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回首2023，碳化硅和氮化镓行业取得了哪些进步？出现了哪些变化？2024将迎来哪些新机遇和新挑战？为更好地解读产业格局，探索未来的前进方向，行家说三代半、行家极光奖联合策划了《行家瞭望——2024，火力全开》专题报道。
本期嘉宾是爱仕特联合创始人&总经理陈宇，接下来还将有更多的领军企业参与《行家瞭望》，敬请期待。
创新、品类、车规、市场，全方位服务汽车、光储充等广袤市场
行家说三代半：过去一年，贵公司主要做了哪些关键性工作？
陈宇：2023年爱仕特的碳化硅功率器件业务主要围绕着产品升级和市场开拓来展开。
首先是持续不断的技术创新和坚持自主研发。爱仕特技术团队从事功率器件近20年，在碳化硅领域研究超过10年，产品量产近5年，目前量产了第3代SiC MOS芯片，第4代正在验证中，同时在开发第5代工艺。产品的性能和一致性都会大幅提升。
其次是新产品研发。爱仕特于2023年共研制了8款新型封装碳化硅功率器件并全部实现量产。产品阵容涵盖650V、1200V、1700V、3300V等不同电压等级，可满足新能源汽车及充电桩、光伏储能、消费电子等领域的高可靠性和高性能需求。截至目前，爱仕特共拥有117款细分型号碳化硅MOSFET和功率模块产品，产品型号齐全。
三是车规认证及内部管理。爱仕特碳化硅模块工厂于2021年首次获证，迁至深圳后再次通过IATF16949体系认证。通过对产品进行全流程质量管控，保证了产品的一致性和可靠性，打造出稳定的质量管控体系，在要求极为严苛的全球汽车零部件市场取得了权威认可和准入资质。
四是市场领域开拓。爱仕特新62mm工业标准封装模块打开了250kW以上中等碳化硅功率应用的大门，扩展到太阳能、服务器、储能、电动汽车充电桩、牵引以及商用感应电磁炉和功率转换系统等。
车规SiC稳定供货，降维发力光储充、工业等市场
行家说三代半：2023年贵公司取得了哪些成绩？你们实现增长的战略是什么？
陈宇：2023年我们公司在多个方面取得了不错的成绩：
首先是自主研发的碳化硅功率模块实现批量应用。随着800V+SiC时代的到来，国内众多车企纷纷在主驱中导入SiC模块。爱仕特通过技术孵化，拥有覆盖650V～1700V电压范围的多系列细分型号碳化硅功率模块，已完成送样测试阶段，稳定供货于车企客户。
其次是进一步关注和推进光储充的市场。聚焦光储逆变器开发需求，能够满足光伏逆变器功率更大、效率更高、体积更小、成本更低的要求，以及组串式逆变器配置灵活、易于安装的发展方向。
三是将车规碳化硅功率器件导入工业电源和消费电子领域。爱仕特第四代具有高耐压、低导通电压、零反向恢复和强抗浪涌能力等优异性能，充分满足器件走向更小体积、更高频率、更高密度、更低发热的特殊需求。
我们公司在2023年实现增长的战略是：
一是实现全系碳化硅功率器件量产。爱仕特拥有117款细分型号碳化硅MOSFET和功率模块产品，涵盖650V、1200V、1700V、3300V等不同电压等级，性能实现国内领先，给客户提供更多的产品选择和应用方案；
二是以技术创新为引领，加快提升碳化硅功率器件的研发实力。爱仕特始终坚持自主研发，公司的34项专利都与碳化硅 MOSFET、功率模块以及先进工艺技术密切相关，同等规格下，爱仕特的芯片面积比国内同行小15-20%，而新一代碳化硅工艺也可降低芯片成本近15%；
三是建立完善的产品质量管控体系。对产品进行全流程质量管控，严格按照IATF16949、AEC-Q101等质量标准执行：持续提升产品质量，增强市场竞争力；改善供应商管理，降低风险和成本；提升交付服务水平，提高客户满意度。
积极研发，对标8吋SiC，提效、保质、降本应对内卷
行家说三代半：在降本增效方面，2023年最值得关注和重视的新变化是什么？
陈宇：当前主流碳化硅衬底尺寸仍然是6英寸，8英寸衬底正在成为行业重要的技术演化方向，在降低器件单位成本、增加产能供应方面拥有巨大的潜力。
虽然实现量产的企业还只有国外厂商，但国产的碳化硅衬底发展正在加速追赶国际领先水平。国内企业积极研发，破局8英寸，已有企业在2023年宣布实现了8英寸碳化硅衬底的小批量量产，而爱仕特也在同步对标和推进中。
除了增大碳化硅衬底尺寸，行业也在通过其他措施降低碳化硅器件成本，比如在制造方面，随着市场的开启，各大器件供应商扩产制造，随着规模扩大和制造技术不断成熟，也带来制造成本的降低。
未来碳化硅器件的价格有望持续下降，其行业应用将快速发展。
行家说三代半：成本是把双刃剑，行业规模化发展需要接近硅器件的低成本，但也要防止被低价所反噬，您如何看待行业的低价和同质化竞争？贵公司有哪些好的做法和建议？
陈宇：在当前全球碳化硅功率市场高景气行情下，碳化硅正处在爆发式增长的前期，扩产放量是行业关注重点。国内外产能加速扩张，都在积极布局碳化硅市场，争先恐后加码扩产。面对这个爆发性增长的市场机遇，爱仕特认为，厂商首先要将提升产品性能和可靠性作为发展重点，在此基础上根据市场需求，提升自己的差异化优势，合理规划产能。
爱仕特认为“全面提升效率，保证品质，降低成本”是国产碳化硅功率半导体大规模应用的关键。
一是技术升级助力降本增效。目前爱仕特基于第4代工艺的全新碳化硅MOSFET芯片已研发成功，大幅度地提高了沟道迁移率，可以更好地适应于耐高压、耐高温、的材料需求，简化电路结构，减小散热器空间，并通过提升开关频率来提高单位功率密度。
二是建立了车规级模块专用工厂和健全的品质管理体系。爱仕特通过IATF16949和AEC-Q101等质量认证，健全的体系和卓越的品质意识保证了产品的一致性和可靠性。爱仕特碳化硅功率器件已批量应用于欧洲航空及新能源汽车等领域，产品性能及可靠性得到了客户的一致认可。
三是推动产业链国产化，实现采购成本下降。衬底是碳化硅产业链的核心，也是未来碳化硅产业降本、大规模产业化的主要驱动力。因此，提高衬底良率和产能是碳化硅降本的核心。爱仕特与上游合作伙伴保持深入密切的沟通，锁定了碳化硅衬底、晶圆代工和封装材料资源的保供协议等，力保时刻满足客户的需求。
1200-1700V占比大幅提升，平面/沟槽双系列并进
行家说三代半：经过前些年的铺垫，碳化硅 / GaN技术目前在许多应用场景都很活跃，展望2024年，您认为行业最大的机会在哪里？贵公司将如何开拓这些市场？
陈宇：2024年，行业最大的机会依然是新能源变革所带来的巨大增长空间。新能源行业高压需求正在快速增长，高压功率器件将持续提升，新能源汽车持续提升充电功率、缩短充电时间，电压平台从400V提升到800V、1000V甚至更高的水平，这将是整个新能源汽车行业的发展趋势，势必带动上游高压功率器件的占比，因高压高频耐高温的特性，碳化硅功率器件在应用场景中作用和份额也将日益凸显。
同时，新能源行业的发电端、储能端、配套端的市场一样会迅猛增长，据权威数据预测分析，到2027年，1200V功率器件市占率将从2021年的11%提升至20%，1700V功率器件市占率将从2021年的2%提升至3%。
爱仕特已布局64款1200V功率器件和22款1700V功率器件，向着更高的电压等级发展。2024年，爱仕特将继续重点瞄准新能源汽车行业市场，保障产品品质的同时，积极开发更多的产品型号，并在光伏储能、消费电子、工业电源等领域实行多线并进策略。
行家说三代半：2024年，贵司定下来了哪些规划和目标？
陈宇：一是专注于碳化硅功率器件领域的研发与突破。爱仕特不断对新技术发起挑战，推出更多新产品和新技术，已启动沟槽栅极结构的SiC MOSFET芯片设计研发，产品朝着平面结构和沟槽结构双系列并进，目前第一代沟槽栅极设计完成，仿真的功率密度提升30%以上；
二是加强产品品质管控，进一步稳定产品的一致性。产品研发完成只是一小步，对于批量产品的品质管控才是更大的挑战，这是一个系统性的工程。我们将从“严格供应商管理”、“精细生产工艺控制”、“强化质量检测与测试”和“完善质量管理体系”等方面不断提升及优化质量管控，向客户持续提供高质量的碳化硅功率器件。
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