芯耀
与非AI
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【本文涉及的相关企业】长电科技、通富微电、华天科技、甬矽电子、深科技（沛顿）、盛合晶微、ASE（日月光）、力成科技 (PTI)、Amkor、Intel Foundry、Samsung、SK hynix
一、2026上半年全球头部封装企业扩产概览
2026年上半年，全球头部封装测试企业密集抛出扩产计划，累计投资规模创下历史新高。这并非常规的产能补充，而是一场关乎未来十年产业话语权的全面战略卡位。Yole Group数据显示，2025年全球先进封装市场规模约531亿美元，预计到2030年有望达794亿美元，年复合增长率约8.4%；其中AI、HPC及数据中心应用年复合增长率接近15%，成为整个封测行业最确定的增长引擎。[1]
根据最新产业动态梳理，2026年上半年明确宣布先进封装扩产计划或动工的国内外头部企业主要包括以下12家：
(注： Intel Foundry与Samsung的投资金额为估算值，基于各自2026年全年总资本开支中封装相关占比约15%推算，仅供参考。) [2] [3] [4]
▲ 2026上半年全球12家封装企业宣布投资规模与全球先进封装市场规模预测（2022—2030）（来源：Yole Group / 各公司公告）
二、核心扩产先进封装技术分析：12大名家如何押宝？
在这场产能竞赛中，各家企业依托自身技术禀赋，走出了差异化的扩产路径。以下对上述企业的核心封装技术原理进行逐一拆解。
（1）长电科技：XDFOI™ 多维极高密度扇出型封装
长电科技临港项目剑指AI与HPC市场。其核心武器是自主研发的XDFOI™全系列极高密度扇出型封装解决方案。该技术最大的特点是无需硅通孔（TSV），而是通过高密度再布线层（RDL）实现芯片间的极窄节距互联。相比传统2.5D TSV方案，XDFOI在成本控制、翘曲管理和长期可靠性上均具有显著优势，并重点布局CPO（共封装光学）技术。
来源:长电科技公告/XDFOI技术白皮书
（2）通富微电：VISionS™ 2.5D Chiplet 封装
通富微电深度绑定AMD，其**VISionS™**平台采用了典型的2.5D异构集成架构：将主计算Die与多颗HBM存储通过微凸块高密度键合在硅中介层上；硅中介层内部通过TSV实现垂直导通。该架构实现了计算核心与存储之间超过1TB/s的高带宽互联。
来源:通富微电公告/AMD供应链报道
（3）华天科技：eSiFO™ 与 eSinC™ 3D Matrix 封装
华天科技南京二期重点加码存储芯片封测。其**eSiFO™**硅基扇出技术通过在硅基板上精密刻蚀凹槽嵌入芯片，具有应力低、翘曲小的特点。eSinC™则专注于3D堆叠存储封装：通过TSV技术将多层DRAM Die垂直堆叠，主要服务于国内存储客户。
来源:华天科技公告/eSiFO/eSinC技术资料
（4）甬矽电子：FH-BSAP™ 积木式先进封装平台
甬矽电子的**FH-BSAP™**积木式平台允许不同工艺节点、不同功能的Chiplet像"积木"一样灵活组合。通过Fan-out RDL层实现2.5D异构集成，并支持垂直堆叠（3D），形成高度灵活的系统级封装（SiP）方案。
来源:甬矽电子公告/FH-BSAP技术资料
（5）深科技（沛顿科技）：高端存储芯片封装
深科技聚焦高端存储封测升级，技术路线涵盖面向主流市场的FBGA/wBGA封装，以及面向高端DDR5/HBM的Flip Chip与TSV结合技术，主要服务于国内存储客户的高端产品线。
来源:深科技公告/沛顿科技技术资料
（6）盛合晶微：SmartPoser™ 2.5D 三维多芯片集成
盛合晶微是大陆唯一量产2.5D硅基中介层封装的OSAT。其SmartPoser™技术在12英寸晶圆级平台上实现，是目前国内最成熟的对标台积电CoWoS的量产方案，已在国内存储与AI客户中实现批量交付。
来源:盛合晶微公告/东盛合芯开工仪式新闻稿(2026-06-29)
（7）ASE（日月光）：FOPLP 面板级扇出型封装
日月光押宝FOPLP（面板级封装），将封装基底从圆形晶圆升级为大尺寸矩形面板。单次产出效率提升3—5倍，单位成本大幅降低30%—50%，是未来大尺寸AI芯片降本增效的终极武器。
来源:TrendForce/ASE股东会/Reuters 2026年6月24日报道
（8）力成科技（PTI）：FOPLP 领跑面板级封装量产
力成科技将 2026 年全年资本支出由 400 亿新台币大幅上调至超过 500 亿新台币，其中约 75% 集中投入 FOPLP（面板级扇出型封装）。截至 2026 年 Q1，其 FOPLP 良率已达到惊人的 94%—95%。力成科技佑达厂（Youda Plant）已安装可处理 5 倍倍缩尺寸的面板级设备，首期 3,000 片/月的产能于 2026 年到位，预计 2027 年中前实现全面量产。其技术已获得 AMD、博通等国际级大厂采用，并在 CPO（共封装光学）领域持续发力。[8]
来源:力成科技PTI法说会/Digitimes
（9）Amkor × TSMC：CoWoS 美国本土化合作
Amkor与台积电合作的CoWoS技术是当前AI算力芯片的绝对霸主。通过微凸块将AI芯片与HBM高密度倒装在硅中介层上，实现芯片间超高密度的横向互联。
来源:TSMC/Amkor联合公告2026年6月16日
（10）Intel Foundry：EMIB 与 Foveros 3D 堆叠
Intel的EMIB仅在有机基板内部嵌入小块"硅桥"，大幅降低了成本。Foveros则是3D堆叠绝技，通过面对面微凸块或混合键合实现极高集成密度。
来源:IntelNewsroom 2026年6月18日
（11）Samsung & SK hynix：HBM4E 封装对决
SK hynix凭借Advanced MR-MUF（批量回流模塑底部填充）技术在散热和带宽上占据领先。三星则坚持TC-NCF（热压非导电膜）路线，以期在更高层数堆叠中精确控制芯片厚度。
来源:SKhynix官网2026年6月18日/Samsung新闻稿2026年5月29日
三、未来五年，先进封装产能还会紧缺吗？
面对激进的扩产潮，产能释放后是否会引发严重过剩？未来五年，先进封装产能将呈现“结构性平衡”特征。
3.1 供需逻辑：为何扩产争先恐后？
扩产背后的核心逻辑在于算力饥渴与摩尔定律放缓。AI芯片对内存带宽的要求呈指数级上升，先进封装直接决定了GPU的最终出货量。同时，Chiplet（芯粒）异构集成成为破局利器，封装技术从"保护芯片"演变为"创造系统"。此外，供应链安全驱动了产能的本土化重构。对于国内企业而言，"以封装补制程"是突围的核心战略，配套国内存储客户的规模化量产已成为刚需。
3.2 产能研判：从“极度缺货”到“结构性平衡”
据TrendForce预测，到2026年底，极端的供需失衡将告一段落，缺口预计从20%收窄至10%左右。但“收窄”不等于“过剩”：
1.需求迭代极快：下一代AI架构对封装面积的需求翻倍，产能释放速度仅能勉强跟上需求斜率。
2.高端产能壁垒高：顶级2.5D/3D封装良率爬坡需要1—2年，真正高品质产能依然稀缺。
3.技术代际转换：FOPLP与玻璃基板等新技术的引入将重塑供需曲线，创造出更多边缘AI与汽车电子的新增需求。
▲ 2024—2030年全球先进封装供需分析与缺口预测
3.3 竞争转向：从“抢产能”到“拼良率与客户绑定”
未来五年，行业的焦点将从单纯的投资规模转向良率爬坡与客户绑定深度。谁能深度绑定全球顶级算力/存储大厂，谁的HBM和Chiplet良率能率先达标，谁才能真正将资本开支转化为利润。
四、结语
2026年上半年的这一轮先进封装扩产潮，不仅仅是简单的产能复制，更是一次深刻的产业升级。
未来五年，全球先进封装市场将保持近10%的复合年增长率，向着800亿美元的规模迈进。在这个过程中，无论是深耕CoWoS的台积电，发力HBM4E 封装的Samsung & SK hynix，还是押注FOPLP的日月光&力成，亦或是奋起直追的长电、通富、华天、盛合晶微、甬矽和深科技等中国力量，都将在这场"封装竞赛"中书写属于自己的历史。先进封装产能的紧缺或许会在两三年内得到一定程度的缓解，但围绕更高密度、更低功耗、更优成本的封装技术创新之战，才刚刚拉开帷幕。
参考文献
[1] Yole Group. (2026). Advanced Packaging Market & Technology Report 2026.
[2] TrendForce. (2026).ASE Targets FOPLP Mass Production by End-2026.
[3] Amkor Technology. (2026).TSMC and Amkor Technology Announce Long Term Partnership.
[4] Intel Corporation. (2026).Intel Appoints Seok-Hee Lee as EVP of Intel Foundry.
[5] 长电科技/通富微电/华天科技/甬矽电子/深科技/盛合晶微.公司公告与招股书.
[6] SK hynix/Samsung. (2026).HBM4E Product Roadmaps.
[7] SEMI. (2026).Semiconductor Equipment Forecast 2026.
[8] 力成科技 (PTI). (2026).Q1 2026 Earnings Call Transcript.
