芯耀
与非AI
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作为科创板首单“密交”（预先审阅）项目，经过两轮快节奏问询之后，长鑫科技经过5月27日科创板第27次上市审核委员会审议，毫无悬念的，顺利过会，有望紧随中芯国际，成为科创板历史上规模最第二大的IPO。
核心看点
长鑫科技是中国大陆唯一实现DRAM大规模量产的企业，全球市占率7.67%排名第四，终结三星/SK海力士/美光三强垄断，填补中国存储芯片制造空白。
科创板首单 “预先审阅” IPO，预审阶段不公开核心技术、产能、客户等敏感信息，受理即披露两轮问询，大幅缩短审核周期。
2025年营收618亿元，归母净利润18.75亿元。2026年Q1业绩更是炸裂，营收508亿元，净利润330亿元，日赚4亿元，跻身A股最赚钱科技公司之列。
拟募资295亿元，仅次于中芯国际的532亿，为科创板历史上第二大、今年全A股最大IPO。
同时诞生A股最大员工激励，创始人朱一明让渡7.68亿股，价值超200亿，用于员工激励，不增发、不稀释股东权益，承诺上市后10年不减持，深度绑定团队与公司长期发展。
主营业务与产品
长鑫科技专注DRAM存储芯片的研发、设计和制造，走的是IDM（垂直整合制造）路线——从芯片设计到晶圆生产全链条环节。
公司旗下拥有三座12英寸DRAM晶圆厂，在合肥、北京两地。按照产能、出货量和销售额统计，公司已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商。
这是长鑫科技北京晶圆厂，今天下午刚好开车路过，很应景。
核心产品包括DDR4/DDR5标准内存芯片和LPDDR4X/LPDDR5/LPDDR5X低功耗移动内存，广泛用于智能手机、PC、服务器、AI算力和智能汽车等领域。公司2016年成立于安徽合肥，是合肥市"芯屏汽合"战略的旗舰项目。
主要财务数据
报告期内（2023-2025年），长鑫科技营收从90.87亿元飙升至241.78亿元再到617.99亿元，两年复合增长率高达160.78%，增长曲线近乎"坐火箭"。
归母净利润从2023年亏损163.40亿元，到2024年亏损收窄至71.45亿元，再到2025年扭亏为盈实现18.75亿元，盈利拐点正式确立。
2025年毛利率41.02%，研发投入占比15.52%（95.93亿元），盈利能力和研发力度均处于国产芯片企业顶尖水平。
公司同时给出2026年上半年业绩预告：营收1,100-1,200亿元，归母净利润520-580亿元，利润有望爆发式增长2000%。
募资额、预计市值、募投方向
本次拟公开发行不超过10.62亿股（占发行后总股本不低于10%），计划募资净额295亿元，对应发行后预计市值约2,950亿元，有望超过中芯国际，成为科创板历史规模最大的IPO之一。
募投资金投向三大方向：晶圆制造技改项目（75亿元，25.4%）用于现有产线升级扩产；DRAM芯片技术升级项目（130亿元，44.1%）聚焦先进制程和新产品研发；前瞻技术研发项目（90亿元，30.5%）布局下一代存储技术。三个项目紧扣"产能扩张+技术追赶"双主线。
行业地位与亮点
长鑫科技是中国大陆唯一具备大规模DRAM量产能力的企业，2025年Q4全球DRAM市占率7.67%，仅次于三星（39.4%）、SK海力士（33.0%）和美光（22.9%），稳居全球第四。
更为关键的是，在美光被中国网络安全审查后，长鑫科技抓住了国产替代的历史窗口，2024-2025年产能利用率持续维持在95%以上，产品供不应求。
作为国产存储芯片的"独苗"，长鑫承载着国家半导体自主可控的战略使命，是真正意义上的"全村的希望"。
核心技术、难点与壁垒
DRAM制造被称为半导体领域"最难啃的骨头"之一。
长鑫科技已掌握1x/1y/1znm三代DRAM工艺节点，正在攻关1α/1βnm先进制程，产品覆盖DDR4到LPDDR5X完整序列。
核心技术壁垒极高：深沟槽电容（Deep Trench）工艺决定了存储单元的稳定性，多重曝光技术解决了纳米级图形化难题，先进封装（TSV/混合键合）则支撑高带宽内存HBM的演进方向。
截至2025年末，公司累计拥有专利6,972项（国内发明专利3,165项，海外专利3,043项），专利规模在国产芯片企业中名列前茅。
DRAM行业的壁垒本质上是时间壁垒和资金壁垒——三星和海力士用了三十年积累的know-how，长鑫科技正以惊人的速度追赶。
收入构成
收入结构高度集中于DRAM芯片产品。
LPDDR系列（低功耗内存）贡献营收410.56亿元，占比66.43%，是绝对的收入主力，受益于智能手机和AI终端的强劲需求；
DDR系列（标准内存）贡献197.09亿元，占比31.87%，主要面向PC和服务器市场；
上游零部件分析
DRAM制造的上游主要原材料包括化学品、光阻剂、硅片、气体、靶材、备件等。供应链高度全球化，且受制于人的环节不少。
长鑫科技2025年前五大原材料采购中：化学品（37.29%）和备品备件（34.69%）占了大头，光刻胶（12.16%）、硅片（8.55%）、气体（5.10%）、靶材（2.21%）紧随其后。
其中最值得关注的是光刻胶——全球高端KrF/ArF光刻胶市场被JSR、信越化学等日企垄断，国产化率极低，是典型的"卡脖子"环节。
硅片方面，信越化学（日）和SUMCO（日）占据主要份额。
长鑫科技的供应链风险主要集中在光刻胶和高端设备领域，但公司正在积极推动核心原材料的国产替代进程。
市场分析
全球DRAM市场规模2025年约1505亿美元，预计到2030年将增长至5710亿美元，年复合增长率高达30.56%，是半导体行业中增速最快的赛道之一。
核心驱动力来自三个方面：AI大模型训练和推理对HBM和高带宽内存的爆发式需求、智能手机换机周期带来的移动内存升级、以及智能汽车ADAS系统对车规级存储的持续增量。
竞争格局上，三星、SK海力士和美光三家合计市占率超95%，长鑫科技（7.67%）是唯一的独立第四极。
可比上市公司包括美光（美股）、兆易创新（A股Nor Flash龙头），但真正对标的是三星半导体和SK海力士——这也是长鑫科技的长期目标。
上市意义
长鑫科技的IPO，标志着国产存储芯片第一股正式登陆资本市场，意义远超一家公司的融资行为。
从产业角度看，DRAM是全球半导体市场规模最大的单一品类（超1500亿美元），而中国大陆此前在该领域几乎"颗粒无收"——长鑫科技是唯一破局者。
本次募资295亿元将大幅加速产能扩张和技术追赶，有助于将国产DRAM市占率从目前的个位数提升至两位数。
对资本市场而言，长鑫科技有望成为科创板的新"锚"，为整个国产半导体设备、材料、设计产业链提供估值参照。
在国家"芯片自主可控"的战略大背景下，长鑫科技的上市恰逢其时。
