导通几乎免疫，开关损耗压得住，适合高频硬开关。
而10kV这一头，指向的是智能电网、高压直流断路器、固态变压器的中压输入级、脉冲功率源，那些一台设备就值一套房、但一颗芯片能决定整套系统能不能成立的场合。
它的商业逻辑也很清楚：不卷主流战场。
当所有人都在1200V上拼价格时，芯丰泽吃的是特种电源、航空航天、国家电网这些"量不大但认证周期长、一旦进去就是十年"的市场。这类市场的护城河不是成本，是资质和信任。6英寸晶圆上把10kV器件做到94.5%良率，这不是买设备能买来的，是三十年工艺know-how堆出来的。
但我在思考一个问题：特种市场的天花板有限，要走量必须往工业和车规下探，而那是一场完全不同的战争。
第六家是芯合半导体，这八家中里最年轻、也最能跑的一个。
芯合主打展品是两片晶圆：8英寸1700V/20mΩ和8英寸2300V/25mΩ的SiC MOSFET。这两款产品的目标场景写得明明白白——固态变压器、大功率光储。
低导通电阻压低导通损耗，高开关频率缩减磁性器件体积，动态开关性能好则能抑制电压尖峰和振荡、简化EMI滤波设计。说白了就是：它们是为SST架构量身定做的。
车载这边，自研miniHPD车规模块已经通过AQG-324车规认证，具备100% UIS耐受能力。依托成熟的8英寸产线，650V/20mΩ、25mΩ、35mΩ、180mΩ和1200V/12mΩ、35mΩ等多款MOS产品已经实现稳定批量出货。
真正惊人的是它的时间刻度。这家公司2023年6月才成立，北京6英寸SiC器件生产线从建线到量产只用了205天；2024年中发布1200V 17mΩ和13mΩ MOS，直接切主驱逆变器市场；
2025年9月合肥总部基地启用，8英寸产线产出第一片晶圆，首次流片良率97.26%；2025年12月发布1200V 9mΩ碳化硅晶圆，导通电阻8.8mΩ，比导通电阻2.3mΩ·cm²，对标国际一线。
目前形成北京6英寸年产3万片、合肥8英寸规划年产30万片的双基地格局，另有10亿元的8英寸产线投资规划。
资本端，合肥产投资本、中肃资本等机构持续加注，它还与深向科技签了"车芯协同"产业化项目，与中恒微共建晶圆制造加模块封装的闭环。
再看瑞迪微。
瑞迪微2019年6月由奇瑞汽车孵化，奇瑞科技持股27.65%为第一大股东，奇瑞科技总经理亲自任董事长。
这家公司今年最硬的一条新闻是：A4系列车规级IGBT功率模块正式量产供货零跑汽车B系列平台。B10车型2025年交付突破5万台，2026年上半年海外出口近10万台。
一家奇瑞孵化的芯片公司，把模块卖给了以"全域自研"著称的零跑这件事，比任何宣传册都有说服力，它证明了自己不是奇瑞的“内部车间”，而是能在公开市场上被竞争对手接受的标准供应商。
SiC这一侧同样有料。A6系列车规级SiC模块做到1200V，全桥拓扑、沟槽栅，几款型号的导通电阻分别是2.31mΩ、1.91mΩ，最低的一款到1.71mΩ，同时强调低饱和压降、低开关损耗、高RBSOA能力。
A2（miniPACK）系列则是另一条思路：750V/1200V双电压、覆盖35kW到200kW功率段，一体式陶瓷基板让体积比主流HPD封装缩了约50%，椭圆形PinFin直接液冷配SiN AMB基板，热阻低至0.188K/W，支持175℃结温稳定运行，铜端子激光焊接配双DC+、单DC-的母线连接把主回路杂散电感压下去。
资本也在给它投票。2026年8月，瑞迪微完成超亿元C+轮融资，投资方是安徽省产业投资公司、创谷资本、高新国投三家地方国资。目前年产120余万只功率模块的产线已稳定量产，产品累计装车40万台，客户名单里有奇瑞、比亚迪、零跑、吉利。
车企孵化是一把双刃剑。好处是它从娘胎里就带着订单和真实的装车验证场景，不用像创业公司那样满世界找第一个愿意试错的客户；代价是每一家新的主机厂客户都会先问一句"你会不会把我的数据给奇瑞"。
瑞迪微的解法很笨也很有效：先把零跑这个外部标杆客户做下来，用事实回答那个问题。当前，瑞迪微缺的是另一半，在SiC时代，光有IGBT时代的客户关系不够，得让1200V的SiC模块也进主流平台。
最后说深圳平湖实验室，八家里唯一的“国家队”身份。
平湖实验室的展位在14号馆，不在商业展馆的喧嚣里，而在产学研交流专区。它是目前国内第三代半导体领域少有的，同时打通"材料-器件-中试-检测"全链条的公共平台。
逛它的展台，你会意识到一个微妙的变化：当产业还在纠结1200V够不够用的时候，人国家队已经在给20kV铺路了。
展会前几天，平湖实验室新品发布密集披露：基于自主搭建、面向产业验证的8英寸SiC中试平台，他们成功研制出额定电压20kV、导通电阻约1Ω的SiC MOSFET器件，单芯片尺寸1cm×1cm，在漏电流40μA条件下击穿电压达到23.1kV，对应比导通电阻489mΩ·cm²，已接近4H-SiC材料的理论极限，这是国际上首次在8英寸超厚外延上做出20kV等级的MOSFET。
紧接着又联合企业推出8英寸20kV SiC IGBT及配套FRD，击穿电压超22kV、导通电流20A，完成了变温动态开关验证。同样基于这个平台，750V沟槽型SiC JFET也实现了全链条自主突破，比导通电阻低至0.75mΩ·cm²，还同步推出16/35/80/165mΩ四种规格，可靠性测试500小时性能基本稳定。
20kV器件对应什么场景？正是SST的中压输入级、特高压直流输电、柔性直流换流阀——在±800kV特高压工程里，20kV SiC器件能把串联数量减少约75%，换流阀体积重量降一半以上。
而在SST架构里，它决定了"从中压电网直接降到800V"这件事能不能物理成立。换句话说，平湖实验室做的不是一颗芯片，而是给SST那个远期期货提供“地基”。
它的8英寸GaN-on-SiC增强型HEMT平台、100V GaN E-HEMT、抗辐照SiC MOSFET，则从高压往低压一路铺开，试图把"从发电、输电、到固态变压器、再到终端用电"的整条功率链路都攥在自己手里。
平台属性决定了它的活法和前面七家都不一样。企业必须考虑单颗成本和现金流，平湖实验室考虑的却是"共性难题"——国产首套8英寸SiC炉管套件搭载国产首台高温栅氧炉的中试验证、衬底激光剥离、MPW多项目晶圆平台、分析检测一站式服务。
它还担着国产化设备催熟的任务：通线阶段完成123台套国产设备验证，其中16台属国内细分领域首台套，材料国产化验证完成96%。这种事企业做不了：投入巨大、回报间接、周期以五年计；但它又恰恰是产业链最上游的"公共品"，缺了这一环，后面所有的降本增效都无从谈起。
然而，国家队怕的不是赔钱，是“成果转化”。实验室成果到可交付产品之间，隔着一致性、可靠性、客户导入三道看不见的墙。
近期，平湖实验室选择与龙腾半导体战略合作，把SST、逆变器作为产业化抓手，再辅以工信部重点培育中试平台、广东省中试平台的双重认定——这是在用机制设计去对冲"科研与市场两张皮"的老问题。
现在我们把八家摆在一起看，行业的底层逻辑逐渐清晰。
博世在定义接口，基本半导体在扩张版图，昕感科技在绑定场景，飞仕得在补齐翻译层，芯丰泽在顶天花板，芯合在砸成本曲线，瑞迪微在兑现出身，平湖实验室在铺地基。
它们做的事情看似南辕北辙，指向的却是同一件事：竞争的颗粒度，正在从“器件参数”转向“系统能力”。
最能印证这一点的，就是今年最火的SST。英伟达在2025年10月的OCP峰会上发布800VDC架构白皮书，把固态变压器推到聚光灯下，此后从材料厂、晶圆厂到模块厂、方案商一路高歌，全部下场。展会上华润微、中车、扬杰、长晶、瑶芯都拿出了SST相关方案。
要我说啊，SST本就是一个期货市场，所有人都在为三年后的订单排队，而能不能兑现，取决于今天有没有人愿意去啃绝缘、标准、测试这些不性感的活。芯丰泽的10kV、芯合的2300V、飞仕得的局放测试、昕感的SST拓扑选型，本质上都是在给这个期货市场交付基础设施。
走出展馆时，深圳的晚霞正把玻璃幕墙烧成一片金红。身后是渐次熄灭的展台灯光，身前是川流不息的人群。
我突然想起下午在14号馆，跟一位行业前辈聊天时他说的话："碳化硅这个行业，跑得快的未必活得久，活得久的未必跑得快。"
八种姿势，同一个战场。
没有谁在赌今年，所有人都在赌三年后那个还没有完全成形的市场。
这就是碳化硅行业的残酷和迷人之处：你必须在一切都不确定的时候下注，然后等时间给你答案。
*感谢博世汽车电子、昕感科技、飞仕得、平湖实验室等单位对本文创作提供的支持近期文章推荐： 碳化硅的"无人区"里，终于立起了中国坐标！ 博世：高端工业能力才是宽禁带的终极壁垒 双箭齐发！国产SiC合围固态变压器 蔚来的SiC棋局 基本半导体：“碳化硅芯片第一股”的AB面
